公开(公告)号：CN1375874A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02107184.5

申请日：2002-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀口文男 ,  大泽隆 ,  岩田佳久 ,  山田敬

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/404 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10841 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7841

Abstract: 半导体存储器件的各个MIS晶体管具备:半导体层(12);在半导体层上形成的源区(15);在半导体层上与上述源区分离开形成的漏区(14),使源区和漏区之间的半导体层变成为浮置状态的沟道体;用来在沟道体上形成沟道的第1栅极(13);用来借助于电容耦合控制沟道体电位的第2栅极(20);和在沟道体的第2栅极一侧形成的高浓度区(21),具有比沟道体的杂质浓度还高的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1344029A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN01132802.9

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀口文男 ,  大泽隆

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明的半导体存储器包括:源扩散层(形成在半导体衬底上。与固定电位线连接);柱状半导体层(按阵列状配置,形成于源扩散层上。一端与源扩散层连接。通过该源扩散层使柱状半导体层的规定的半导体层之间共同连接。具有积蓄过剩多个载流子的第一阈值电压的第1数据状态和释放过剩多个载流子的第2阈值电压的第2数据状态。);漏扩散层(形成在柱状半导体层的另一端);和栅电极(通过栅绝缘膜与柱状半导体层对置,与字线连接);字线(与栅电极连接);位线(连接到漏扩散层,其中该位线与字线正交)。

公开(公告)号：CN1215560C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02107184.5

申请日：2002-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀口文男 ,  大泽隆 ,  岩田佳久 ,  山田敬

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/404 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10841 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7841

Abstract: 半导体存储器件的各个MIS晶体管具备：半导体层(12)；在半导体层上形成的源区(15)；在半导体层上与上述源区分离开形成的漏区(14)，使源区和漏区之间的半导体层变成为浮置状态的沟道体；用来在沟道体上形成沟道的第1栅极(13)；用来借助于电容耦合控制沟道体电位的第2栅极(20)；和在沟道体的第2栅极一侧形成的高浓度区(21)，具有比沟道体的杂质浓度还高的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1199280C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01132802.9

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀口文男 ,  大泽隆

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明的半导体存储器包括：源扩散层(形成在半导体衬底上。与固定电位线连接)；柱状半导体层(按阵列状配置，形成于源扩散层上。一端与源扩散层连接。通过该源扩散层使柱状半导体层的规定的半导体层之间共同连接。具有积蓄过剩多个载流子的第一阈值电压的第1数据状态和释放过剩多个载流子的第2阈值电压的第2数据状态。)；漏扩散层(形成在柱状半导体层的另一端)；和栅电极(通过栅绝缘膜与柱状半导体层对置，与字线连接)；字线(与栅电极连接)；位线(连接到漏扩散层，其中该位线与字线正交)。