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公开(公告)号：CN116779668A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210902723.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体和半导体装置。提供能够提高特性的氮化物半导体和半导体装置。根据实施方式，氮化物半导体的氮化物部件含有：包含Alx1Ga1‑x1N(0
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公开(公告)号：CN119767759A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410725329.8
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括：基体、氮化物部件、以及含Ga和N的半导体部件。氮化物部件在第1方向上设置在基体和半导体部件之间。氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和第3氮化物区域。第1氮化物区域设置在基体和第3氮化物区域之间。第2氮化物区域设置在第1氮化物区域和第3氮化物区域之间。第1氮化物区域包含AlN。第2氮化物区域包含Alx2Ga1‑x2N(0
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公开(公告)号：CN103839979B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310394029.8
申请日：2013-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1‑xN（0
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公开(公告)号：CN103839979A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310394029.8
申请日：2013-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1-xN（0
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公开(公告)号：CN110491938B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910158431.3
申请日：2019-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三区域和第一～第三电极。第一区域包含SiC，包含第一、第二部分区域、和第一、第二部分区域之间的第三部分区域。从第一部分区域向第一电极的方向、从第二部分区域向第二电极的方向、从第三部分区域向第三电极的方向沿第一方向。从第一电极向第二电极的第二方向与第一方向交叉。在第二方向，第三电极位于第一、第二电极之间。第二区域包含Alx2Ga1‑x2N(0.2≤x2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103311393B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210558342.6
申请日：2012-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/205 , B82Y20/00 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/365 , H01L29/7783 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0
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公开(公告)号：CN104253180A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410301753.6
申请日：2014-06-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/7786
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体元件包括：层叠体；以及功能层。所述层叠体包括第一GaN层、第一层和第二GaN层。第一GaN层包括第一凸起。所述第一层设于第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种。第二GaN层设于所述第一层上并且包括第二凸起。所述第二凸起的底部的长度小于所述第一凸起的底部的长度。功能层设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN103682008A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310331614.3
申请日：2013-08-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02104 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/0649 , H01L29/7786 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。一种氮化物半导体晶片包括硅衬底、层叠的多层单元、含硅单元和上层单元。所述硅衬底具有主表面。所述层叠的多层单元在所述主表面上提供。所述层叠的多层单元包括N个缓冲层。所述缓冲层包括第i缓冲层和在所述第i缓冲层上提供的第(i+1)缓冲层。所述第i缓冲层在平行于所述主表面的第一方向上具有第i晶格长度Wi。所述第(i+1)缓冲层在所述第一方向上具有第(i+1)晶格长度W(i+1)。所有所述缓冲层满足关系(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008。所述含硅单元在所述层叠的多层单元上提供。所述上层单元在所述含硅单元上提供。
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公开(公告)号：CN103681794A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310206392.2
申请日：2013-05-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/205 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L29/0684 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体晶片、半导体器件和用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种半导体晶片包括衬底、AlN缓冲层、基础层、第一高Ga成分层、高Al成分层、低Al成分层、中间单元和第二高Ga成分层。所述第一层在所述基础层上提供。所述高Al成分层在所述第一层上提供。所述低Al成分层在所述高Al成分层上提供。所述中间单元在所述低Al成分层上提供。所述第二层在所述中间单元上提供。所述第一层具有第一拉伸应变以及所述第二层具有大于所述第一拉伸应变的第二拉伸应变。备选地，所述第一层具有第一压缩应变，所述第二层具有小于所述第一压缩应变的第二压缩应变。
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公开(公告)号：CN119008665A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410200862.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/267 , H01L29/778
Abstract: 本申请提供能够提高特性的晶片和半导体装置。根据实施方式，晶片包含硅基板、第1层和多个结构体。所述第1层包含铝和氮。所述多个结构体在从所述硅基板向所述第1层的第1方向上设置在所述硅基板的一部分与所述第1层的一部分之间。所述多个结构体包含：包含选自Ni、Cu、Cr、Mn、Fe和Co中的至少一个的第1元素、和硅。所述第1层的另一部分与所述硅基板的另一部分相接。
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