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公开(公告)号：CN108735651A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810345580.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供适合在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片使用切割芯片接合薄膜(DDAF)的扩展工序中使切割带上的粘接剂层良好地割断并对割断后的带有粘接剂层的半导体芯片实现良好的拾取的切割芯片接合薄膜。DDAF具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具备含有第1丙烯酸类聚合物的粘合剂层(12)，第1丙烯酸类聚合物包含(甲基)丙烯酸月桂基酯和(甲基)丙烯酸2-羟乙基酯作为构成单体。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合，包含具有腈基的第2丙烯酸类聚合物。第2丙烯酸类聚合物的红外吸收光谱中来源于腈基的2240cm-1附近的峰的高度相对于来源于羰基的1730cm-1附近的峰的高度之比为0.01～0.1。
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公开(公告)号：CN109971376B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201811624812.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/40 , C09J133/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合薄膜，本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割胶带(10)、粘合粘接剂层(20)和隔膜(S)。切割胶带(10)具有基材(11)和该基材上的粘合剂层(12)。粘合粘接剂层(20)以能够剥离的方式密合于切割胶带(10)的粘合剂层(12)。隔膜(S)配置在粘合粘接剂层(20)上，且能够从粘合粘接剂层(20)剥离。粘合粘接剂层(20)的隔膜侧表面的表面自由能γs1为28～40mJ/m2。隔膜(S)的粘合粘接剂层侧表面的表面自由能γs2为14～35mJ/m2。两表面自由能之差γs1‑γs2为0～19mJ/m2。
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公开(公告)号：CN109309039B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201810843733.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法。本发明的芯片接合薄膜(10)的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。
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公开(公告)号：CN108735650B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201810343654.2
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供适合于通过扩展工序将粘接剂层良好割断的切割芯片接合薄膜。具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构，粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合。相对于在对由DDAF的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域(R1)切取的试验片(50mm×10mm)在初始夹具间距离20mm、‑15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的、在对由DDAF的比前述外侧区域(R1)更靠近内侧的内侧区域(R2)内切取的试验片(50mm×10mm)在同条件下的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的比值为0.9～1.1。
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公开(公告)号：CN109971376A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811624812.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/40 , C09J133/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合薄膜，本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割胶带(10)、粘合粘接剂层(20)和隔膜(S)。切割胶带(10)具有基材(11)和该基材上的粘合剂层(12)。粘合粘接剂层(20)以能够剥离的方式密合于切割胶带(10)的粘合剂层(12)。隔膜(S)配置在粘合粘接剂层(20)上，且能够从粘合粘接剂层(20)剥离。粘合粘接剂层(20)的隔膜侧表面的表面自由能γs1为28～40mJ/m2。隔膜(S)的粘合粘接剂层侧表面的表面自由能γs2为14～35mJ/m2。两表面自由能之差γs1‑γs2为0～19mJ/m2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108728003A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810345162.7
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合薄膜，其适合于使粘接剂层确保在扩展工序中的割断性并且实现对环形框等框构件的良好的粘合力。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。粘接剂层(20)的对宽度4mm的粘接剂层试样片在初始夹具间距离10mm、频率10Hz、动态应变±0.5μm、及升温速度5℃/分钟的条件下测定的-15℃下的拉伸储能模量为1000～4000MPa，并且在前述条件下测定的23℃下的拉伸储能模量为10～240MPa。
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公开(公告)号：CN108727999B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201810339937.X
申请日：2018-04-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J133/08 , C09J161/06 , C09J11/04 , H01L21/683
Abstract: 提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。
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公开(公告)号：CN108728000B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201810345577.4
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J133/20 , C09J175/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C08G18/62 , C08F220/18 , C08F220/20
Abstract: 本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。
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公开(公告)号：CN109309039A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810843733.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法。本发明的芯片接合薄膜(10)的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。
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公开(公告)号：CN108735650A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810343654.2
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供适合于通过扩展工序将粘接剂层良好割断的切割芯片接合薄膜。具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构，粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合。相对于在对由DDAF的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域(R1)切取的试验片(50mm×10mm)在初始夹具间距离20mm、-15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的、在对由DDAF的比前述外侧区域(R1)更靠近内侧的内侧区域(R2)内切取的试验片(50mm×10mm)在同条件下的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的比值为0.9～1.1。
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