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公开(公告)号：CN119126478A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202310698945.4
申请日：2023-06-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本申请涉及一种光学邻近修正方法、装置及掩膜版。所述方法包括：从待修正的设计图形中选择第一图形，第一图形的面积小于第一预设面积；对第一图形进行第一次调整，得到第二图形，第二图形的面积不小于第一预设面积；对第二图形和除第一图形外的设计图形进行第二次调整，得到设计图形的预修正图形；从设计图形的预修正图形中选择第三图形，第三图形的面积小于第二预设面积；获取第二图形与第三图形之间不重叠的图形，不重叠的图形为偏差图形；从第二图形中选择与偏差图形有共边的第二图形作为第四图形；根据第四图形和设计图形的预修正图形得到设计图形的目标修正图形。本申请方法调整的精度更高，避免产品出现失效或可靠性降低。
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公开(公告)号：CN118824306A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310433192.4
申请日：2023-04-20
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电源管理模块及方法、多次可编程非易失性存储器，所述电源管理模块包括：工作状态检测单元，在检测到主电路处于工作状态时输出启动信号，在检测到主电路处于非工作状态时输出关断信号；LDO电路，在接收到关断信号时关断，在接收到启动信号时启动并输出第一工作电压；电压快速生成单元，在接收到关断信号时关断，在接收到启动信号时启动并输出第二工作电压；选择器，接收第一和第二工作电压，在LDO电路启动完成后输出第一工作电压，在电压快速生成单元启动完成、LDO电路的启动尚未完成时输出第二工作电压；启动检测单元，在检测到LDO电路启动完成后控制电压快速生成单元关断。本发明能够解决电路功耗高和LDO启动时间慢而导致的问题。
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公开(公告)号：CN118156286A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211546548.7
申请日：2022-12-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区位于漂移区沿第一方向的两侧；介质埋层靠近顶硅层的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的上槽组，上槽组包括上电荷槽；介质埋层靠近衬底的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的下槽组，下槽组包括下电荷槽；其中，各上槽组由介质埋层靠近源引出区的一端至介质埋层靠近漏引出区的一端排列，且各上槽组的深度逐渐增大。本申请能够提高器件耐压。
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公开(公告)号：CN114252160B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202011000336.X
申请日：2020-09-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种模数转换器及热电堆阵列，所述模数转换器包括基准电压产生电路，所述基准电压产生电路包括：电压生成单元；斩波调制单元，用于对所述电压生成单元生成的电压信号进行斩波调制，将所述电压信号的低频噪声调制成高频噪声；低通滤波器，用于消除所述高频噪声，得到基准电压。本发明通过斩波调制单元将电压生成单元生成的电压信号的低频噪声调制成高频噪声，再通过低通滤波器滤除，作为基准电压。其可以用简单的结构得到低噪声的基准电压，成本较低。
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公开(公告)号：CN117437960A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210826674.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MTP存储器供电系统及供电方法，对于电源产生的电源电压先经过电压产生器处理以形成第一电压，接着再对所述第一电压增加一抬升电压以形成第二电压，从而对MTP存储器进行读取操作时，可以采用该经过处理的第二电压，使得进行读取操作时的电压较高或者较稳定，从而便可以使得对MTP存储器进行读取操作时读取稳定，或者提高读取速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115577668A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110762993.6
申请日：2021-07-06
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种高压信号产生电路、防信息泄密的编程系统及方法，包括：高压信号产生模块，产生高压信号，并输出高压信号的值与预设值的比较结果；控制模块，基于比较结果产生反馈控制信号；反馈电流产生模块，基于反馈控制信号及输入数据产生相应的反馈电流；电流反馈模块，基于控制信号将反馈电流反馈至高压信号的输出端。本发明应用于非易失存储器中，不需要增加额外的时序要求，非易失存储器操作时序清晰明了，兼容性好；仅仅增加了规模较小的逻辑电路，不需要增加额外算法电路对输入数据进行处理，降低了芯片设计的复杂度，优化了芯片面积，进一步降低了产品的研发成本。
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公开(公告)号：CN115373585A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210015876.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种存储状态读取电路及存储状态读取方法。其中，所述存储状态读取电路包括状态测量端、恒流模块、预充电模块和比较模块，所述预充电模块接收到预充电使能信号时，对所述寄生电容以第三速率充电，充电过程的至少一部分时间段内所述第三速率较大；所述比较模块基于所述状态测量端的电压输出信号；所述存储状态读取电路基于所述比较模块的输出信号输出读取信号。如此配置，加速了状态读取时的充电过程，解决了现有技术中充放电过程等待时间较长，数据读取速度难以进一步提升的问题。
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公开(公告)号：CN110880914B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201811031941.6
申请日：2018-09-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种起振电路及芯片，起振电路包括偏置电流模块、基准电压模块、起振电压模块、放大模块及比较模块，晶体的第一端连接比较模块的第二输入端，晶体的第二端接地。偏置电流模块用于为基准电压模块、起振电压模块及放大模块提供恒定的偏置电流，基准电压模块用于为比较模块的第一输入端提供稳定的基准电压，起振电压模块用于为晶体提供起振所需的起振电压，放大模块用于对晶体振荡信号进行放大。比较模块用于比较晶体振荡信号的电压和基准电压的大小，输出时钟信号。因此，上述起振电路只需要一端接入晶体就能实现晶体的起振，进而降低了利用该起振电路制作的芯片的成本。
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公开(公告)号：CN118800303A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310398835.6
申请日：2023-04-14
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G11C16/14
Abstract: 本发明涉及一种多次可编程非易失性存储器的擦除电路及方法，所述方法包括：记录多次可编程非易失性存储器的擦写次数；根据所述擦写次数调节擦除电压和擦除时间；随着擦写次数的增加，所述擦除电压和/或擦除时间相应增加；按照所述擦除电压和擦除时间对存储单元进行擦除操作；其中，所述擦写次数为擦除次数和/或编程次数，所述擦除电压为所述存储单元的公共端与所述存储单元的控制栅端之间的电压差的绝对值。本发明在擦写次数较少时采用较小的擦除电压和擦除时间，能够减小擦除操作对存储单元的损伤，从而提升MTP的擦写次数。
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公开(公告)号：CN117434992A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210854103.9
申请日：2022-07-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供了一种MTP器件控制电路及控制方法，通过将电源电压与一设定电压比较，在小于设定电压时，使得电源电压作为读取电压，即提高了读取电压的值，从而可以提高MTP器件的读取速度；同时，由于提高了在电源电压较小时的读取速度，相应的，也便减小了MTP器件的读取速度在较高电源电压和较低电源电压时的读取速度的差异。此外，通过将电源电压与一设定电压比较，在小于设定电压时，使得大于或等于所述电源电压的第二电压作为选通电压，即提高了选通电压的值，由此便可以提高选通开关的导通电流，从而也可以提高在电源电压较小时的读取速度，相应的，也便减小了MTP器件的读取速度在较高电源电压和较低电源电压时的读取速度的差异。
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