切割芯片接合薄膜
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113004817A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202011446409.8

    申请日:2020-12-09

    Abstract: 本发明涉及切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割芯片接合薄膜具备在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层,所述切割芯片接合薄膜的汉森溶解度参数距离Ra为3以上且14以下,所述汉森溶解度参数距离Ra是使用由三维坐标表示的前述粘合剂层的汉森溶解度参数(δdA、δpA、δhA)和由三维坐标表示的前述芯片接合层的汉森溶解度参数(δdD、δpD、δhD)而算出的。

    双面粘合片
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110945097A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201880048789.4

    申请日:2018-07-03

    Abstract: 本发明提供一种具备发泡体基材且自被粘物的剥离性优异的双面粘合片。通过本发明所提供的粘合片是第一表面及第二表面均形成粘合面的双面粘合片,所述双面粘合片包含:片状的发泡体基材、配置在上述发泡体基材的第一面侧的第一覆盖部、及配置在上述发泡体基材的第二面侧的第二覆盖部。上述第一覆盖部包含在上述第一表面露出的粘合剂层、及与该粘合剂层结合而设置的加强层。上述第二覆盖部包含在上述第二表面露出的粘合剂层。

    粘合片
    4.
    发明公开
    粘合片 审中-实审

    公开(公告)号:CN118843669A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202380028848.2

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 本发明提供能够对极性粗糙面和非极性表面发挥充分的胶粘性的粘合片。本发明提供具有粘合剂层的粘合片。粘合剂层含有苯乙烯类嵌段共聚物和增粘树脂。另外,苯乙烯类嵌段共聚物的苯乙烯含量为10质量%~22质量%。此外,在23℃、压痕深度1μm条件下实施的基于纳米压痕法的负荷卸载试验中,粘合剂层表面具有小于0.15MPa的硬度。另外,粘合剂层中的有机溶剂残留量小于1000ppm。

    双面粘合片
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110945097B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201880048789.4

    申请日:2018-07-03

    Abstract: 本发明提供一种具备发泡体基材且自被粘物的剥离性优异的双面粘合片。通过本发明所提供的粘合片是第一表面及第二表面均形成粘合面的双面粘合片,所述双面粘合片包含:片状的发泡体基材、配置在上述发泡体基材的第一面侧的第一覆盖部、及配置在上述发泡体基材的第二面侧的第二覆盖部。上述第一覆盖部包含在上述第一表面露出的粘合剂层、及与该粘合剂层结合而设置的加强层。上述第二覆盖部包含在上述第二表面露出的粘合剂层。

    双面粘合带
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102268230A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201110157385.9

    申请日:2011-06-02

    Abstract: 本发明提供总厚度薄、具有发泡体层、并且再剥离性优良的双面粘合带。本发明的双面粘合带,其特征在于,总厚度为500μm以下,具有发泡体层、增强层以及作为两个表层的粘合剂层,并且至少一侧表层的粘合剂层由含有丙烯酸类聚合物、增粘树脂和交联剂的粘合剂组合物形成,所述丙烯酸类聚合物以具有碳原子数4~9的直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯作为必要单体成分而构成。

    切割芯片接合薄膜
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113004817B

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202011446409.8

    申请日:2020-12-09

    Abstract: 本发明涉及切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割芯片接合薄膜具备在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层,所述切割芯片接合薄膜的汉森溶解度参数距离Ra为3以上且14以下,所述汉森溶解度参数距离Ra是使用由三维坐标表示的前述粘合剂层的汉森溶解度参数(δdA、δpA、δhA)和由三维坐标表示的前述芯片接合层的汉森溶解度参数(δdD、δpD、δhD)而算出的。

    切割带及切割芯片接合薄膜

    公开(公告)号:CN112143405A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN202010558623.6

    申请日:2020-06-18

    Abstract: 本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明提供抑制浮起、并且拾取性优异的切割带等。本发明为切割带等,所述切割带具备:基材层、和层叠于该基材层的粘合剂层,前述粘合剂层含有具有聚合性不饱和键的紫外线固化型的聚合性聚合物,前述粘合剂层的紫外线固化的差示扫描量热测定中的每单位质量的发热量为19mJ/mg以上。

    切割带及切割芯片接合薄膜

    公开(公告)号:CN112143405B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202010558623.6

    申请日:2020-06-18

    Abstract: 本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明提供抑制浮起、并且拾取性优异的切割带等。本发明为切割带等,所述切割带具备:基材层、和层叠于该基材层的粘合剂层,前述粘合剂层含有具有聚合性不饱和键的紫外线固化型的聚合性聚合物,前述粘合剂层的紫外线固化的差示扫描量热测定中的每单位质量的发热量为19mJ/mg以上。

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