公开(公告)号：CN119720622A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411498996.3

申请日：2024-10-25

Applicant: 扬州大学 ,  上海宇航系统工程研究所

Inventor： 曹荣幸 ,  刘汇龙 ,  胡迪科 ,  王义元 ,  薛玉雄 ,  许灏炀 ,  冯子华 ,  曹小雪 ,  张小龙 ,  郑澍

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/14 ,  G06F113/26

Abstract: 本发明涉及基于特定模型的复合材料预测领域，公开了一种基于蒙卡‑有限元模拟碳纤维复合材料缺陷的力学性能仿真方法，通过在蒙特卡罗软件中构建碳纤维复合材料RVE模型，设置辐照物理反应过程，进行中子辐照仿真模拟，得到材料内部空隙缺陷信息，并在有限元软件中构建含空隙缺陷的有限元RVE模型，获取整体RVE模型的弹性常数矩阵，构建宏观拉伸有限元模型，对宏观模型进行材料参数设置以及仿真边界条件设置，进行宏观拉伸仿真，得到仿真力学数据。通过本发明解决了辐照实验和力学实验成本高、时间长的问题，在为碳纤维复合材料在核辐射场景下的可靠性评估研究提供了技术基础，节省了大量的时间和经济成本。

公开(公告)号：CN119476160A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411466032.0

申请日：2024-10-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘洋 ,  冯子华 ,  薛玉雄 ,  许灏炀 ,  刘汇龙 ,  邢朝洋 ,  李男男 ,  赵雪薇

IPC: G06F30/367 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/06 ,  G06F119/12

Abstract: 本发明公开了一种基于蒙卡‑有限元的MEMS器件多物理场仿真方法，用于在电子辐照环境下模拟MEMS器件的性能变化，通过Geant4对高能粒子辐照过程的能量沉积进行蒙特卡洛模拟，并将能量沉积数据导出为热源功率密度，再导入COMSOL，在COMSOL中构建多物理场模型，进行电‑热‑力多物理场耦合分析，全面评估MEMS器件在复杂环境中的性能变化。本发明方法针对多物理场相互作用对器件材料、结构及功能的综合作用，同时考虑辐射场对器件的电、热、力耦合影响，提供了更加精准的仿真分析手段，从而优化MEMS器件的设计，提高其在极端条件下的可靠性。

公开(公告)号：CN119830850A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411712245.7

申请日：2024-11-27

Applicant: 扬州大学

Inventor： 薛玉雄 ,  陈肖 ,  曹荣幸 ,  刘涵勋 ,  刘洋 ,  郑澍 ,  李佳妍 ,  冯子华

IPC: G06F30/398 ,  G06F30/367 ,  G16C60/00 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种高低温循环条件下功率半导体器件仿真方法，通过获取功率半导体器件结构参数和材料参数，构建元胞三维模型，在此基础上构建半导体器件整体与元胞复合模型，并进行网格划分，在复合模型中添加温度载荷进行仿真模拟，并对模拟结果进行分析评估。本发明建立了半导体器件整体模型与元胞模型的耦合关系，综合了半导体器件整体与元胞模型之间不同尺寸维度，有效考虑了不同维度模型之间的相互作用，能够全面揭示半导体器件在高低温循环中的真实表现。

公开(公告)号：CN118915200A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410972228.0

申请日：2024-07-19

Applicant: 扬州大学

Inventor： 郑澍 ,  冯子华 ,  薛玉雄 ,  刘洋

IPC: G02B1/113 ,  B05D7/14 ,  B05D3/00 ,  B05D1/00 ,  B05D5/00 ,  B05D1/38 ,  B05D7/00 ,  G02B1/14 ,  G02B5/02 ,  G02B5/00 ,  C09D1/00

Abstract: 本发明公开了一种防护波长1064NM激光的薄膜结构及其制备方法，用于制备一种防护波长1064NM激光的薄膜结构，包括以下步骤：在预处理后的基材表面涂覆SiO2悬浊液，形成SiO2涂层；对基材进行烘干,在基材上形成SiO2薄膜；对SiO2涂层添加微凸点，在SiO2薄膜上形成防护膜结构。本发明可以有效的提高其在1064nm波长的激光辐照下薄膜的反射率，有助于开展针对性的抗辐射加固设计，满足空间防护膜在航天、核工业领域的需求。

公开(公告)号：CN119849425A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411712242.3

申请日：2024-11-27

Applicant: 扬州大学

Inventor： 薛玉雄 ,  李佳妍 ,  曹荣幸 ,  周炜翔 ,  冯子华 ,  郑澍 ,  刘涵勋 ,  陈肖

IPC: G06F30/398 ,  G06F30/367 ,  G16C60/00 ,  G01R31/26 ,  G01D21/02 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法，涉及半导体仿真领域，通过获取半导体器件的工艺结构参数和材料参数，在仿真软件中构建二位元胞结构模型仿真模拟得到热源，然后根据半导体器件结构特点构建半导体器件的三维多栅指结构模型，将仿真对象从二维元胞结构扩展到更加复杂的三维多栅指结构，再将二维元胞结构仿真模拟得到的热源导入三维模型中进行多物理场仿真模拟，并对多物理场仿真结果进行热力学分析。通过本发明能够模拟热场、应力场等多个物理场的相互作用，用于复杂结构和环境下的多场耦合分析，可以更全面地分析半导体器件在多物理场作用下的热力特性，为优化器件设计、提升其在高压、高温和辐射环境下的性能和可靠性提供更为准确的仿真依据。