公开(公告)号：CN101202288A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710198916.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684

Abstract: 半导体器件包括绝缘层(2)，以及被形成于绝缘层(2)上的，具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管，其中n沟道MIS晶体管的n沟道是由具有沟道长度方向上单轴拉伸应变的Si层(10)形成，p沟道MIS晶体管的p沟道是由具有沟道长度方向上单轴压缩应变的SiGe或Ge层(20)形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为 方向。

公开(公告)号：CN100578797C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200710198916.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684

Abstract: 半导体器件包括绝缘层(2)，以及被形成于绝缘层(2)上的，具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管，其中n沟道MIS晶体管的n沟道是由具有沟道长度方向上单轴拉伸应变的Si层(10)形成，p沟道MIS晶体管的p沟道是由具有沟道长度方向上单轴压缩应变的SiGe或Ge层(20)形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为 方向。

公开(公告)号：CN100517759C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710087967.8

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  沼田敏典 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件，其中包括在多个表面上具有沟道的多栅极MIS晶体管，在绝缘膜(12)上的沿给定方向形成的岛状半导体层(21)的侧表面上的栅极绝缘薄膜(23)上形成栅电极(24)，并且形成源电极/漏电极(27a、27b)使其与半导体层(21)接触。半导体层(21)沿给定方向具有多个侧表面。由相邻的侧表面形成的所有的角均大于90°。垂直于给定方向的截面为垂直和水平对称。

公开(公告)号：CN101022132A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200710087967.8

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  沼田敏典 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件，其中包括在多个表面上具有沟道的多栅极MIS晶体管，在绝缘膜(12)上的沿给定方向形成的岛状半导体层(21)的侧表面上的栅极绝缘薄膜(23)上形成栅电极(24)，并且形成源电极/漏电极(27a、27b)使其与半导体层(21)接触。半导体层(21)沿给定方向具有多个侧表面。由相邻的侧表面形成的所有的角均大于90°。垂直于给定方向的截面为垂直和水平对称。

公开(公告)号：CN1819269A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006641.3

申请日：2006-01-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  沼田敏典

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种包括周围栅极MOSFET结构的半导体器件，其包括在支撑衬底上形成的第一半导体层，且其具有在其表面上形成的凹进，在第一半导体层上形成的第二半导体层，其形成有横跨第一半导体层凹进的部件，栅电极，其通过栅极绝缘膜形成从而包围第二半导体层的横跨部分，并具有不同于在栅极图案中处理的第二半导体层下的部件，源极和漏极区域，其在第二半导体层上形成，和侧壁绝缘膜，其在第一半导体层的凹进侧壁表面上形成，且其厚度比栅极绝缘膜的厚度大。