公开(公告)号：CN116779668A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202210902723.5

申请日：2022-07-29

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 彦坂年辉 ,  名古肇 ,  吉田学史 ,  田岛纯平

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/207

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体和半导体装置。提供能够提高特性的氮化物半导体和半导体装置。根据实施方式，氮化物半导体的氮化物部件含有：包含Alx1Ga1‑x1N(0

公开(公告)号：CN116053320A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202210896266.3

申请日：2022-07-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 名古肇 ,  田岛纯平 ,  彦坂年辉

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种可提高特性的氮化物半导体、半导体装置及氮化物半导体的制造方法。根据实施方式，氮化物半导体包含：含硼的基体、含Alx1Ga1‑x1N(0.98＜x1≤1)的第1氮化物区域、和含Alx2Ga1‑x2N(0≤x2＜1、x2＜x1)的第2氮化物区域。所述基体中的硼的浓度为1×1019cm‑3以上。所述第1氮化物区域位于所述基体与所述第2氮化物区域之间。所述第1氮化物区域包含与所述基体相对的第1面和与所述第2氮化物区域相对的第2面。所述第2面中的硼的第2浓度为所述第1面中的硼的第1浓度的1/8000以下。

公开(公告)号：CN109119471B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201810160330.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  木村重哉 ,  布上真也 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Alx1Ga1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Alx2Ga1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Alx3Ga1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。

公开(公告)号：CN103311393B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210558342.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/205 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7783 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0

公开(公告)号：CN104253180A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410301753.6

申请日：2014-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  名古肇 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体元件包括：层叠体；以及功能层。所述层叠体包括第一GaN层、第一层和第二GaN层。第一GaN层包括第一凸起。所述第一层设于第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种。第二GaN层设于所述第一层上并且包括第二凸起。所述第二凸起的底部的长度小于所述第一凸起的底部的长度。功能层设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。

公开(公告)号：CN103682008A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310331614.3

申请日：2013-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉田学史 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。一种氮化物半导体晶片包括硅衬底、层叠的多层单元、含硅单元和上层单元。所述硅衬底具有主表面。所述层叠的多层单元在所述主表面上提供。所述层叠的多层单元包括N个缓冲层。所述缓冲层包括第i缓冲层和在所述第i缓冲层上提供的第(i+1)缓冲层。所述第i缓冲层在平行于所述主表面的第一方向上具有第i晶格长度Wi。所述第(i+1)缓冲层在所述第一方向上具有第(i+1)晶格长度W(i+1)。所有所述缓冲层满足关系(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008。所述含硅单元在所述层叠的多层单元上提供。所述上层单元在所述含硅单元上提供。

公开(公告)号：CN103681794A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310206392.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田佳幸 ,  彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  洪洪 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L29/205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体晶片、半导体器件和用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种半导体晶片包括衬底、AlN缓冲层、基础层、第一高Ga成分层、高Al成分层、低Al成分层、中间单元和第二高Ga成分层。所述第一层在所述基础层上提供。所述高Al成分层在所述第一层上提供。所述低Al成分层在所述高Al成分层上提供。所述中间单元在所述低Al成分层上提供。所述第二层在所述中间单元上提供。所述第一层具有第一拉伸应变以及所述第二层具有大于所述第一拉伸应变的第二拉伸应变。备选地，所述第一层具有第一压缩应变，所述第二层具有小于所述第一压缩应变的第二压缩应变。

公开(公告)号：CN102104107B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201010274434.2

申请日：2010-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  佐藤高洋 ,  三石巌 ,  布上真也

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括用于发射第一光的半导体发光元件、安装构件、第一和第二波长转换层以及透明层。所述第一波长转换层被设置在所述元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述半导体发光元件被设置在所述第二波长转换层与所述第一波长转换层之间。所述第二波长转换层吸收所述第一光并发射第三光，所述第三光的波长大于所述第一光的波长。所述透明层被设置在所述元件与所述第二波长转换层之间。所述透明层对所述第一、第二和第三光透明。

公开(公告)号：CN102157648A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010275566.7

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 名古肇 ,  橘浩一 ,  彦坂年辉 ,  木村重哉 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。

公开(公告)号：CN102104106A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010274406.0

申请日：2010-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  佐藤高洋 ,  三石巌 ,  布上真也

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L24/29 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。