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公开(公告)号：CN115993517A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111213894.9
申请日：2021-10-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种芯片测试系统和芯片测试方法，通过对待测芯片分为时序单元和非时序单元，并针对同一类型单元中同一属性的端并联后连接在测试向量输出模块上相应属性的输出端，以便配置待测芯片中非时序单元的组合逻辑功能和或时序单元的时序逻辑功能的全功能测试所需的测试向量。测试时，利用控制器的控制功能，控制测试向量输出模块按照预设规则输出测试向量，并根据选择输出电路的输入端所接的、当前测试向量作用的单个被测单元的输出路数，控制选择输出单元输出当前测试向量作用的单个被测单元的功能测试结果，通过控制器控制测试向量输出模块输出的测试向量，实现芯片中每个被测单元的全部功能测试，整个过程全自动化作业，效率高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN115687338A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110845620.5
申请日：2021-07-26
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种项目批量添加标识信息方法和装置、终端，其中方法包括：获取目标文件中所有待添加标识信息的项目名称，得到项目名称列表；基于项目名称列表创建所有项目的工作目录；基于目标文件中项目的标识信息构建所有项目的命令参数配置文件；基于项目的命令参数配置文件生成每个项目的运行命令脚本；执行所有项目的运行命令脚本；将所有添加标识信息后的生产数据文件的名称修改为对应原始生产数据文件的名称。本发明提高了知识产权的设计模块和/或标准单元库的标识信息的添加效率，减少标识信息的错误录入，提高对大批量的知识产权的设计模块和/或标准单元库的更新效率。
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公开(公告)号：CN115701219A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202110860442.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10B41/35 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括衬底、浮栅结构、硅化阻挡层及孔刻蚀阻挡层，其中，浮栅结构位于衬底上，浮栅结构包括自下而上依次堆叠的栅介质层与多晶硅层，并包括位于栅介质层及多晶硅层侧面的侧墙；硅化阻挡层位于衬底上并覆盖浮栅结构，硅化阻挡层的厚度大于35nm；孔刻蚀阻挡层位于衬底上并覆盖硅化物阻挡层。本发明通过增加多晶浮栅与孔刻蚀阻挡层之间的硅化阻挡层的厚度，能够有效地抑制浮栅电荷通过顶部介质的漏电，从而提高非易失性存储器的数据保持时间，数据保持时间可达85度下保持10年。另外，本发明的方案具有工艺复杂度较低、工艺成本较低的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117437960A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210826674.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MTP存储器供电系统及供电方法，对于电源产生的电源电压先经过电压产生器处理以形成第一电压，接着再对所述第一电压增加一抬升电压以形成第二电压，从而对MTP存储器进行读取操作时，可以采用该经过处理的第二电压，使得进行读取操作时的电压较高或者较稳定，从而便可以使得对MTP存储器进行读取操作时读取稳定，或者提高读取速度。
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公开(公告)号：CN115577668A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110762993.6
申请日：2021-07-06
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种高压信号产生电路、防信息泄密的编程系统及方法，包括：高压信号产生模块，产生高压信号，并输出高压信号的值与预设值的比较结果；控制模块，基于比较结果产生反馈控制信号；反馈电流产生模块，基于反馈控制信号及输入数据产生相应的反馈电流；电流反馈模块，基于控制信号将反馈电流反馈至高压信号的输出端。本发明应用于非易失存储器中，不需要增加额外的时序要求，非易失存储器操作时序清晰明了，兼容性好；仅仅增加了规模较小的逻辑电路，不需要增加额外算法电路对输入数据进行处理，降低了芯片设计的复杂度，优化了芯片面积，进一步降低了产品的研发成本。
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公开(公告)号：CN115373585A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210015876.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种存储状态读取电路及存储状态读取方法。其中，所述存储状态读取电路包括状态测量端、恒流模块、预充电模块和比较模块，所述预充电模块接收到预充电使能信号时，对所述寄生电容以第三速率充电，充电过程的至少一部分时间段内所述第三速率较大；所述比较模块基于所述状态测量端的电压输出信号；所述存储状态读取电路基于所述比较模块的输出信号输出读取信号。如此配置，加速了状态读取时的充电过程，解决了现有技术中充放电过程等待时间较长，数据读取速度难以进一步提升的问题。
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公开(公告)号：CN115707237A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110908421.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法，该存储器包括多个存储器单元，存储器单元包括多晶硅熔丝，多晶硅熔丝包括依次相连的第一、第二及第三熔丝段，第一及第三熔丝段的材质均包括掺杂多晶硅，第二熔丝段的材质包括本征多晶硅。本发明利用离子注入对多晶的掺杂过程，产生了一个三明治的多晶区域，即低阻多晶区+本征多晶狭点+低阻多晶区的结构，此结构可有效控制存储器单元的编程位置，熔断位置具有确定性，位置可控，可有效改善存储器单元编程后的阻值分布。此结构还可有效改善存储器单元编程前后的数据稳定性，避免因断而复连导致数据丢失。此外，此结构上层区域利用导电覆盖层遮挡存储单元的数据存储部分，可提高数据保密性。
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公开(公告)号：CN115639397A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110814803.0
申请日：2021-07-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供一种cell电流测试电路及其测试方法，所述电路包括：cell单元模块，用于选中cell单元；测试开关管，连接于所述cell单元模块的输出端和IO端口之间并受控于第一控制信号，用于在电流测试模式下导通；灵敏放大器，连接所述cell单元模块的输出端，用于在电流测试模式下，使输入至所述灵敏放大器的电流为0。通过本发明提供的cell电流测试电路及其测试方法，解决了现有无法准确测出cell电流的问题。
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