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公开(公告)号：CN118737231A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310333176.8
申请日：2023-03-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种多次可编程非易失性存储器及其编程方法，MTP包括：存储单元，包括位线端和公共端；第一电源，用于为位线端和公共端分别提供电压；主电源；控制模块，与第一电源和主电源连接，用于在预编程的期间内调节第一电源为存储单元提供的电压，使位线端和公共端的电压差的绝对值提升至预编程电压值；还用于在预编程结束后对存储单元进行编程，包括调节第一电源为存储单元提供的电压，使位线端和公共端的电压差的绝对值提升至编程电压值；电源电压越低，预编程持续的时长越长；编程电压值大于预编程电压值。本发明能够提高MTP的耐久性。
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公开(公告)号：CN118824331A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310431506.7
申请日：2023-04-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种单次可编程存储器及电子装置，OTP存储器包括OTP单元，OTP单元包括：选择栅，沿第一方向延伸；第一有源区，选择栅的第一部分位于选择栅在第二方向上的一侧，第二部分位于选择栅在第二方向上的另一侧；浮栅；第二有源区，沿第一方向延伸，第二有源区位于各浮栅远离选择栅的一侧；第三有源区，与第二有源区和第一有源区直接接触，第三有源区的至少一部分位于第二有源区与浮栅之间；第二有源区的上方形成有位线接触孔，第二有源区通过位线接触孔引出作为公共位线，远离位线接触孔的交叠区的宽度较大、靠近位线接触孔的交叠区的宽度较小。本发明不同的存储单元的源漏端电压差的差异对编程后读操作时存储单元的电流大小影响较小。
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公开(公告)号：CN115701219A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202110860442.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10B41/35 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括衬底、浮栅结构、硅化阻挡层及孔刻蚀阻挡层，其中，浮栅结构位于衬底上，浮栅结构包括自下而上依次堆叠的栅介质层与多晶硅层，并包括位于栅介质层及多晶硅层侧面的侧墙；硅化阻挡层位于衬底上并覆盖浮栅结构，硅化阻挡层的厚度大于35nm；孔刻蚀阻挡层位于衬底上并覆盖硅化物阻挡层。本发明通过增加多晶浮栅与孔刻蚀阻挡层之间的硅化阻挡层的厚度，能够有效地抑制浮栅电荷通过顶部介质的漏电，从而提高非易失性存储器的数据保持时间，数据保持时间可达85度下保持10年。另外，本发明的方案具有工艺复杂度较低、工艺成本较低的优点。
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公开(公告)号：CN114582406A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011378889.9
申请日：2020-11-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器，包括负压提供单元，用于在读操作时给字线提供第一负电压，负压提供单元包括：钳位单元，包括输入端、控制端及输出端，输入端连接半导体存储器的公共接地端，控制端用于接收第一信号；储能电容，第一端连接所述输出端，第二端用于接收第二信号；负压提供端，与所述第一端连接；钳位单元用于在第一信号为“0”时将输出端的电压拉至输入端的电压，还用于在第一信号为“1”时将输出端钳位在钳位电压。本发明不仅待机模式无静态直流功耗，而且负压提供端输出的负压建立过程很快，能实现实时启动，满足半导体存储器的高速读操作条件。还可以通过钳位单元将负压提供单元提供的第一负电压限制在可控范围内。
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公开(公告)号：CN110895648B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201810961688.8
申请日：2018-08-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种功率器件电阻的仿真方法，包括建立功率器件的等效电阻模型，其中，N个指条的连接关系等效于N个电阻Rb并联，且相邻电阻Rb的输入端通过电阻Ra连接，相邻电阻Rb的输出端通过电阻Rc连接，Rb＝RDEV*N+RS+RD，其中，R0和R1分别为源极金属条和漏极金属条的电阻，RS为连接一源区至源极金属条的第一中间层的金属电阻，RD为连接一漏区至漏极金属条的第二中间层金属电阻，RDEV为功率器件的沟道电阻；计算等效电阻模型的电阻作为功率器件的电阻。本发明还涉及一种功率器件仿真方法及功率器件仿真工具。本方案得到的寄生电阻精度较高，使得仿真结果更加可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118824306A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310433192.4
申请日：2023-04-20
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电源管理模块及方法、多次可编程非易失性存储器，所述电源管理模块包括：工作状态检测单元，在检测到主电路处于工作状态时输出启动信号，在检测到主电路处于非工作状态时输出关断信号；LDO电路，在接收到关断信号时关断，在接收到启动信号时启动并输出第一工作电压；电压快速生成单元，在接收到关断信号时关断，在接收到启动信号时启动并输出第二工作电压；选择器，接收第一和第二工作电压，在LDO电路启动完成后输出第一工作电压，在电压快速生成单元启动完成、LDO电路的启动尚未完成时输出第二工作电压；启动检测单元，在检测到LDO电路启动完成后控制电压快速生成单元关断。本发明能够解决电路功耗高和LDO启动时间慢而导致的问题。
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公开(公告)号：CN117437960A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210826674.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MTP存储器供电系统及供电方法，对于电源产生的电源电压先经过电压产生器处理以形成第一电压，接着再对所述第一电压增加一抬升电压以形成第二电压，从而对MTP存储器进行读取操作时，可以采用该经过处理的第二电压，使得进行读取操作时的电压较高或者较稳定，从而便可以使得对MTP存储器进行读取操作时读取稳定，或者提高读取速度。
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公开(公告)号：CN115373585A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210015876.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种存储状态读取电路及存储状态读取方法。其中，所述存储状态读取电路包括状态测量端、恒流模块、预充电模块和比较模块，所述预充电模块接收到预充电使能信号时，对所述寄生电容以第三速率充电，充电过程的至少一部分时间段内所述第三速率较大；所述比较模块基于所述状态测量端的电压输出信号；所述存储状态读取电路基于所述比较模块的输出信号输出读取信号。如此配置，加速了状态读取时的充电过程，解决了现有技术中充放电过程等待时间较长，数据读取速度难以进一步提升的问题。
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公开(公告)号：CN104518654B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201310466177.6
申请日：2013-10-08
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 张楠
IPC: H02M1/36
CPC classification number: H02M1/36 , H02M2001/0006 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 本发明涉及一种高压启动电路，包括启动电容、检测及控制电路、充电开关器件、偏置电路。所述检测及控制电路检测所述启动电容的电压，在所述电压低于一个电压阈值时，控制所述偏置电路给所述充电开关器件提供偏置电压，以使得充电开关器件导通，进而使得电源通过充电开关器件给所述启动电容充电，否则，控制所述偏置电路不给所述充电开关器件提供偏置电压，以使得充电开关器件关断，进而使得电源停止给所述启动电容充电。本发明由于无需外置电阻，且系统集成度高，在降低启动时间的同时也降低了待机功耗，具有高性能低温漂特性，不但有助于维持启动电路的电流稳定，而且能提高电路的可靠性与稳定性。
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公开(公告)号：CN102043800A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910197263.5
申请日：2009-10-16
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 张楠
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明公开了数据存储实现方法及数据仓库，以降低实现ODS时的资源消耗，该方法包括步骤：在用户访问数据对象时，判断所述数据对象对应的业务系统数据是否更新；在更新的情况下，抽取更新的业务系统数据作为操作数据；并用操作数据更新用户访问的数据对象，以将更新后的数据对象供用户访问。本发明一方面可以保证用户访问的数据对象是更新后的数据，另一方面避免了定时抽取数据浪费资源，尤其是实时性情况下资源大量浪费的问题，从而在保证实现ODS功能的前提下，节约了资源，尤其是在实现I类ODS的情况下，能够节约大量资源。
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