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公开(公告)号：CN115577668A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110762993.6
申请日：2021-07-06
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种高压信号产生电路、防信息泄密的编程系统及方法，包括：高压信号产生模块，产生高压信号，并输出高压信号的值与预设值的比较结果；控制模块，基于比较结果产生反馈控制信号；反馈电流产生模块，基于反馈控制信号及输入数据产生相应的反馈电流；电流反馈模块，基于控制信号将反馈电流反馈至高压信号的输出端。本发明应用于非易失存储器中，不需要增加额外的时序要求，非易失存储器操作时序清晰明了，兼容性好；仅仅增加了规模较小的逻辑电路，不需要增加额外算法电路对输入数据进行处理，降低了芯片设计的复杂度，优化了芯片面积，进一步降低了产品的研发成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114582406A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011378889.9
申请日：2020-11-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器，包括负压提供单元，用于在读操作时给字线提供第一负电压，负压提供单元包括：钳位单元，包括输入端、控制端及输出端，输入端连接半导体存储器的公共接地端，控制端用于接收第一信号；储能电容，第一端连接所述输出端，第二端用于接收第二信号；负压提供端，与所述第一端连接；钳位单元用于在第一信号为“0”时将输出端的电压拉至输入端的电压，还用于在第一信号为“1”时将输出端钳位在钳位电压。本发明不仅待机模式无静态直流功耗，而且负压提供端输出的负压建立过程很快，能实现实时启动，满足半导体存储器的高速读操作条件。还可以通过钳位单元将负压提供单元提供的第一负电压限制在可控范围内。
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公开(公告)号：CN114582398B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202011374365.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器，包括第一/第二存储器阵列，还包括：比较读出电路，包括用于接收被读取的存储单元的电信号的第一端口，和用于接收基准电信号的第二端口，比较读出电路用于将被读取的存储单元的电信号与基准电信号进行比较，从而得到存储单元的存储信息；第一/第二列译码器，与第一/第二存储器阵列和比较读出电路连接，用于在存储器阵列选择信号使能第一/第二存储器阵列时选中被读取的存储单元对应的位线，将存储单元的电信号通过位线输出至第一端口；还用于在存储器阵列选择信号未使能第一/第二存储器阵列时，将第一/第二存储器阵列的第一位线接入第二端口。本发明能够降低半导体存储器读操作的功耗。
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公开(公告)号：CN114582406B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202011378889.9
申请日：2020-11-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器，包括负压提供单元，用于在读操作时给字线提供第一负电压，负压提供单元包括：钳位单元，包括输入端、控制端及输出端，输入端连接半导体存储器的公共接地端，控制端用于接收第一信号；储能电容，第一端连接所述输出端，第二端用于接收第二信号；负压提供端，与所述第一端连接；钳位单元用于在第一信号为“0”时将输出端的电压拉至输入端的电压，还用于在第一信号为“1”时将输出端钳位在钳位电压。本发明不仅待机模式无静态直流功耗，而且负压提供端输出的负压建立过程很快，能实现实时启动，满足半导体存储器的高速读操作条件。还可以通过钳位单元将负压提供单元提供的第一负电压限制在可控范围内。
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公开(公告)号：CN115639397A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110814803.0
申请日：2021-07-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供一种cell电流测试电路及其测试方法，所述电路包括：cell单元模块，用于选中cell单元；测试开关管，连接于所述cell单元模块的输出端和IO端口之间并受控于第一控制信号，用于在电流测试模式下导通；灵敏放大器，连接所述cell单元模块的输出端，用于在电流测试模式下，使输入至所述灵敏放大器的电流为0。通过本发明提供的cell电流测试电路及其测试方法，解决了现有无法准确测出cell电流的问题。
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公开(公告)号：CN114582398A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011374365.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器，包括第一/第二存储器阵列，还包括：比较读出电路，包括用于接收被读取的存储单元的电信号的第一端口，和用于接收基准电信号的第二端口，比较读出电路用于将被读取的存储单元的电信号与基准电信号进行比较，从而得到存储单元的存储信息；第一/第二列译码器，与第一/第二存储器阵列和比较读出电路连接，用于在存储器阵列选择信号使能第一/第二存储器阵列时选中被读取的存储单元对应的位线，将存储单元的电信号通过位线输出至第一端口；还用于在存储器阵列选择信号未使能第一/第二存储器阵列时，将第一/第二存储器阵列的第一位线接入第二端口。本发明能够降低半导体存储器读操作的功耗。
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