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公开(公告)号：CN104465697A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410408858.1
申请日：2014-08-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/32 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L2029/42388
Abstract: 一种显示设备，包括第一电极、第二电极、有机发光层、第一晶体管、以及第二晶体管。该第一晶体管包括第一半导体层、第一导电单元、第二导电单元、第一栅电极、以及第一栅绝缘膜。该第二晶体管包括第二半导体层、第三导电单元、第四导电单元、第二栅电极、以及第二栅绝缘膜。该第一栅绝缘膜内包含的氢的量大于该第二栅绝缘膜内包含的氢的量。
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公开(公告)号：CN104064566A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410078469.7
申请日：2014-03-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 根据一个实施例，显示器件包括基板单元、薄膜晶体管、像素电极、以及显示层。基板单元包括基板、设置在基板上的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。薄膜晶体管设置在基板单元上，并且包括设置在第二绝缘层上的栅电极、与栅电极分开的具有氧化物的半导体层、设置在栅电极和半导体层之间的栅极绝缘层、第一导电部分、第二导电部分、以及第三绝缘层。像素电极连接到选自第一和第二导电部分中的一个。显示层被配置成具有根据提供给像素电极的电荷而发生的光发射或者光学特性的变化。
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公开(公告)号：CN103681872A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310085212.X
申请日：2013-03-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/1033
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管和显示装置。根据一个实施例，显示装置包括薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括栅绝缘膜、半导体层、栅电极、第一和第二沟道保护膜、第一和第二导电层、和钝化膜。该半导体层被设置在该栅绝缘膜的主表面上。该半导体层包括第一到第七部分。该栅绝缘膜被部署在该半导体层和该栅电极之间。第一沟道保护膜覆盖第三部分。该第二沟道保护膜覆盖该第五部分和第四部分、以及第一沟道保护膜的上表面。该第一导电层覆盖第六部分。该第二导电层覆盖第七部分。该钝化膜覆盖该第一和第二部分、第一和第二导电层、以及第二沟道保护膜。
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公开(公告)号：CN111834980A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010156175.7
申请日：2020-03-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 目的是提供一种电流断路装置及晶体管选定方法。本发明的实施方式涉及电流断路装置及晶体管选定方法。电流断路装置具备：常闭的第1晶体管，切换是否将电流路径断路；以及控制器，控制上述第1晶体管的栅极电压，以使得在上述电流路径中没有流过过电流的情况下使上述第1晶体管在放大区域中动作，在上述电流路径中流过过电流的情况下使上述第1晶体管在饱和区域中动作，将上述电流路径断路。
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公开(公告)号：CN102693999B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110285393.1
申请日：2011-09-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/3233 , G09G2300/0408 , G09G2300/08
Abstract: 根据一个实施例，显示装置包括绝缘层、显示单元和有机EL层。显示单元被设置在绝缘层的主表面上并且包含多条栅极线、多条信号线、多条电源线以及排列成矩阵结构的多个像素单元。有机EL层被设置在显示单元上。每个像素单元包含驱动晶体管和电阻器。驱动晶体管包含驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极。驱动源电极或驱动漏电极被连接到多条电源线中的一条信号线。电阻器的一端被连接到驱动栅电极。电阻器的另一端被连接到栅极线、信号线和电源线中的一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103378312A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210359267.0
申请日：2012-09-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5231 , H01L27/3262 , H01L51/5259 , H01L51/5284
Abstract: 本发明涉及一种显示装置。根据一个实施例，显示装置包括透光衬底、透光像素电极、开关元件、有机发光层、透光相对电极、导电光吸收层和导电膜。透光像素电极设置在衬底上。开关元件设置在衬底上并且电连接至像素电极。有机发光层设置在像素电极上。透光相对电极设置在有机发光层上。导电光吸收层设置在相对电极上。导电膜设置在光吸收层上。
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公开(公告)号：CN104465698A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410421515.9
申请日：2014-08-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/003
Abstract: 根据一个实施例，公开了一种用于制造显示设备的方法。该方法可包括在衬底上形成第一树脂层。该方法可包括在第一树脂层上形成显示层。显示层包括在与第一树脂层和显示层的层叠方向垂直的方向中布置的多个像素。每个像素包括设置在第一树脂层上的第一电极、设置在第一电极上的有机发光层、以及设置在有机发光层上的第二电极。方法可包括将第二树脂层经由接合层接合到显示层上。该方法可包括移除衬底。该方法可包括增加接合层的密度。
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公开(公告)号：CN104037362A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410074883.0
申请日：2014-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/3246 , H01L51/003 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2251/566
Abstract: 本发明根据一个实施例，公开了一种用于制造显示元件的方法。所述方法可以包括形成剥离层、形成树脂层、形成阻挡层、形成互连层、形成显示层以及去除。剥离层形成在基体的主表面上。主表面具有第一、第二和第三区域。剥离层包括第一、第二和第三剥离部分。树脂层形成在剥离层上。树脂层包括第一和第二树脂部分。阻挡层形成在第一、第二和第三剥离部分上。互连层形成在阻挡层上。显示层形成在互连层上。从第一树脂部分去除第一剥离部分，从第二树脂部分去除第二剥离部分。
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公开(公告)号：CN103681689A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310082176.1
申请日：2013-03-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0041 , H01L27/1225 , H01L27/3276 , H01L29/7869 , H01L51/5265
Abstract: 根据一个实施例，显示设备包括：第一绝缘层、第二绝缘层、像素电极、发光层、相对电极、和像素电路。在该第一绝缘层上设置该第二绝缘层。在该第二绝缘层上设置该像素电极，且该像素电极是透光的。该发光层设置在该像素电极上。相对电极设置在发光层上。电路被设置在该第一绝缘层和该第二绝缘层之间，该电路包括被提供有驱动电流的互连，且该电路被配置为向像素电极提供驱动电流。该电路连接至像素电极。当被投影到与第一绝缘层平行的平面上时，该互连具有覆盖该像素电极的第一区。该互连在该第一区内具有开口。
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公开(公告)号：CN103426898A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310052204.5
申请日：2013-02-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/32 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: 根据一个实施例，一种显示装置包括衬底、薄膜晶体管、钝化膜、氢阻挡膜、像素电极、有机发光层、相对电极和密封膜。在所述衬底的主表面上设置所述薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分。在所述薄膜晶体管上设置所述钝化膜。在所述钝化膜上设置所述氢阻挡膜。所述像素电极电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述相对电极设置在所述有机发光层上。在所述氢阻挡膜和所述相对电极上设置所述密封膜。
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