公开(公告)号：CN119476160A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411466032.0

申请日：2024-10-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘洋 ,  冯子华 ,  薛玉雄 ,  许灏炀 ,  刘汇龙 ,  邢朝洋 ,  李男男 ,  赵雪薇

IPC: G06F30/367 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/06 ,  G06F119/12

Abstract: 本发明公开了一种基于蒙卡‑有限元的MEMS器件多物理场仿真方法，用于在电子辐照环境下模拟MEMS器件的性能变化，通过Geant4对高能粒子辐照过程的能量沉积进行蒙特卡洛模拟，并将能量沉积数据导出为热源功率密度，再导入COMSOL，在COMSOL中构建多物理场模型，进行电‑热‑力多物理场耦合分析，全面评估MEMS器件在复杂环境中的性能变化。本发明方法针对多物理场相互作用对器件材料、结构及功能的综合作用，同时考虑辐射场对器件的电、热、力耦合影响，提供了更加精准的仿真分析手段，从而优化MEMS器件的设计，提高其在极端条件下的可靠性。