公开(公告)号：CN119720622A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411498996.3

申请日：2024-10-25

Applicant: 扬州大学 ,  上海宇航系统工程研究所

Inventor： 曹荣幸 ,  刘汇龙 ,  胡迪科 ,  王义元 ,  薛玉雄 ,  许灏炀 ,  冯子华 ,  曹小雪 ,  张小龙 ,  郑澍

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/14 ,  G06F113/26

Abstract: 本发明涉及基于特定模型的复合材料预测领域，公开了一种基于蒙卡‑有限元模拟碳纤维复合材料缺陷的力学性能仿真方法，通过在蒙特卡罗软件中构建碳纤维复合材料RVE模型，设置辐照物理反应过程，进行中子辐照仿真模拟，得到材料内部空隙缺陷信息，并在有限元软件中构建含空隙缺陷的有限元RVE模型，获取整体RVE模型的弹性常数矩阵，构建宏观拉伸有限元模型，对宏观模型进行材料参数设置以及仿真边界条件设置，进行宏观拉伸仿真，得到仿真力学数据。通过本发明解决了辐照实验和力学实验成本高、时间长的问题，在为碳纤维复合材料在核辐射场景下的可靠性评估研究提供了技术基础，节省了大量的时间和经济成本。

公开(公告)号：CN119720516A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411769536.X

申请日：2024-12-04

Applicant: 扬州大学

Inventor： 薛玉雄 ,  吴迪 ,  许灏炀 ,  曹荣幸 ,  于庆奎 ,  梅博 ,  孙毅

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种SiC功率器件在轨单粒子硬错误风险概率预估方法，涉及功率器件空间应用的抗辐射保证技术领域，本发明基于地面辐射试验和威布尔数据统计规律，结合仿真软件模拟空间辐射环境，能低成本预估SiC器件空间在轨应用时发生单粒子硬错误的概率，同时实现难度较低，减少航天器在轨任务的成本，增强在轨期间的可靠性，保证在轨飞行的安全性，属于功率器件空间应用的抗辐射保证技术领域，具有很高的经济价值，对促进新型航天电源发展具有重要意义。

公开(公告)号：CN119514297A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411232481.9

申请日：2024-09-04

Applicant: 扬州大学 ,  上海宇航系统工程研究所

Inventor： 薛玉雄 ,  许灏炀 ,  胡迪科 ,  王义元 ,  曹荣幸 ,  周炜翔 ,  刘涵勋 ,  刘汇龙

IPC: G06F30/25 ,  G06T17/00 ,  H04N25/63 ,  H04N25/67 ,  H04N25/76 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明公开了基于中子辐照的CMOS图像传感器性能退化模拟与预测方法，该方法包括：根据CMOS图像传感器的器件参数构建三维仿真模型；利用蒙特卡罗方法对三维仿真模型进行中子辐照仿真模拟；建立CMOS图像传感器的像素单元阵列，在像素单元阵列中引入缺陷来模拟中子辐照产生的长期性损伤；对像素单元阵列进行采样得到噪声分布，根据噪声阈值进行滤波，得到中子辐照后的CMOS图像传感器的噪点暗场成像图，并计算CMOS图像传感器的电性能参数。本发明具有操作便捷、计算效率高、计算结果准确、经济成本低的特点，为CIS器件在核辐射场景下的可靠性评估研究提供了技术基础，节省了大量的时间和经济成本。

公开(公告)号：CN117709175A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311705294.3

申请日：2023-12-13

Applicant: 扬州大学

Inventor： 曹荣幸 ,  陆雨鑫 ,  薛玉雄 ,  王玉才 ,  周炜翔 ,  许灏炀 ,  曾祥华 ,  李红霞

IPC: G06F30/25 ,  G06F30/10

Abstract: 本发明公开了一种基于Geant4及TCAD的功率器件质子辐射损伤模拟方法，通过Geant4软件的输出实现使用TCAD软件对功率器件建立电学模型、位移损伤模型，实现在不同能量、不同注量下，质子辐照对功率器件发生的电离损伤与非电量损伤进行计算；并通过计算结果对由质子引起的缺陷态密度、缺陷能级等参数改变跟踪辐照前后某些重要电参量随时间的演变过程，更有针对性对功率器件质子辐照损伤的机理进一步研究，从而为器件抗辐射损伤提供研究基础。

公开(公告)号：CN119476160A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411466032.0

申请日：2024-10-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘洋 ,  冯子华 ,  薛玉雄 ,  许灏炀 ,  刘汇龙 ,  邢朝洋 ,  李男男 ,  赵雪薇

IPC: G06F30/367 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/06 ,  G06F119/12

Abstract: 本发明公开了一种基于蒙卡‑有限元的MEMS器件多物理场仿真方法，用于在电子辐照环境下模拟MEMS器件的性能变化，通过Geant4对高能粒子辐照过程的能量沉积进行蒙特卡洛模拟，并将能量沉积数据导出为热源功率密度，再导入COMSOL，在COMSOL中构建多物理场模型，进行电‑热‑力多物理场耦合分析，全面评估MEMS器件在复杂环境中的性能变化。本发明方法针对多物理场相互作用对器件材料、结构及功能的综合作用，同时考虑辐射场对器件的电、热、力耦合影响，提供了更加精准的仿真分析手段，从而优化MEMS器件的设计，提高其在极端条件下的可靠性。

公开(公告)号：CN117669485A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311685630.2

申请日：2023-12-11

Applicant: 扬州大学

Inventor： 曹荣幸 ,  王玉才 ,  薛玉雄 ,  陆雨鑫 ,  周炜翔 ,  许灏炀 ,  李红霞 ,  韩丹 ,  曾祥华

IPC: G06F30/398 ,  G16C10/00 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件位移损伤与电离总剂量协和效应仿真方法，首先对器件进行二维建模，并进行TCAD器件仿真，优化校准器件仿真模型；然后在基本电学模型仿真的基础上，通过定义辐照缺陷能级和缺陷密度来模拟位移损伤辐射效应，对半导体器件进行位移损伤效应仿真；再根据器件的位移损伤仿真模型，通过定义器件氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷，引入总剂量效应，对半导体器件进行位移损伤与总剂量效应协和的仿真，最后得到位移损伤与总剂量效应模型；最后根据器件发生位移损伤与总剂量协和效应后的微观物理量的分布情况。本方法运用半导体工艺和器件仿真软件TCAD进行宽禁带半导体器件位移损伤与总剂量效应协和仿真。