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公开(公告)号：CN117437960A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210826674.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MTP存储器供电系统及供电方法，对于电源产生的电源电压先经过电压产生器处理以形成第一电压，接着再对所述第一电压增加一抬升电压以形成第二电压，从而对MTP存储器进行读取操作时，可以采用该经过处理的第二电压，使得进行读取操作时的电压较高或者较稳定，从而便可以使得对MTP存储器进行读取操作时读取稳定，或者提高读取速度。
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公开(公告)号：CN115577668A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110762993.6
申请日：2021-07-06
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种高压信号产生电路、防信息泄密的编程系统及方法，包括：高压信号产生模块，产生高压信号，并输出高压信号的值与预设值的比较结果；控制模块，基于比较结果产生反馈控制信号；反馈电流产生模块，基于反馈控制信号及输入数据产生相应的反馈电流；电流反馈模块，基于控制信号将反馈电流反馈至高压信号的输出端。本发明应用于非易失存储器中，不需要增加额外的时序要求，非易失存储器操作时序清晰明了，兼容性好；仅仅增加了规模较小的逻辑电路，不需要增加额外算法电路对输入数据进行处理，降低了芯片设计的复杂度，优化了芯片面积，进一步降低了产品的研发成本。
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公开(公告)号：CN115373585A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210015876.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种存储状态读取电路及存储状态读取方法。其中，所述存储状态读取电路包括状态测量端、恒流模块、预充电模块和比较模块，所述预充电模块接收到预充电使能信号时，对所述寄生电容以第三速率充电，充电过程的至少一部分时间段内所述第三速率较大；所述比较模块基于所述状态测量端的电压输出信号；所述存储状态读取电路基于所述比较模块的输出信号输出读取信号。如此配置，加速了状态读取时的充电过程，解决了现有技术中充放电过程等待时间较长，数据读取速度难以进一步提升的问题。
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公开(公告)号：CN119653867A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311172562.X
申请日：2023-09-12
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10D89/60
Abstract: 本发明涉及一种ESD保护器件，包括：N阱；P阱；第一P型区，位于所述N阱中；第二P型区，位于所述N阱中；第一栅极，位于所述第一P型区和第二P型区之间的所述N阱的上方；第一N型区，位于所述P阱中；第二N型区，位于所述P阱中；第二栅极，位于所述第一N型区和第二N型区之间的所述P阱的上方；第三P型区，位于所述N阱与P阱之间，且与所述N阱和P阱连接；其中，所述第二P型区、N阱、第一栅极及第二N型区用于连接阳极，所述第一P型区、P阱、第一N型区及第二栅极用于连接阴极。本发明的ESD保护器件具有低触发电压、高二次击穿电流，可极大提高ESD保护器件的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN117673072A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211019076.X
申请日：2022-08-24
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种晶闸管及ESD保护器件，所述ESD保护器件包括晶闸管，所述晶闸管包括：N型区；P型区，P型区与N型区直接接触；第一N型掺杂区，设于N型区中；第二N型掺杂区，设于N型区中；第一P型掺杂区，设于N型区中；第三N型掺杂区，设于P型区中；第二P型掺杂区，设于P型区中；ESD保护器件还包括分压单元，分压单元的一端连接第二N型掺杂区、另一端连接第三N型掺杂区；第一N型掺杂区和第一P型掺杂区连接阳极，第一分压单元的另一端和第二P型掺杂区连接阴极。本发明的触发电压较低、抗闩锁能力较强。并且能够充分利用SCR单位面积的ESD保护能力强的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110895648A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201810961688.8
申请日：2018-08-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种功率器件电阻的仿真方法，包括建立功率器件的等效电阻模型，其中，N个指条的连接关系等效于N个电阻Rb并联，且相邻电阻Rb的输入端通过电阻Ra连接，相邻电阻Rb的输出端通过电阻Rc连接， Rb＝RDEV*N+RS+RD，其中，R0和R1分别为源极金属条和漏极金属条的电阻，RS为连接一源区至源极金属条的第一中间层的金属电阻，RD为连接一漏区至漏极金属条的第二中间层金属电阻，RDEV为功率器件的沟道电阻；计算等效电阻模型的电阻作为功率器件的电阻。本发明还涉及一种功率器件仿真方法及功率器件仿真工具。本方案得到的寄生电阻精度较高，使得仿真结果更加可靠。
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公开(公告)号：CN103128649B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110402474.5
申请日：2011-11-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B55/12
Abstract: 本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及能有效减少在化学机械抛光过程中引入的研磨剂残留的方法。按照本发明的化学机械抛光方法包括下列步骤：研磨步骤，利用浆料来研磨晶圆的表面；以及冲洗步骤，利用流体冲洗所述晶圆的表面以去除残留在所述表面的浆料，其中，在所述冲洗步骤中还向所述晶圆的表面输送所述浆料。
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公开(公告)号：CN102922415B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110228135.X
申请日：2011-08-10
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B24B37/07
Abstract: 本发明提供一种延长研磨垫使用周期的化学机械研磨（CMP）方法，属于半导体制造技术领域。该CMP方法包括第一CMP阶段和第二CMP阶段，在第二CMP阶段应用光学终止点检测装置时存在终止点抓取的准备时间段（tp2）；其中，在第二CMP阶段的研磨前准备步骤设置为通过时间控制和终止点检测控制结合的模式，以准备时间段（tp2）从第二CMP阶段的主研磨步骤中前移至所述研磨前准备步骤中；并且，延长第一CMP阶段的主研磨步骤的时间（tp1），以使在该延长的时间（tp1）内的研磨厚度基本等于第二CMP阶段的主研磨在该准备时间段内（tp2）的研磨厚度。该CMP方法容易与现有CMP制程兼容，效率高。
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公开(公告)号：CN102922415A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110228135.X
申请日：2011-08-10
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B24B37/07
Abstract: 本发明提供一种延长研磨垫使用周期的化学机械研磨（CMP）方法，属于半导体制造技术领域。该CMP方法包括第一CMP阶段和第二CMP阶段，在第二CMP阶段应用光学终止点检测装置时存在终止点抓取的准备时间段（tp2）；其中，在第二CMP阶段的研磨前准备步骤设置为通过时间控制和终止点检测控制结合的模式，以准备时间段（tp2）从第二CMP阶段的主研磨步骤中前移至所述研磨前准备步骤中；并且，延长第一CMP阶段的主研磨步骤的时间（tp1），以使在该延长的时间（tp1）内的研磨厚度基本等于第二CMP阶段的主研磨在该准备时间段内（tp2）的研磨厚度。该CMP方法容易与现有CMP制程兼容，效率高。
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公开(公告)号：CN117954441A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211348176.7
申请日：2022-10-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电放电保护器件。所述静电放电保护器件包括基底和位于基底上的栅极结构，基底中形成有相连接的第一阱区和第二阱区，第一阱区具有第一导电类型，第二阱区具有第二导电类型，栅极结构从第一阱区的部分基底上方跨越到第二阱区的部分基底上方，第一阱区的基底顶部形成有位于栅极结构一侧的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区具有第一导电类型，第二掺杂区具有第二导电类型，第二阱区的基底顶部形成有位于栅极结构另一侧的第三掺杂区和第四掺杂区，第三掺杂区具有第一导电类型，第四掺杂区具有第二导电类型。如此静电放电保护器件内可以形成用于泄放静电的第一寄生三极管和第二寄生三极管，有利于提升电路的静电泄放能力。
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