公开(公告)号：CN114520180A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111355278.7

申请日：2021-11-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  吉田直子 ,  高本尚英 ,  杉村敏正 ,  中浦宏

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明涉及层叠薄膜以及半导体装置的制造方法。本发明的层叠薄膜层叠有间隔用粘接薄膜和切割带，所述间隔用粘接薄膜层叠有间隔层和粘接剂层，前述间隔层由树脂薄膜构成，该间隔层在温度260℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。

公开(公告)号：CN114520179A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111331477.4

申请日：2021-11-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 吉田直子 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  杉村敏正 ,  中浦宏

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/25

Abstract: 本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：切割带、在该切割带的一面重叠的粘接层、以及在该粘接层上重叠的间隔层，在70℃以上且150℃以下的范围的加热设定温度下的前述间隔层的弯曲刚度为0.1N·mm2以上。

公开(公告)号：CN112778924A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011215663.7

申请日：2020-11-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。提供一种切割带等，所述切割带具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，前述基材层的由差示扫描量热测定结果算出的体积结晶度为20J/cm3以上且120J/cm3以下，并且，前述基材层的厚度为80μm以上。

公开(公告)号：CN119852229A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411420583.3

申请日：2024-10-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田山义治 ,  中浦宏 ,  木村雄大

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/30 ,  C09J163/04 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/20 ,  C09J133/08 ,  C09J161/06

Abstract: 提供芯片接合片和切割芯片接合薄膜。本发明的芯片接合片包含热塑性树脂作为有机成分，前述热塑性树脂包含质均分子量为8万以下的丙烯酸系聚合物，前述芯片接合片在80℃下的熔融粘度为30kPa·s以下。

公开(公告)号：CN118146734A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311630848.8

申请日：2023-12-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 入江瞳 ,  中浦宏

IPC: C09J7/30 ,  H01L21/683 ,  C09J133/00 ,  C09J11/04 ,  C09J161/06

Abstract: 本发明涉及粘接薄膜、切割芯片接合薄膜、以及光半导体装置。本发明的粘接薄膜粘接于光半导体元件而使用，包含热塑性树脂、热固性树脂、第1无机填充材料和第2无机填充材料，前述第1无机填充材料呈现白色～浅色，前述第2无机填充材料呈现深色～黑色，前述第1无机填充材料的含量C1相对于前述第2无机填充材料的含量C2之比CR(C1/C2)满足0

公开(公告)号：CN114573909A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111420045.0

申请日：2021-11-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中浦宏 ,  宍户雄一郎 ,  杉村敏正 ,  高本尚英

IPC: C08L23/10 ,  C08L23/08 ,  C08J5/18 ,  C09J7/29 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  B32B27/08 ,  B32B27/32 ,  B32B27/30 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜。本发明的半导体晶圆搭载用基材在‑15℃下的断裂伸长率为300％以上、并且在‑15℃下的断裂强度为20N以上。

公开(公告)号：CN114517065A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111339140.8

申请日：2021-11-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 吉田直子 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  杉村敏正 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：层叠片，其具有用于粘接于被粘物的粘接层和重叠于该粘接层的间隔层；以及切割带，其与前述层叠片的前述粘接层重叠且用于保持前述层叠片，前述层叠片在室温下的弯曲刚度为0.05N·mm2以上。

公开(公告)号：CN112778921A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011171730.X

申请日：2020-10-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J175/14 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，前述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，前述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的前述基材层的弹性模量与前述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm2以下。

公开(公告)号：CN112778924B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202011215663.7

申请日：2020-11-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。提供一种切割带等，所述切割带具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，前述基材层的由差示扫描量热测定结果算出的体积结晶度为20J/cm3以上且120J/cm3以下，并且，前述基材层的厚度为80μm以上。

公开(公告)号：CN119495663A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411076411.9

申请日：2024-08-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中浦宏 ,  入江瞳

IPC: H01L23/495

Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜和半导体装置。本发明所述的芯片接合薄膜是包含热固性树脂作为有机成分的芯片接合薄膜，在热固化后，150℃下的储能模量为200MPa以上，该芯片接合薄膜在被覆接合于镀银的铜引线框的状态下，在温度为85℃且相对湿度为60％RH的环境下暴露168小时后，在260℃下相对于前述镀银的铜引线框而言的剪切粘接力为3MPa以上。