公开(公告)号：CN118693144B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202310279310.0

申请日：2023-03-21

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  姚玉恒 ,  刘腾

IPC: H10D30/65 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区、第一器件区及位于所述高压器件区与低压器件区之间的第一隔离结构，还包括第一隔离区，所述第一隔离区与所述第一隔离结构相连接，所述第一隔离区与第一隔离结构一起将所述第一器件区包围；所述第一隔离区包括：隔离阱，具有第二导电类型，与所述第一隔离结构相连接；第二隔离结构，从所述隔离阱的顶部向下延伸贯穿所述隔离阱的底部，从而使所述第二隔离结构的深度大于所述隔离阱的深度，所述第二隔离结构包括绝缘介质。本发明可以在减小漏电流的同时兼顾器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN116230704A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111478967.7

申请日：2021-12-06

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  王浩 ,  赵景川 ,  姚玉恒

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明涉及一种集成电路结构及光刻版，所述光刻版，包括：LDMOS器件区，用于形成LDMOS器件；控制电路区，用于形成控制电路；第一隔离结构图形，围绕所述LDMOS器件区设置，所述第一隔离结构图形用于形成将所述LDMOS器件与所述控制电路隔离开的第一隔离结构。本发明通过第一隔离结构将LDMOS器件与控制电路隔离开，能够避免LDMOS器件与控制电路之间产生寄生效应，从而改善ESD保护失效。

公开(公告)号：CN116264224A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111539758.9

申请日：2021-12-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  石永昱 ,  姚玉恒

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/87 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种可控硅整流器及其制备方法。其中，可控硅整流器的第一阱区和第二阱区中分别加设了第一低阻区和第二低阻区。因第一低阻区和第二低阻区的阻值较低，故第一阱区和第二阱区的整体电阻均下降，从而使得器件的导通电压降低，提高可控硅整流器的泄放电流的能力。并且，第一低阻区设置于第一掺杂区的下方，第二低阻区设置于第四掺杂区的下方。所以，第一低阻区不影响由第二掺杂区、第一阱区和第二阱区所形成的晶体管的导通；第二低阻区不影响由第一阱区、第二阱区和第三掺杂区所形成的晶体管的导通。因此，本发明提供的可控硅整流器及其制备方法能够实现在降低可控硅整流器的导通电压的同时不影响可控硅整流器的响应速度。

公开(公告)号：CN115621316A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202110806790.2

申请日：2021-07-16

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  姚玉恒

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，包括：衬底；第一导电类型的漂移区；第二导电类型的体区；第一导电类型的源区，形成于体区内；第二导电类型的体引出区，形成于体区内；第一导电类型的漏区，形成于漂移区内，并与体区间隔排布；第二导电类型的辅助耗尽区，形成于体区与漏区之间的漂移区的表层；栅极结构，横跨于源区与漂移区之上；体栅结构，包括分布于辅助耗尽区内的多个体沟槽栅以及体沟槽栅的引出结构。当场效应管正向导通时，体沟槽栅施加与栅极结构相同极性的第一电压，以降低场效应管的导通电阻，当场效应管关断时，体沟槽栅施加与第一电压极性相反的第二电压，以提高场效应管的反向耐压。

公开(公告)号：CN118693144A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310279310.0

申请日：2023-03-21

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  姚玉恒 ,  刘腾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区、第一器件区及位于所述高压器件区与低压器件区之间的第一隔离结构，还包括第一隔离区，所述第一隔离区与所述第一隔离结构相连接，所述第一隔离区与第一隔离结构一起将所述第一器件区包围；所述第一隔离区包括：隔离阱，具有第二导电类型，与所述第一隔离结构相连接；第二隔离结构，从所述隔离阱的顶部向下延伸贯穿所述隔离阱的底部，从而使所述第二隔离结构的深度大于所述隔离阱的深度，所述第二隔离结构包括绝缘介质。本发明可以在减小漏电流的同时兼顾器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN118156286A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211546548.7

申请日：2022-12-05

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  章文通 ,  朱佳佳 ,  赵景川 ,  王浩 ,  王婷 ,  姚玉恒 ,  石永昱 ,  朱峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区位于漂移区沿第一方向的两侧；介质埋层靠近顶硅层的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的上槽组，上槽组包括上电荷槽；介质埋层靠近衬底的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的下槽组，下槽组包括下电荷槽；其中，各上槽组由介质埋层靠近源引出区的一端至介质埋层靠近漏引出区的一端排列，且各上槽组的深度逐渐增大。本申请能够提高器件耐压。

公开(公告)号：CN115132820A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202110333701.7

申请日：2021-03-29

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  许杰 ,  姚玉恒 ,  邹敏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括器件主体，所述器件主体包括场板结构和多个电极，所述场板结构包括多个相互分离的板体；所述半导体器件还包括控制电路，所述控制电路包括：多个输出端，每个输出端连接一板体；多个输入端，不同的输入端连接所述器件主体的不同电极；控制单元，用于根据各所述输入端的输入信号判断所述器件主体的工作状态，并根据所述工作状态控制各所述输出端输出的电压，从而控制各所述板体的电势。本发明通过判断器件的工作状态来动态控制各板体的电势，使器件主体在不同的工作状态下均能根据该工作状态下的需求达到最佳性能。