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公开(公告)号：CN118693144B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202310279310.0
申请日：2023-03-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区、第一器件区及位于所述高压器件区与低压器件区之间的第一隔离结构，还包括第一隔离区，所述第一隔离区与所述第一隔离结构相连接，所述第一隔离区与第一隔离结构一起将所述第一器件区包围；所述第一隔离区包括：隔离阱，具有第二导电类型，与所述第一隔离结构相连接；第二隔离结构，从所述隔离阱的顶部向下延伸贯穿所述隔离阱的底部，从而使所述第二隔离结构的深度大于所述隔离阱的深度，所述第二隔离结构包括绝缘介质。本发明可以在减小漏电流的同时兼顾器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN117438451A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210816463.X
申请日：2022-07-12
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及一种横向绝缘栅双极晶体管，包括漂移区、第一阱区、第一电极引出区、第二电极引出区以及电导调制结构。漂移区具有第一导电类型，电导调制结构设于第一电极引出区和第二电极引出区之间的漂移区内，电导调制结构包括设于漂移区的上表层且具有第一导电类型的第一掺杂区，以及设于第一掺杂区内且具有第二导电类型的第二掺杂区。其中，第一导电类型和第二导电类型相反，第一掺杂区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度。可极大地降低横向绝缘栅双极晶体管的通态压降，且降低横向绝缘栅双极晶体管的功耗。
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公开(公告)号：CN117293178A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210698235.7
申请日：2022-06-20
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；漏极区，位于第二导电类型阱区中；源极区，位于第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置，从第二导电类型阱区的表面向下延伸且大于漏极区的深度；第二导电类型埋层，位于漏极区下方，至少部分位于第二导电类型阱区中，掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明通过设置第一绝缘隔离结构来电流路径以避免电流集中，能够提升ESD防护能力。通过在漏端下方引入第二导电类型埋层来增大漂移区的浓度，可以降低ESD开启电压。
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公开(公告)号：CN116978945A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210419589.3
申请日：2022-04-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于所述衬底上；漂移区，设于所述掩埋介质层上；竖向导电结构，从所述漂移区向下延伸至所述掩埋介质层；低K介质，设于所述掩埋介质层中，并包围所述竖向导电结构的底部；介电层，设于所述竖向导电结构的侧面，且位于所述竖向导电结构与漂移区之间、所述低K介质的上方。本发明竖向导电结构‑介电层‑漂移区构成类似导电材料‑介电材料‑半导体的电容器效果，既能辅助漂移区耗尽，还能使得漂移区底部的等势线压在竖向导电结构下方的结构中，由于低K介质位于等势线最密集处，在该横向器件处于反向截止区域时，可大大增强介质中的电场，进而提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN117374072B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210757089.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区和位于高压器件区与低压器件区之间的隔离区，还包括漂移区、第二导电类型阱区、隔离阱区、隔离结构、功率器件源区以及功率器件漏区。漂移区设于高压器件区，第二导电类型阱区设于隔离区并延伸至低压器件区，隔离阱区设于漂移区中，隔离阱区将漂移区分隔为高压漂移区和功率器件漂移区。隔离结构设于隔离阱区中。功率器件源区设于隔离区并位于第二导电类型阱区中，功率器件漏区设于功率器件漂移区中。利用该半导体器件，既能减小由高压器件区通过漂移区流向功率器件的漏电流，又不会影响半导体器件的耐压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119029018A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310594074.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，衬底上设置有背电极；介质埋层，设于衬底上；以及顶硅层，设于介质埋层上；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区分别位于漂移区沿第一方向的两侧；第一方向垂直于衬底的厚度方向；其中，漏引出区在衬底上的正投影，位于介质埋层在衬底上的正投影范围内；衬底在顶硅层上的正投影覆盖漏引出区，且源引出区位于衬底在顶硅层上的正投影范围外。本申请不仅改善了超薄顶硅器件漏端无法利用的弊端，而且能够在顶硅层厚度较薄的情况下提高漏端的纵向电压，进而提高了器件耐压。
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公开(公告)号：CN118693144A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310279310.0
申请日：2023-03-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区、第一器件区及位于所述高压器件区与低压器件区之间的第一隔离结构，还包括第一隔离区，所述第一隔离区与所述第一隔离结构相连接，所述第一隔离区与第一隔离结构一起将所述第一器件区包围；所述第一隔离区包括：隔离阱，具有第二导电类型，与所述第一隔离结构相连接；第二隔离结构，从所述隔离阱的顶部向下延伸贯穿所述隔离阱的底部，从而使所述第二隔离结构的深度大于所述隔离阱的深度，所述第二隔离结构包括绝缘介质。本发明可以在减小漏电流的同时兼顾器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118156286A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211546548.7
申请日：2022-12-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区位于漂移区沿第一方向的两侧；介质埋层靠近顶硅层的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的上槽组，上槽组包括上电荷槽；介质埋层靠近衬底的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的下槽组，下槽组包括下电荷槽；其中，各上槽组由介质埋层靠近源引出区的一端至介质埋层靠近漏引出区的一端排列，且各上槽组的深度逐渐增大。本申请能够提高器件耐压。
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公开(公告)号：CN117913130A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211232262.1
申请日：2022-10-10
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种辅助栅极横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区；集电区，位于漂移区中；第二导电类型掺杂区，设于漂移区中；绝缘介质层，位于沟槽的内表面，沟槽位于集电区和第二导电类型掺杂区之间；辅助栅极，位于沟槽中，且被绝缘介质层包围；阳极区，与漂移区直接接触；第一电极，将阳极区与第二导电类型掺杂区短路连接；主栅结构。本发明在LIGBT导通时，辅助栅极关断，消除了单极模式，仅从双极模式开始导通，无电压折回的风险；在LIGBT关断时，由辅助栅极开启导电沟道，为漂移区的非平衡载流子提供抽出通道，减小了电流拖尾的时间。且沟槽栅结构的辅助栅极在结构上能够实现更好的隔离。
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公开(公告)号：CN117690947A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211076623.8
申请日：2022-09-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/331 , H01L29/735 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种耗尽型阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；阳极区，具有第一导电类型；第二导电类型掺杂区，与所述阳极区直接接触，且至少一部分位于所述阳极区与所述漂移区之间；所述第二导电类型掺杂区的掺杂浓度小于所述集电区的掺杂浓度；第一导电类型埋藏区，位于所述阳极区的下方，且与所述第二导电类型掺杂区直接接触；所述第一导电类型埋藏区的多数载流子浓度大于所述第二导电类型掺杂区的多数载流子浓度。本发明能够改善器件的电压折回的现象。
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