公开(公告)号：CN105990488A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510097400.3

申请日：2015-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三木聡 ,  伊藤俊秀

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405

Abstract: 本发明的实施方式提供一种高光提取效率的半导体发光元件。根据实施方式，半导体发光元件，包含:半导体层、第一导电层、及设置在所述半导体层与所述第一导电层之间的第二导电层。所述第二导电层的光透过率高于所述第一导电层的光透过率。所述第二导电层的消光系数为0.005以下。

公开(公告)号：CN104051582A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410080014.9

申请日：2014-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田真嗣 ,  胜野弘 ,  三木聡 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/385 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60 ,  H01L33/64 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/12042

Abstract: 一种半导体发光元件包括层叠主体、第一金属层和第二金属层。层叠主体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。第二半导体层在第一方向上与第一半导体层分开。发光层被设置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠，从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个。第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面。第二金属层覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分。第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。