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公开(公告)号：CN104465698A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410421515.9
申请日：2014-08-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/003
Abstract: 根据一个实施例，公开了一种用于制造显示设备的方法。该方法可包括在衬底上形成第一树脂层。该方法可包括在第一树脂层上形成显示层。显示层包括在与第一树脂层和显示层的层叠方向垂直的方向中布置的多个像素。每个像素包括设置在第一树脂层上的第一电极、设置在第一电极上的有机发光层、以及设置在有机发光层上的第二电极。方法可包括将第二树脂层经由接合层接合到显示层上。该方法可包括移除衬底。该方法可包括增加接合层的密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104037362A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410074883.0
申请日：2014-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/3246 , H01L51/003 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2251/566
Abstract: 本发明根据一个实施例，公开了一种用于制造显示元件的方法。所述方法可以包括形成剥离层、形成树脂层、形成阻挡层、形成互连层、形成显示层以及去除。剥离层形成在基体的主表面上。主表面具有第一、第二和第三区域。剥离层包括第一、第二和第三剥离部分。树脂层形成在剥离层上。树脂层包括第一和第二树脂部分。阻挡层形成在第一、第二和第三剥离部分上。互连层形成在阻挡层上。显示层形成在互连层上。从第一树脂部分去除第一剥离部分，从第二树脂部分去除第二剥离部分。
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公开(公告)号：CN104465782A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410432014.0
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开了半导体元件、显示设备、半导体元件及显示设备的制造方法。一种半导体元件，包括半导体层、第一和第二导电单元、栅电极、和栅绝缘膜。半导体层包括第一部分、第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分。第一导电单元电连接至第一部分。第二导电单元电连接至第二部分。栅电极与第一导电单元、第二导电单元、和第三部分分离。栅电极与第三部分相对。栅绝缘膜设置在第三部分和栅电极之间。第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。
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公开(公告)号：CN104064691A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410073038.1
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L51/56 , H01L27/32 , H01L51/52 , G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/20 , H01L27/3246 , H01L51/003 , H01L51/56
Abstract: 根据一个实施例，本发明公开了制造显示装置的方法。所述方法可以包括将显示体接合于滤光体、照射光和分隔开。显示体包括第一支承单元和显示单元。第一支承单元包括第一基板、第一金属层和第一树脂层。显示单元具有第一区域和第二区域。滤光体包括第二支承单元和滤光单元。第二支承单元包括第二基板、第二金属层和第二树脂层。在接合时，显示单元和滤光单元被配置在第一基板和第二基板之间。光被照射到第一和第二金属层。第一基板从第一树脂层分隔开，并且第二基板从第二树脂层分隔开。
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公开(公告)号：CN104465697A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410408858.1
申请日：2014-08-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/32 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L2029/42388
Abstract: 一种显示设备，包括第一电极、第二电极、有机发光层、第一晶体管、以及第二晶体管。该第一晶体管包括第一半导体层、第一导电单元、第二导电单元、第一栅电极、以及第一栅绝缘膜。该第二晶体管包括第二半导体层、第三导电单元、第四导电单元、第二栅电极、以及第二栅绝缘膜。该第一栅绝缘膜内包含的氢的量大于该第二栅绝缘膜内包含的氢的量。
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公开(公告)号：CN104064566A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410078469.7
申请日：2014-03-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 根据一个实施例，显示器件包括基板单元、薄膜晶体管、像素电极、以及显示层。基板单元包括基板、设置在基板上的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。薄膜晶体管设置在基板单元上，并且包括设置在第二绝缘层上的栅电极、与栅电极分开的具有氧化物的半导体层、设置在栅电极和半导体层之间的栅极绝缘层、第一导电部分、第二导电部分、以及第三绝缘层。像素电极连接到选自第一和第二导电部分中的一个。显示层被配置成具有根据提供给像素电极的电荷而发生的光发射或者光学特性的变化。
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