公开(公告)号：CN102024495B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010135747.X

申请日：2010-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 板垣清太郎 ,  福住嘉晃 ,  岩田佳久

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/26 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11578 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法。一种非易失性半导体存储器装置包括：存储器基元阵列，其具有多个存储器串，每一个所述存储器串具有串联连接的多个存储器基元；以及控制电路，其被配置为执行读取操作以从在所述多个存储器串当中的被选择的存储器串中所包括的所述存储器基元读取数据。在所述读取操作期间，所述控制电路被配置为向不进行所述读取操作的未选择的存储器串中的所述存储器基元中的至少一个存储器基元的栅极施加第一电压，并向不进行所述读取操作的所述未选择的存储器串中的所述存储器基元中的另一存储器基元的栅极施加低于所述第一电压的第二电压。

公开(公告)号：CN100416835C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510004780.8

申请日：2002-02-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  大泽隆 ,  山田敬

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/7841 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4085 ,  G11C11/4087 ,  G11C2211/4016 ,  H01L23/544 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/1203 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件，具有用于构成多个存储单元的多个MIS晶体管，其特征在于：各MIS晶体管包括：半导体层，在上述半导体层上形成的源极区域，在上述半导体层上与上述源极区域分离形成的漏极区域，使得上述源极区域和上述漏极区域之间的上述半导体层成为浮动状态的沟道体，设置在上述源极区域和上述漏极区域之间、用于在上述沟道体内、于上述源极区域和上述漏极区域之间形成沟道的主栅极，和为了通过电容耦合控制上述沟道体的电位、与上述主栅极分别设置的辅助栅极，该辅助栅极与上述主栅极同步驱动，并且上述MIS晶体管具有将上述沟道体设定在第1电位的第1数据状态和将上述沟道体设定在第2电位的第2数据状态。

公开(公告)号：CN1305140C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200310123576.9

申请日：2003-12-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/14 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 磁性随机访问存储器具有存储器单元阵列，在所述存储器单元阵列中，通过多个利用磁电阻效应的磁电阻元件构成一个模块，并且多个模块被安排在行和列方向，磁性随机访问存储器包含安排在第一模块中的多个第一磁电阻元件，多个第一字线，其中每个第一字线被独立连接到第一磁电阻元件中的对应一个的一个端子，并且在行方向延伸，共连到第一磁电阻元件的每个的另一个端子的第一读子位线，其第一电流路径具有连接到第一读子位线的一端的第一块选择开关，和被连接到第一电流路径的另一端并且在列方向延伸的第一读主位线。

公开(公告)号：CN1452174A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02151651.0

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 天野実 ,  岸達也 ,  与田博明 ,  斉藤好昭 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  西山胜哉 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/00

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。

公开(公告)号：CN1433020A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03102766.0

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岸逹也 ,  天野実 ,  齐藤好昭 ,  高橋茂樹 ,  西山勝哉 ,  浅尾吉昭 ,  與田博明 ,  上田知正 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。

公开(公告)号：CN1375874A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02107184.5

申请日：2002-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀口文男 ,  大泽隆 ,  岩田佳久 ,  山田敬

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/404 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10841 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7841

Abstract: 半导体存储器件的各个MIS晶体管具备:半导体层(12);在半导体层上形成的源区(15);在半导体层上与上述源区分离开形成的漏区(14),使源区和漏区之间的半导体层变成为浮置状态的沟道体;用来在沟道体上形成沟道的第1栅极(13);用来借助于电容耦合控制沟道体电位的第2栅极(20);和在沟道体的第2栅极一侧形成的高浓度区(21),具有比沟道体的杂质浓度还高的杂质浓度。

公开(公告)号：CN105976854A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510547973.1

申请日：2015-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫崎隆行 ,  市原玲华 ,  杉前纪久子 ,  岩田佳久

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C7/12 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/77

Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。一种半导体存储装置包括可变电阻元件作为存储元件，该可变电阻元件根据施加的电压的极性和大小更改电阻值。半导体存储装置包括待命模式，在待命模式中，电源电压或接地电压被施加到字线和位线这两者上。半导体存储装置包括数据写入模式，在数据写入模式中，在字线和位线之间施加等于或大于第一电压的电压差。半导体存储装置包括读取模式，在读取模式中，通过仅更改在待命模式中施加的字线和位线的一个电压，在字线和位线之间施加小于第一电压的电压差，并且读取被写入存储元件的数据。

公开(公告)号：CN101911205B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200880122883.6

申请日：2008-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C11/5614 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括：基元阵列，其具有以矩阵状设置的多个存储器基元，每一个存储器基元包括可变电阻器，所述可变电阻器的电阻可逆地变化以存储与所述可变电阻器的电阻对应的数据；选择电路，其操作为从所述基元阵列选择存储器基元；以及写入电路，操作为对由所述选择电路选择的所述存储器基元执行特定的电压或电流供给，以使在所述选择的存储器基元中的可变电阻器的电阻变化，从而擦除或写入数据。当在所述选择的存储器基元中流动的电流达到在所述数据擦除或写入之后出现的特定水平时，所述写入电路根据在所述选择的存储器基元中的所述可变电阻器的电阻变化状况来终止对所述选择的存储器基元的所述电压或电流供给。

公开(公告)号：CN100470664C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN02151651.0

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 天野実 ,  岸達也 ,  与田博明 ,  斉藤好昭 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  西山胜哉 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/00

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。

公开(公告)号：CN100412984C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN03145438.0

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  东知辉

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁随机存取存储器，具备：存储器单元阵列，具有利用磁致电阻效应来存储数据的多个存储器单元在第1方向上排列，且上述多个存储器单元的一端连接到公共电极上的存储器单元块；第1功能线，在上述存储器单元阵列内沿上述第1方向延伸，且连接到上述公共电极上；多个第2功能线，对应于上述多个存储器单元而设置，在上述存储器单元阵列内沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸，且分别直接连接到上述多个存储器单元的另一端上；和第3功能线，离开上述多个存储器单元并与上述第1功能线绝缘，且在上述多个存储器单元中共用，被用于针对上述存储器单元的数据写入。