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公开(公告)号:CN116976278A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202310938014.7
申请日:2023-07-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G06F30/394 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的互连结构工作温度及电流密度预测方法。该方法将机器学习方法应用于封装领域,充分利用历史实验和有限元仿真数据,通过数据驱动的方法得到输入(焊点高度、焊盘直径、通电电流)到输出(焊点处电流密度/工作温度)的非线性映射关系。具体为设计一种互连结构,通过有限元仿真得到不同参数下几十组工作温度和电流密度的数据,然后利用这些数据构造并训练BP神经网络模型。训练好的模型在给定输入下可预测出电流密度和工作温度。本发明方法成本低且耗时短,同时随着实验以及仿真数据的增多,模型会学习到更多数据间的关系,变得更加强大,预测也将会更加准确。
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公开(公告)号:CN119476160A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411466032.0
申请日:2024-10-21
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/06 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种基于蒙卡‑有限元的MEMS器件多物理场仿真方法,用于在电子辐照环境下模拟MEMS器件的性能变化,通过Geant4对高能粒子辐照过程的能量沉积进行蒙特卡洛模拟,并将能量沉积数据导出为热源功率密度,再导入COMSOL,在COMSOL中构建多物理场模型,进行电‑热‑力多物理场耦合分析,全面评估MEMS器件在复杂环境中的性能变化。本发明方法针对多物理场相互作用对器件材料、结构及功能的综合作用,同时考虑辐射场对器件的电、热、力耦合影响,提供了更加精准的仿真分析手段,从而优化MEMS器件的设计,提高其在极端条件下的可靠性。
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公开(公告)号:CN117074918A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202311077992.3
申请日:2023-08-25
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种辐照条件下电迁移现象测试装置及测试方法,所述测试装置包括测试板,所述测试板包括芯片、设在芯片下方或下方的基板,以及焊接在芯片和基板之间的焊球组;辐射源,所述辐射源相对于测试板垂直布置,所述辐射源直接照射在测试板的焊球上;恒流源,所述恒流源与测试板连接并形成通电回路,所述测试板的焊球组中的位于两个端点的焊球处于上述通电回路中,作为电迁移现象的观测点,中间焊球处于通电回路之外,作为未通电的环境参考点。本发明可以对同一样品进行多次测试,可对样品的微观组织形貌进行观测。本发明方法为三维封装互连技术在航天领域的应用提供了重要的技术保障,能够提高互连结构在空间环境下的可靠性。
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