公开(公告)号：CN119720622A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411498996.3

申请日：2024-10-25

Applicant: 扬州大学 ,  上海宇航系统工程研究所

Inventor： 曹荣幸 ,  刘汇龙 ,  胡迪科 ,  王义元 ,  薛玉雄 ,  许灏炀 ,  冯子华 ,  曹小雪 ,  张小龙 ,  郑澍

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/14 ,  G06F113/26

Abstract: 本发明涉及基于特定模型的复合材料预测领域，公开了一种基于蒙卡‑有限元模拟碳纤维复合材料缺陷的力学性能仿真方法，通过在蒙特卡罗软件中构建碳纤维复合材料RVE模型，设置辐照物理反应过程，进行中子辐照仿真模拟，得到材料内部空隙缺陷信息，并在有限元软件中构建含空隙缺陷的有限元RVE模型，获取整体RVE模型的弹性常数矩阵，构建宏观拉伸有限元模型，对宏观模型进行材料参数设置以及仿真边界条件设置，进行宏观拉伸仿真，得到仿真力学数据。通过本发明解决了辐照实验和力学实验成本高、时间长的问题，在为碳纤维复合材料在核辐射场景下的可靠性评估研究提供了技术基础，节省了大量的时间和经济成本。

公开(公告)号：CN119514297A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411232481.9

申请日：2024-09-04

Applicant: 扬州大学 ,  上海宇航系统工程研究所

Inventor： 薛玉雄 ,  许灏炀 ,  胡迪科 ,  王义元 ,  曹荣幸 ,  周炜翔 ,  刘涵勋 ,  刘汇龙

IPC: G06F30/25 ,  G06T17/00 ,  H04N25/63 ,  H04N25/67 ,  H04N25/76 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明公开了基于中子辐照的CMOS图像传感器性能退化模拟与预测方法，该方法包括：根据CMOS图像传感器的器件参数构建三维仿真模型；利用蒙特卡罗方法对三维仿真模型进行中子辐照仿真模拟；建立CMOS图像传感器的像素单元阵列，在像素单元阵列中引入缺陷来模拟中子辐照产生的长期性损伤；对像素单元阵列进行采样得到噪声分布，根据噪声阈值进行滤波，得到中子辐照后的CMOS图像传感器的噪点暗场成像图，并计算CMOS图像传感器的电性能参数。本发明具有操作便捷、计算效率高、计算结果准确、经济成本低的特点，为CIS器件在核辐射场景下的可靠性评估研究提供了技术基础，节省了大量的时间和经济成本。

公开(公告)号：CN119476160A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411466032.0

申请日：2024-10-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘洋 ,  冯子华 ,  薛玉雄 ,  许灏炀 ,  刘汇龙 ,  邢朝洋 ,  李男男 ,  赵雪薇

IPC: G06F30/367 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/06 ,  G06F119/12

Abstract: 本发明公开了一种基于蒙卡‑有限元的MEMS器件多物理场仿真方法，用于在电子辐照环境下模拟MEMS器件的性能变化，通过Geant4对高能粒子辐照过程的能量沉积进行蒙特卡洛模拟，并将能量沉积数据导出为热源功率密度，再导入COMSOL，在COMSOL中构建多物理场模型，进行电‑热‑力多物理场耦合分析，全面评估MEMS器件在复杂环境中的性能变化。本发明方法针对多物理场相互作用对器件材料、结构及功能的综合作用，同时考虑辐射场对器件的电、热、力耦合影响，提供了更加精准的仿真分析手段，从而优化MEMS器件的设计，提高其在极端条件下的可靠性。

公开(公告)号：CN119740535A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411574942.0

申请日：2024-11-06

Applicant: 扬州大学

Inventor： 曹荣幸 ,  曹小雪 ,  薛玉雄 ,  田佳玉 ,  张涛 ,  许灝炀 ,  刘汇龙 ,  曾祥华

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F30/25

Abstract: 本发明公开了一种逐次逼近型模数转换器的单粒子效应模拟方法，利用TCAD及SPICE相结合的方法，通过TCAD模拟仿真获得器件的电学曲线数据提取为库文件，SPICE调用该库文件并进行电路建模，可以实现ADC器件单粒子效应的模拟，可以得到不同LET、不同角度下，单粒子效应对ADC器件输出的影响情况，深入揭示单粒子效应的故障传播规律。解决了ADC器件辐射实验加速器资源有限、经济成本高、测试方法设计复杂等问题，为开展模数转换器抗辐射评价和加固设计提供技术支撑。

公开(公告)号：CN119940071A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411769533.6

申请日：2024-12-04

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘洋 ,  李绍华 ,  刘汇龙 ,  薛玉雄 ,  曹荣幸 ,  韩丹 ,  郑澍

IPC: G06F30/27 ,  G06F30/10 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/084 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了辐射环境下预测微系统互连产品的信号传输能力的方法，涉及电子工程、辐射影响分析和机器学习技术领域。本发明解决微系统器件在辐射环境下信号完整性受到影响的问题，通过对不同器件在辐射作用下的响应进行系统化分析与建模，以有效评估和预测各种微系统器件在辐射条件下的性能变化。这将有助于提升微系统器件在辐射环境中的可靠性，确保其在关键应用中的正常运作。