公开(公告)号：CN118507511A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310119466.2

申请日：2023-02-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  宋华 ,  朱佳佳 ,  王婷 ,  石永昱 ,  朱峰 ,  章文通 ,  张波

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；所述顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，所述源引出区和所述漏引出区分别位于所述漂移区沿第一方向的两侧；至少部分所述漏引出区位于所述介质埋层在所述顶硅层上的正投影的外部；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向。这样，相当于在漏端(漏引出区)引入衬底耐压，从而可以在顶硅层厚度较薄的情况下提高漏端的纵向电压，进而提高器件耐压。

公开(公告)号：CN118156286A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211546548.7

申请日：2022-12-05

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  章文通 ,  朱佳佳 ,  赵景川 ,  王浩 ,  王婷 ,  姚玉恒 ,  石永昱 ,  朱峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区位于漂移区沿第一方向的两侧；介质埋层靠近顶硅层的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的上槽组，上槽组包括上电荷槽；介质埋层靠近衬底的一侧设置有多个沿第一方向间隔排布的下槽组，下槽组包括下电荷槽；其中，各上槽组由介质埋层靠近源引出区的一端至介质埋层靠近漏引出区的一端排列，且各上槽组的深度逐渐增大。本申请能够提高器件耐压。

公开(公告)号：CN217847949U

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202221632822.8

申请日：2022-06-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王浩 ,  王婷 ,  赵景川 ,  刘新新 ,  何乃龙

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/73 ,  H01L29/41

Abstract: 本实用新型涉及一种具有ESD保护能力的半导体器件，包括：漏极区；体区；源极区，设于体区中；栅极；介质层，覆盖漏极区、体区、源极区及栅极；金属连线层，设于介质层上，包括漏极连线、栅极连线及源极连线，漏极连线通过贯穿介质层的漏极接触孔与漏极区电性连接，栅极连线通过贯穿介质层的栅极接触孔与栅极电性连接，源极连线通过贯穿介质层的源极接触孔与源极区电性连接；限流电阻，设于介质层上，与源极连线和栅极连线电性连接。本实用新型在栅极和源极之间串入了限流电阻，栅极不会因ESD流过大电流，且会在栅端产生一个小的压降，半导体器件发生弱开启，将ESD电流分流一部分成为器件电流，因此能够对半导体器件进行ESD保护。