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公开(公告)号：CN101154709A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161358.2
申请日：2007-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F41/307 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物。通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。
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公开(公告)号：CN101154709B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710161358.2
申请日：2007-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F41/307 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物。通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。
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公开(公告)号：CN100419905C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410061664.5
申请日：2004-06-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明的磁随机存取存储器设备使“0”、“1”的信息与具有非磁性层和2层磁性层的MTJ元件的因2层磁性层的磁化排列状态而变化的电阻值对应。在与MTJ元件接近配置的写入布线中流过电流而产生感应磁通，并使MTJ元件的2层磁性层中的一个的记录层的磁化变化而写入信息的MRAM中，MTJ元件是2层磁性层的磁化方向朝向膜面垂直方向的垂直型的MTJ元件。写入布线被配置在与MTJ元件的厚度方向垂直的方向上，在MTJ元件的磁性层的磁化方向上施加产生的磁场。磁轭从厚度方向夹着MTJ元件，向MTJ元件的磁性层施加基于写入布线而产生的磁场。
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公开(公告)号：CN101162756A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710141632.X
申请日：2007-08-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。
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公开(公告)号：CN102176510A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110103692.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101308901A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810109276.8
申请日：2008-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
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公开(公告)号：CN102856489B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210097760.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。
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公开(公告)号：CN102176510B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110103692.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
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公开(公告)号：CN102856489A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210097760.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。
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公开(公告)号：CN100580968C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710141632.X
申请日：2007-08-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。
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