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公开(公告)号：CN113437173B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010944838.1
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。
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公开(公告)号：CN112820794A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010944839.6
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供一种能够提高性能的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括：包括光电二极管的多个元件。所述多个元件的至少一部分分别包括结构体，该结构体包围所述光电二极管且具有与所述光电二极管不同的折射率。各个所述结构体的至少一部分相互分离。
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公开(公告)号：CN113437173A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010944838.1
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。
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公开(公告)号：CN101277396A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810082196.8
申请日：2008-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/14649 , G01J5/0245 , G01J5/20
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，进行热重置处理并消除1/f噪声和固定图形的各像素的偏差。该固体摄像装置具备：像素(3)，与半导体基板热分离；恒流源(60)；信号线(6)，传输流过像素的恒流的电压；导热开关，通过另一端与半导体基板接触切换到像素与半导体基板热绝缘的第1状态，或者通过另一端与像素接触切换到像素被半导体基板热短路的第2状态；信号检测部(7)，与信号线电容耦合，在第1状态下保持与信号线上的信号(Vs1＝Vdd－Vd0+dVsh+dV)相对应的基准电压(Vc1)，在第2状态下检测基准电压减去与入射光相对应的电压成分(dV′)的第2电压(Vc1－Vd′－dVsh′)。
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公开(公告)号：CN101221969A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810002890.4
申请日：2008-01-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146 , H04N9/04
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 提供一种像素尺寸的微细化容易、且具有高灵敏度及低噪声的背面照射型单片彩色固体摄像元件。其包括：半导体基板；像素区域部，通过将像素以矩阵状配置于所述半导体基板上而形成；读取单元，从所述像素读取电信号；和滤色器阵列，设置于所述像素区域部的入射光侧，通过将对应于多个所述像素的单位块重复配置而形成；所述像素区域部包括：光电变换部，在所述半导体基板中设置于所述入射面侧；传输晶体管，对每个所述光电变换部设置；和像素读取电路，在所述半导体基板中配置于与所述入射面相反的一面侧；所述像素读取电路选择性地被配置在由共有所述像素读取电路的多个所述像素构成的读取块中的一部分像素上。
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公开(公告)号：CN119521712A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410175641.4
申请日：2024-02-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体部件、第2半导体部件、第1化合物部件以及第1绝缘部件。第1半导体部件包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1＜1)。第2半导体部件包含Alx2Ga1‑x2N(0＜x2≤1、x1＜x2)。第1化合物部件包含Alz1Ga1‑z1N(0＜z1≤1、x2＜z1)。第1化合物部件的第3区域包含晶体。第1绝缘部件的第1绝缘部分的至少一部分以及第1绝缘部件的第2绝缘部分的至少一部分为非晶质。
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公开(公告)号：CN112447774B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202010160103.X
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/144 , G01S17/894 , G01S17/931 , G01S7/4861 , G01S7/4913 , G01S7/481
Abstract: 提供能够提高性能的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括导电层、第1元件、第2元件、导电性的第1构件、第1绝缘部及第2绝缘部。导电层包括第1导电部分及第2导电部分。第1构件设置于第1元件与第2元件之间。第1构件与导电层电连接。第1绝缘部设置于第1元件与第1构件之间。第2绝缘部设置于第2元件与第1构件之间。
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公开(公告)号：CN105448941A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510530580.X
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施方式的半导体装置具有多个像素。所述多个像素分别包括光电转换部、第一杂质扩散区、电压供给线、第二杂质扩散区、电位障壁部和检测部。第一杂质扩散区对由所述光电转换部光电转换出的电荷进行保持。第二杂质扩散区与所述电压供给线相连接。电位障壁部在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间形成恒定的电位障壁，限制电荷在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间移动。检测部检测所述第一杂质扩散区所保持的电荷。
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公开(公告)号：CN112614899A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202010160592.9
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/02 , H01L23/64 , H01L23/62 , H01L25/16 , H01L31/107 , G01S17/08 , G01S17/894 , G01S7/486 , G01S7/4912
Abstract: 提供能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及淬灭电阻。所述元件包括光电二极管。所述淬灭电阻与所述元件电连接，并且包括元件、半导体构件及互相分离地设置且与所述半导体构件电连接的多个第1金属构件。根据上述构成的光检测器，能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性。
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