布线基板及其制造方法、半导体装置

    公开(公告)号:CN119725297A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411316299.1

    申请日:2024-09-20

    Abstract: 在内置电子元件的布线基板中抑制电阻损失。本布线基板具有:第一布线结构,具有第一布线层和第一绝缘层;第二布线结构,具有第二布线层和第二绝缘层,并且层叠在所述第一布线结构的一侧;以及第三布线结构,具有第三布线层和第三绝缘层,并且层叠在所述第一布线结构的另一侧,所述第二布线层的布线密度比所述第一布线层和所述第三布线层的布线密度高,所述第一绝缘层具备贯穿所述第一绝缘层的贯穿孔,在所述贯穿孔中布置有与所述第二布线层电连接的电子元件,在所述贯穿孔内设置有覆盖所述电子元件的嵌入树脂,所述嵌入树脂从所述贯穿孔内延伸以覆盖所述第一绝缘层,并填充在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。

    复合配线基板、半导体装置及复合配线基板的制造方法

    公开(公告)号:CN115334745A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210478241.1

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 本发明提供能够抑制接合材的附近的裂缝的复合配线基板、半导体装置和复合配线基板的制造方法。复合配线基板具有:具备有第1连接端子的第1配线基板、具备有与上述第1连接端子对置的第2连接端子的第2配线基板以及将上述第1连接端子与上述第2连接端子进行接合的接合材,俯视时,上述第1连接端子的第1轮廓位于上述第2连接端子的第2轮廓的内侧,上述接合材具有:与上述第1连接端子和上述第2连接端子这两者接触,由Cu和Sn的金属间化合物形成的第1部分以及俯视时,包含上述第1轮廓与上述第2轮廓之间的部分,由Bi和Sn的合金形成的第2部分,上述第2部分以与SnBi合金的共晶组成相比的高浓度含有Bi,上述第2部分与上述第2连接端子分开。

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