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公开(公告)号：CN116779667A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210811216.0
申请日：2022-07-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778
Abstract: 实施方式提供具有电流感测功能的氮化物半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，被设于第一氮化物半导体层上；漏极电极，具有多个漏极指部；源极电极，具有多个源极指部和与源极指部电连接的开尔文源极部；感测电极，位于漏极指部与开尔文源极部之间；以及栅极电极，位于漏极指部与源极指部之间和漏极指部与感测电极之间。感测电极与开尔文源极部经由基于第二方向上的感测电极与开尔文源极部的间隔的感测电阻而电连接。
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公开(公告)号：CN115084258A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110878873.2
申请日：2021-08-02
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/40
Abstract: 半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，与第一氮化物半导体层相比带隙大；第一电极及第二电极，设置于第二氮化物半导体层的上方；第一绝缘膜，设置于第二氮化物半导体层的上方的、第一电极与第二电极之间，与第二氮化物半导体层接触，并包含第一绝缘材料；第二绝缘膜，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二氮化物半导体层的上方、第一绝缘膜的上方及第一绝缘膜与第二电极之间的第二氮化物半导体层的上方，并包含第二绝缘材料；第三电极，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二绝缘膜的上方；以及第四电极，具有第一电极部和第二电极部。
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公开(公告)号：CN110277448A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810946471.X
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 实施方式提供一种抑制了在恢复动作时产生破坏的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的基底区域，形成在上述第1半导体区域之上；多个栅极电极，贯通上述基底区域而到达上述第1半导体区域；多个栅极绝缘膜，形成于上述多个栅极电极的每个栅极电极的周围；第1区域，是处于上述多个栅极绝缘膜之间的多个区域中的形成有第1导电型的源极区域的区域；第2区域，在上述多个区域中，位于上述第1区域的末端区域，未形成有上述源极区域；第1宽度的第1接触部，形成于上述第1区域，将上述基底区域与源极电极电连接；以及比上述第1宽度宽的第2宽度的第2接触部，形成于上述第2区域，将上述基底区域与上述源极电极电连接。
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公开(公告)号：CN102790155A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210048487.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN102790147A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210017269.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114172123B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110029580.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。
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公开(公告)号：CN117728655A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211642084.X
申请日：2022-12-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H02M1/088 , H02M1/32 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/498
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一晶体管、包含第二晶体管的第一驱动电路、及包含第三晶体管的第二驱动电路。第二晶体管以及第三晶体管以串联的方式连接，其连接节点连接于第一晶体管的栅极电极。所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管是形成于包含GaN的第一基板的常关型的MOS型的HEMT。所述第一驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行充电。所述第二驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行放电。
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公开(公告)号：CN117690949A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211657322.4
申请日：2022-12-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/78
Abstract: 实施方式涉及氮化物半导体装置。实施方式的氮化物半导体装置具备：具有异质结的第一半导体层；设于所述第一半导体层上且具有另一异质结的第二半导体层；设于所述第二半导体层上的漏极电极；设于所述第一半导体层上的源极电极；栅极电极，设于所述第一半导体层上，配置于所述漏极电极与所述源极电极之间；以及第一绝缘膜，在所述栅极电极与所述漏极电极之间覆盖所述第一半导体层以及所述第二半导体层而设置。所述第二半导体层与所述栅极电极分离地配置。从所述第二半导体层的端部到所述栅极电极的端部的第一距离比从所述漏极电极的端部到所述栅极电极的端部的第二距离短。
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公开(公告)号：CN111697063B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910609701.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/778
Abstract: 实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备第一氮化物半导体层(3)即沟道层，位于第一氮化物半导体层(3)之上且带隙比第一氮化物半导体层第二氮化物半导体层(4)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第一电极(5)即源极电极；位于第一氮化物半导体层(3)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第二电极(7)即漏极电极；位于第一电极(5)与第二电极(7)之间的栅极电极(6)；位于第二氮化物半导体层上且高度与栅极电极(6)相同的第一场板电极(8)；以及位于第一场板电极(8)与第二电极(7)之间的第二场板电极(9)。(3)大的第二氮化物半导体层(4)即阻挡层；位于
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公开(公告)号：CN115188815A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110842710.9
申请日：2021-07-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417
Abstract: 提供降低了输出电容的半导体装置，具备：基板；第一氮化物半导体层，设置于基板上；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，带隙比第一氮化物半导体层大；第一布线，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿第一方向延伸；第一源极电极及第一栅极电极，设置于第二氮化物半导体层的上方并沿第二方向延伸，第一源极电极与第一布线电连接；及第一漏极电极，具有：沿第二方向延伸的第一至第三漏极布线及第一元件分离区域，在第三漏极布线上设置有包括第一孔、与第一孔相比距第三漏极布线的前端远的第二孔和与第二孔相比距第三漏极布线的前端远的第三孔的第一多个孔，第一孔与第二孔的第一距离比第二孔与第三孔的第二距离短。
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