公开(公告)号：CN102194934B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201010275570.3

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 櫛部光弘 ,  大埸康夫 ,  金子桂 ,  勝野弘 ,  山田真嗣

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。

公开(公告)号：CN102194934A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010275570.3

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 櫛部光弘 ,  大埸康夫 ,  金子桂 ,  勝野弘 ,  山田真嗣

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。

公开(公告)号：CN105990487A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610140819.7

申请日：2016-03-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫部主之 ,  石黑阳 ,  胜野弘 ,  山田真嗣

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明的实施方式提供一种生产性高的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，包含衬底、第1～第3半导体层、第1、第2电极、金属层。衬底具有第1区域及具备从第1区域突出的凸部的第2区域。第1半导体层为第1导电型。第1半导体层与衬底在第1方向相隔。第2半导体层为第2导电型。第2半导体层设置在第1半导体层与衬底之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1电极设置在第1半导体层与衬底之间且与第1半导体层电连接。第2电极设置在第2半导体层与衬底之间且与第2半导体层电连接。金属层设置在第1电极与第2区域之间以及第2电极与第1区域之间。金属层具有与衬底的凸部嵌合的凹部。

公开(公告)号：CN103840040A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310388586.9

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田真嗣 ,  胜野弘 ,  三木聪 ,  布上真也

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/36 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：层叠体、波长转换层、第一金属层和第一绝缘部分。所述层叠体包括：第一和第二半导体层；以及第一发光层，被提供在所述第一和第二半导体层之间。所述波长转换层被配置为转换从所述第一发光层发射的光的波长。所述第一半导体层被设置在所述第一发光层和所述波长转换层之间。所述第一金属层电连接到所述第二半导体层。所述第一绝缘部分被提供在第一侧表面和所述第一金属层的第一侧表面部分之间以及在所述波长转换层和所述第一侧表面部分之间。

公开(公告)号：CN105957940A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610015618.4

申请日：2016-01-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  石黑阳 ,  山田真嗣

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/02

Abstract: 半导体发光元件包含基体、第1～3半导体层、第1导电层及第1、2绝缘层。第1半导体层包含第1导电型区域。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间，且为第2导电型。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层设置在第2半导体层的一部分与基体之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第1绝缘层设置在第2半导体层的另一部分与基体之间以及第1导电层与基体之间。第2绝缘层设置在第1绝缘层与基体之间。第1绝缘层的第1厚度比第1绝缘层的第2厚度薄。第2绝缘层的第3厚度与第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于第1厚度与第2厚度的差的第1绝对值。

公开(公告)号：CN104051582A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410080014.9

申请日：2014-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田真嗣 ,  胜野弘 ,  三木聡 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/385 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60 ,  H01L33/64 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/12042

Abstract: 一种半导体发光元件包括层叠主体、第一金属层和第二金属层。层叠主体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。第二半导体层在第一方向上与第一半导体层分开。发光层被设置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠，从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个。第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面。第二金属层覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分。第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。