公开(公告)号：CN101231962A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710122963.9

申请日：2007-07-04

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 栗原孝 ,  相泽光浩 ,  水野茂

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 制造一种电极焊盘和凸点的连接的可靠性好的半导体装置。该半导体装置的制造方法的特征为，具有：第1工序，其将半导体基板升温到第1温度，将多个凸点依次与在该半导体基板上形成的多个电极焊盘虚接合；第2工序，其将前述半导体基板升温到高于前述第1温度的第2温度，将在前述第1工序中虚接合的多个前述电极焊盘与多个前述凸点实质性接合；以及第3工序，其将前述半导体基板分片。

公开(公告)号：CN115334745A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210478241.1

申请日：2022-04-29

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 三木翔太 ,  川上小雪 ,  大井淳 ,  村山启 ,  相泽光浩

IPC: H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H01R12/51

Abstract: 本发明提供能够抑制接合材的附近的裂缝的复合配线基板、半导体装置和复合配线基板的制造方法。复合配线基板具有：具备有第1连接端子的第1配线基板、具备有与上述第1连接端子对置的第2连接端子的第2配线基板以及将上述第1连接端子与上述第2连接端子进行接合的接合材，俯视时，上述第1连接端子的第1轮廓位于上述第2连接端子的第2轮廓的内侧，上述接合材具有：与上述第1连接端子和上述第2连接端子这两者接触，由Cu和Sn的金属间化合物形成的第1部分以及俯视时，包含上述第1轮廓与上述第2轮廓之间的部分，由Bi和Sn的合金形成的第2部分，上述第2部分以与SnBi合金的共晶组成相比的高浓度含有Bi，上述第2部分与上述第2连接端子分开。