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公开(公告)号：CN118981841A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410912121.7
申请日：2024-07-09
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/17 , H01L29/78 , H01L29/24 , G06F30/25 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/06 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F113/08
Abstract: 一种氧化镓MOSFET器件抗单粒子烧毁加固结构及其仿真优化方法，为了解决现有技术中存在的氧化镓MOSFET器件在空间应用时容易受到重离子辐照而发生灾难性SEB的问题，本发明在现有的平面型氧化镓MOSFET器件结构中增加了栅场板、源场板和钝化层结构；由于地面单粒子试验加速器资源有限、辐照粒子能量不易调节、经济成本高，本发明利用半导体器件仿真软件TCAD，对栅、源场板的长度以及栅源场板下方的钝化层厚度等参数进行了仿真优化，得到抗SEB性能较好的器件结构，是一种有效的技术途径，能够弥补加速器的不足，促进Ga2O3 MOSFET器件的空间应用。
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公开(公告)号：CN119940071A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411769533.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/10 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了辐射环境下预测微系统互连产品的信号传输能力的方法，涉及电子工程、辐射影响分析和机器学习技术领域。本发明解决微系统器件在辐射环境下信号完整性受到影响的问题，通过对不同器件在辐射作用下的响应进行系统化分析与建模，以有效评估和预测各种微系统器件在辐射条件下的性能变化。这将有助于提升微系统器件在辐射环境中的可靠性，确保其在关键应用中的正常运作。
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公开(公告)号：CN118551643A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410608965.2
申请日：2024-05-16
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/082 , G06F18/27 , G06F18/15 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06N3/048 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开了一种基于LSTM的仪表放大器电离总剂量效应预测方法，包括：通过实验获取仪表放大器电离总剂量效应的实验数据，将实验数据分为训练集和测试集，然后进行归一化处理，再将归一化后的实验数据处理成能够输入LSTM的时序序列；通过Attention机制，将时序序列中的向量乘对应不同的参数矩阵后输入到LSTM中，通过输入门、遗忘门和输出门对输入数据进行筛选；采用五折交叉验证来确定LSTM的隐藏层中最佳神经元数量和训练轮数；加入dropout机制层来避免过拟合问题；神经网络训练完成后，通过决定系数R2对模型进行评估；利用达到精度需求的LSTM模型进行总剂量辐照衰退数据外推预测。
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公开(公告)号：CN118244078A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410402049.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 扬州大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于LabVIEW和神经网络的器件伏安特性测试方法，利用数字源表对器件伏安特性测试进行供电，通过LabVIEW虚拟仪器对所述数字源表实现自动化控制并实时读取数字源表的测试数据；建立LabVIEW与Python之间的通信，在测试过程中通过Python来调用已训练完成的神经网络模型对器件的伏安特性进行实时预测，将预测数据与测试数据相对比，筛选出测试中的异常数据；其中，所述预测数据与测试数据在LabVIEW中以图像形式展现。本发明实现了对所有硬件的自动化控制以及图形化显示实时测试结果，并实现通过预测数据与测试数据比对来发现测试中的异常数据。
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公开(公告)号：CN114676571A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210305326.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法，基于TCAD的仿真平台，针对功率器件建立电学模型和单粒子模型，在不同的重离子辐照条件、不同的入射位置以及不同偏置条件下，对功率器件发生的单粒子硬错误进行鉴别；并对SEB和SEGR两种破坏性的瞬态过程通过程序跟踪某些重要电参量随时间的演变过程，更有针对性对功率器件单粒子硬错误的机理进一步研究。本发明提供了一种功率器件发生SEB及SEGR两种单粒子硬错误的鉴别方法，能够鉴别出在固定条件下功率器件发生哪种单粒子硬错误，是一种快速、耗时少、经济的鉴别方法，能够为功率器件在航天型号工程中的防护设计提供技术支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113569404A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110836696.1
申请日：2021-07-23
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种基于Geant4平台仿真精确获取相衬成像参数的方法，将材料元素对X射线的线形衰减系数嵌入Geant4的材料属性中，并将低原子序数物质对高能X射线情况下的计算相移因子公式集成到Geant4的StepingAction中，以step为最小单位，计算每个粒子经过材料时的空间坐标以及相位数据。本方法在Geant4中新增统计X射线相位数据变化，利用了X射线在不同物质中的相位变化快慢不同对物质进行探测成像，弥补了利用X射线在不同物质中的衰减快慢不同对物质进行探测的传统X射线探测器无法有效探测低密度物质的缺陷。
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公开(公告)号：CN114878921B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210484943.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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公开(公告)号：CN119691415A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411498420.7
申请日：2024-10-25
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F18/21 , G06F18/214 , G06N3/06 , G06N3/048
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的射频微系统三维封装工艺良率预测方法，首先，将射频微系统封装工艺流程划分为四个关键工艺步骤，收集各步骤中涉及的工艺参数与相应的良率信息；然后构建多层次神经网络架构，包括四个子网络和一个主网络，四个子网络分别对应封装过程中的四个关键工艺步骤，根据输入的工艺参数与相应的良率信息，预测出各关键工艺步骤的良率，主网络整合四个子网络的输出和输入参数，对整个射频微系统封装工艺良率进行最终预测；最后将多层次神经网络架构集成到射频微系统的三维封装工艺管理系统中，进行实时良率预测和预警，优化调整工艺流程，提高封装工艺的成功率，减少因缺陷导致的成品失效，最终提高生产效率和经济效益。
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公开(公告)号：CN114676571B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210305326.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法，基于TCAD的仿真平台，针对功率器件建立电学模型和单粒子模型，在不同的重离子辐照条件、不同的入射位置以及不同偏置条件下，对功率器件发生的单粒子硬错误进行鉴别；并对SEB和SEGR两种破坏性的瞬态过程通过程序跟踪某些重要电参量随时间的演变过程，更有针对性对功率器件单粒子硬错误的机理进一步研究。本发明提供了一种功率器件发生SEB及SEGR两种单粒子硬错误的鉴别方法，能够鉴别出在固定条件下功率器件发生哪种单粒子硬错误，是一种快速、耗时少、经济的鉴别方法，能够为功率器件在航天型号工程中的防护设计提供技术支持。
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公开(公告)号：CN114692535A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210401979.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。
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