公开(公告)号：CN101022132A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200710087967.8

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  沼田敏典 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件，其中包括在多个表面上具有沟道的多栅极MIS晶体管，在绝缘膜(12)上的沿给定方向形成的岛状半导体层(21)的侧表面上的栅极绝缘薄膜(23)上形成栅电极(24)，并且形成源电极/漏电极(27a、27b)使其与半导体层(21)接触。半导体层(21)沿给定方向具有多个侧表面。由相邻的侧表面形成的所有的角均大于90°。垂直于给定方向的截面为垂直和水平对称。

公开(公告)号：CN1156888C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00133856.0

申请日：2000-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤力 ,  松尾美惠 ,  水岛一郎 ,  網岛祥隆 ,  高木信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  G02B6/10

CPC classification number: H01L27/10805 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/122 ,  G02B6/1225 ,  G02B2006/12097 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78639

Abstract: 在半导体衬底表面二维排列形成多个沟槽后，对半导体衬底实施热处理，将上述多个沟槽变为一个平板状空洞。

公开(公告)号：CN100517759C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710087967.8

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  沼田敏典 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件，其中包括在多个表面上具有沟道的多栅极MIS晶体管，在绝缘膜(12)上的沿给定方向形成的岛状半导体层(21)的侧表面上的栅极绝缘薄膜(23)上形成栅电极(24)，并且形成源电极/漏电极(27a、27b)使其与半导体层(21)接触。半导体层(21)沿给定方向具有多个侧表面。由相邻的侧表面形成的所有的角均大于90°。垂直于给定方向的截面为垂直和水平对称。

公开(公告)号：CN100578797C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200710198916.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684

Abstract: 半导体器件包括绝缘层(2)，以及被形成于绝缘层(2)上的，具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管，其中n沟道MIS晶体管的n沟道是由具有沟道长度方向上单轴拉伸应变的Si层(10)形成，p沟道MIS晶体管的p沟道是由具有沟道长度方向上单轴压缩应变的SiGe或Ge层(20)形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为 方向。

公开(公告)号：CN100463192C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200610087750.2

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入沢寿史 ,  沼田敏典 ,  手塚勉 ,  杉山直治 ,  高木信一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件包括形成在绝缘层(12)上的半导体层上的n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的沟道由具有双轴拉应变的应变硅层(22)构成，而p沟道MIS晶体管的沟道由沿沟道长度方向具有单轴压应变的应变硅锗层(31)构成。

公开(公告)号：CN101202288A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710198916.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684

Abstract: 半导体器件包括绝缘层(2)，以及被形成于绝缘层(2)上的，具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管，其中n沟道MIS晶体管的n沟道是由具有沟道长度方向上单轴拉伸应变的Si层(10)形成，p沟道MIS晶体管的p沟道是由具有沟道长度方向上单轴压缩应变的SiGe或Ge层(20)形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为 方向。

公开(公告)号：CN1873990A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610087750.2

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入沢寿史 ,  沼田敏典 ,  手塚勉 ,  杉山直治 ,  高木信一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件包括形成在绝缘层(12)上的半导体层上的n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的沟道由具有双轴拉应变的应变硅层(22)构成，而p沟道MIS晶体管的沟道由沿沟道长度方向具有单轴压应变的应变硅锗层(31)构成。

公开(公告)号：CN1323056A

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN00133856.0

申请日：2000-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤力 ,  松尾美惠 ,  水岛一郎 ,  網岛祥隆 ,  高木信一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/10805 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/122 ,  G02B6/1225 ,  G02B2006/12097 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78639

Abstract: 在半导体衬底表面二维排列形成多个沟槽后,对半导体衬底实施热处理,将上述多个沟槽变为一个平板状空洞。