公开(公告)号：CN118553766A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202310179804.1

申请日：2023-02-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  顾力辉 ,  何乃龙 ,  张森 ,  种世雄 ,  朱佳佳 ,  王浩 ,  赵景川 ,  石永昱 ,  章文通 ,  张波

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种场板结构及半导体器件，所述场板结构包括位于衬底上的绝缘介质层，还包括多圈环形结构，所述环形结构的宽度由内环到外环递增，以通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，所述环形结构包括连续或非连续的螺旋环，或所述环形结构包括一圈套一圈的多个闭合或非闭合环。本发明的环形结构电阻的宽度由内环到外环递增，通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，使电阻结构的每个半圈的电阻值趋于相等，从而使得器件的表面电场分布均匀，电势能够保持固定的斜率下降，使得器件具有较高的击穿电压。

公开(公告)号：CN118507511A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310119466.2

申请日：2023-02-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  宋华 ,  朱佳佳 ,  王婷 ,  石永昱 ,  朱峰 ,  章文通 ,  张波

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；所述顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，所述源引出区和所述漏引出区分别位于所述漂移区沿第一方向的两侧；至少部分所述漏引出区位于所述介质埋层在所述顶硅层上的正投影的外部；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向。这样，相当于在漏端(漏引出区)引入衬底耐压，从而可以在顶硅层厚度较薄的情况下提高漏端的纵向电压，进而提高器件耐压。

公开(公告)号：CN117438461A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210825586.X

申请日：2022-07-14

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  章文通 ,  宋华 ,  张志丽 ,  赵景川 ,  朱佳佳

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制作方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于衬底上；源极区和漏极区，设于掩埋介质层上方；漂移区，设于掩埋介质层上，漂移区在靠近源极区的掺杂浓度小于在靠近漏极区的掺杂浓度；辅助耗尽结构，位于所述源极区和漏极区之间，且从所述漂移区的表面向下延伸，包括竖向导电结构和包围竖向导电结构的侧壁和底部的介电层。本发明漂移区在靠近源极区的区域浓度较淡、在靠近漏极区的区域浓度较浓，配合辅助耗尽结构，能够平均地分布漂移区电场强度，从而提高器件耐压。

公开(公告)号：CN118156286A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211546548.7

申请日：2022-12-05

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  章文通 ,  朱佳佳 ,  赵景川 ,  王浩 ,  王婷 ,  姚玉恒 ,  石永昱 ,  朱峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区位于漂移区沿第一方向的两侧；介质埋层靠近顶硅层的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的上槽组，上槽组包括上电荷槽；介质埋层靠近衬底的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的下槽组，下槽组包括下电荷槽；其中，各上槽组由介质埋层靠近源引出区的一端至介质埋层靠近漏引出区的一端排列，且各上槽组的深度逐渐增大。本申请能够提高器件耐压。