-
公开(公告)号：CN102790155A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210048487.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。
-
公开(公告)号：CN102790147A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210017269.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。
-
公开(公告)号：CN105990474A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610140797.4
申请日：2016-03-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高效率的半导体发光元件及其制造方法。根据实施方式，半导体发光元件包含：基体；第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层，设置在所述基体与所述第1半导体层之间；第3半导体层，设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；及金属层，设置在所述基体与所述第2半导体层之间。所述基体具有所述金属层侧的第1面及与所述第1面为相反侧的第2面。所述第2面为凸状。
-
公开(公告)号：CN104282810A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410309048.0
申请日：2014-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/382 , H01L25/0756 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括第一电极、第一和第二发光单元、第一和第二导电层、第一连接电极、第一电介质层、第一和第二衬垫、以及第一发光单元间电介质层。第一发光单元包括第一和第二半导体层以及第一发光层。第一半导体层包括第一半导体部分和第二半导体部分。第二发光单元包括第三半导体层、第四半导体层以及第二发光层。第四半导体层电连接到第一电极。第一导电层电连接到第三半导体层。第二导电层电连接到第二半导体层。第一连接电极电连接第一导电层和第一半导体部分。
-
公开(公告)号：CN104037281A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410079574.2
申请日：2014-03-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括光反射层、第一至第四半导体层、第一和第二发光层、以及第一光传输层。第二半导体层设置在第一半导体层和光反射层之间。第一发光层设置在第一和第二半导体层之间。第一光传输层设置在第二半导体层和光反射层之间。第三半导体层设置在第一光传输层和光反射层之间。第四半导体层设置在第三半导体层和光反射层之间。第二发光层设置在第三和第四半导体层之间。光反射层电连接到从第三和第四半导体层中选择的一个。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594574A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310328701.3
申请日：2013-07-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：第一半导体层、第二半导体层、以及设于第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。第一半导体层包括氮化物半导体，并且是n型的。第二半导体层包括氮化物半导体，并且是p型的。所述发光层包括：第一阱层；设于第一阱层与第二半导体层之间的第二阱层；设于第一和第二阱层之间的第一势垒层；以及在第一势垒层与第二阱层之间接触第二阱层并且包括含Alx1Ga1-x1N（0.1≤x1≤0.35）的层的第一含Al层。
-
公开(公告)号：CN102790155B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210048487.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。
-
公开(公告)号：CN102790147B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210017269.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。
-
公开(公告)号：CN101978207B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200880128096.2
申请日：2008-09-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F21K7/00
CPC classification number: H01S5/0228 , F21K9/61 , F21Y2115/10 , H01S5/005 , H01S5/22 , H01S5/4056
Abstract: 一种发光器件包括：半导体激光元件(10)，具有用于出射激光的第一出射面；导光体(40)，被掩埋在支撑基底(20)的凹部(20a)中，导引从所述半导体激光元件(10)出射的激光，并具有入射面(40a)和第二出射面(40b)，所述激光进入所述入射面(40a)，行进通过所述导光体(40)的所述激光从所述第二出射面(40b)出射，所述导光体(40)的所述入射面(40a)为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及荧光物质(42)，被散布在所述导光体(40)中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。
-
公开(公告)号：CN101978207A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200880128096.2
申请日：2008-09-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F21K7/00
CPC classification number: H01S5/0228 , F21K9/61 , F21Y2115/10 , H01S5/005 , H01S5/22 , H01S5/4056
Abstract: 一种发光器件包括：半导体激光元件(10)，具有用于出射激光的第一出射面；导光体(40)，被掩埋在支撑基底(20)的凹部(20a)中，导引从所述半导体激光元件(10)出射的激光，并具有入射面(40a)和第二出射面(40b)，所述激光进入所述入射面(40a)，行进通过所述导光体(40)的所述激光从所述第二出射面(40b)出射，所述导光体(40)的所述入射面(40a)为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及荧光物质(42)，被散布在所述导光体(40)中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.018 seconds)
