公开(公告)号：CN103311393A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210558342.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/205 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7783 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0

公开(公告)号：CN100578797C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200710198916.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684

Abstract: 半导体器件包括绝缘层(2)，以及被形成于绝缘层(2)上的，具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管，其中n沟道MIS晶体管的n沟道是由具有沟道长度方向上单轴拉伸应变的Si层(10)形成，p沟道MIS晶体管的p沟道是由具有沟道长度方向上单轴压缩应变的SiGe或Ge层(20)形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为 方向。

公开(公告)号：CN102790155B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201210048487.1

申请日：2012-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐田伦也 ,  洪洪 ,  黄钟日 ,  佐藤泰辅 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。

公开(公告)号：CN104916704A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410453135.3

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 矶部康裕 ,  杉山直治

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种具有蓄积有压缩应力的GaN的半导体装置。实施方式的半导体装置包含GaN层、及AlXGa1-XN层；所述AlXGa1-XN层与所述GaN层接触地设于所述GaN层上，且含有C，其中0≤X＜1。

公开(公告)号：CN102790147B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210017269.1

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐田伦也 ,  洪洪 ,  黄钟日 ,  佐藤泰辅 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。

公开(公告)号：CN102403201A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110049525.0

申请日：2011-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山直治 ,  盐田伦也 ,  布上真也

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76243 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0062

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种制造氮化物半导体晶体层的方法。所述方法可包括在硅晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层。所述硅晶体层被设置在基体上。在形成所述氮化物半导体晶体层之前，所述硅晶体层具有第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度。所述形成所述氮化物半导体晶体层包括使所述硅晶体层的至少一部分并入到所述氮化物半导体晶体层中以从所述第二厚度减薄所述硅晶体层的厚度。

公开(公告)号：CN103839979B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310394029.8

申请日：2013-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1‑xN（0

公开(公告)号：CN102403201B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110049525.0

申请日：2011-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山直治 ,  盐田伦也 ,  布上真也

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76243 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0062

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种制造氮化物半导体晶体层的方法。所述方法可包括在硅晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层。所述硅晶体层被设置在基体上。在形成所述氮化物半导体晶体层之前，所述硅晶体层具有第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度。所述形成所述氮化物半导体晶体层包括使所述硅晶体层的至少一部分并入到所述氮化物半导体晶体层中以从所述第二厚度减薄所述硅晶体层的厚度。

公开(公告)号：CN104051582A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410080014.9

申请日：2014-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田真嗣 ,  胜野弘 ,  三木聡 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/385 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60 ,  H01L33/64 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/12042

Abstract: 一种半导体发光元件包括层叠主体、第一金属层和第二金属层。层叠主体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。第二半导体层在第一方向上与第一半导体层分开。发光层被设置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠，从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个。第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面。第二金属层覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分。第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。

公开(公告)号：CN103839979A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310394029.8

申请日：2013-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1-xN（0