一种基于TCAD提取半导体器件SPICE模型的仿真方法

    公开(公告)号:CN119720903A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411607282.1

    申请日:2024-11-12

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于TCAD提取半导体器件SPICE模型的仿真方法,属于集半导体器件技术领域。将TCAD仿真与SPICE模型提取相结合,首先通过TCAD仿真模拟软件建立半导体器件模型,提取关键参数曲线;然后采用最小二乘法拟合关键参数曲线,优化曲线后生成SPICE模型卡;最后在电路级别仿真工具使用该SPICE模型卡作为库文件进行电路仿真,验证其在复杂电路中的应用。本发明方法通过提取器件的高精度物理模型参数来反映复杂的物理效应,实现了器件仿真和电路仿真的融合,具有高精度、灵活性和成本低等特性,可用于不同工艺节点的评估和对新型器件的探索,降低研发成本、缩短开发周期,为创新设计提供有效支持。

    一种半导体器件特性测试及温度监测系统与方法

    公开(公告)号:CN118731623A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410815834.1

    申请日:2024-06-24

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件特性测试及温度监测系统与方法,通过LabVIEW软件编程,搭建用户界面、程序控制端、实验平台;实验平台中进一步设计测温模块、示波器模块、特性曲线测试模块、电压输出模块;实现对半导体器件电压、电流、信号波形、温度等多种参数的实时监测和分析。本发明具备多通道测试的能力,可以同时测量和监测多个样品;并且本发明支持多个试验的并行执行,这意味着不仅可以同时测试多个样品,还可以在同一时间内控制不同仪器执行多个不同类型的试验,在同一时间内获得更多的数据,显著提高了测试的效率,节省了时间和资源。同时,LabVIEW的图形化编程特性使其易于操作和使用,降低了操作人员的技术门槛。

    一种半导体器件位移损伤与电离总剂量协和效应仿真方法

    公开(公告)号:CN117669485A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311685630.2

    申请日:2023-12-11

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件位移损伤与电离总剂量协和效应仿真方法,首先对器件进行二维建模,并进行TCAD器件仿真,优化校准器件仿真模型;然后在基本电学模型仿真的基础上,通过定义辐照缺陷能级和缺陷密度来模拟位移损伤辐射效应,对半导体器件进行位移损伤效应仿真;再根据器件的位移损伤仿真模型,通过定义器件氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷,引入总剂量效应,对半导体器件进行位移损伤与总剂量效应协和的仿真,最后得到位移损伤与总剂量效应模型;最后根据器件发生位移损伤与总剂量协和效应后的微观物理量的分布情况。本方法运用半导体工艺和器件仿真软件TCAD进行宽禁带半导体器件位移损伤与总剂量效应协和仿真。

    一种碱性溶液析氢电催化剂NiVRu三元合金及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112553652B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202011520143.7

    申请日:2020-12-21

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种碱性溶液析氢电催化剂NiVRu三元合金及其制备方法和应用,所述碱性溶液析氢电催化剂NiVRu三元合金主要成分为Ni,其中V元素的质量百分比含量为1‑15%,Ru元素的质量百分比含量为1‑15%,Ni元素的质量百分比含量为70‑90%。本发明所述制备方法得到的碱性溶液析氢电催化剂NiVRu三元合金作为电极材料,不仅具有较好的碱性析氢性能,而且具有较低的贵金属钌含量,钌含量可以低至1%,同时表现出优良的电化学稳定性,展现了良好的碱性电解水析氢催化性能。本发明的制备方法简单、绿色环保、低成本,适合工业大规模生产。

    电子镀铜氧化物高温超导材料PCCO单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN113279061A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110563280.7

    申请日:2021-05-24

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种电子镀铜氧化物高温超导材料PCCO单晶的制备方法,首先制备得到多晶PCCO样品,然后在所述多晶PCCO样品中加入CuO,并进行双温区加热合成单晶PCCO样品。采用双温区加热合成,提高高温区和低温区的温度梯度,控制熔融状态的时间1.5小时以及1125分钟的慢速冷却,促进反应后的样品顺利结晶;并缩短样品处于双温区的时间,充分进行化学反应,避免CuO过量挥发及爬壁,防止污染样品使样品无法剥离,提高PCCO的产量。通过本发明方法制备的单晶PCCO样品具有高纯度,成品率高。

    一种碱性溶液析氢电催化剂NiVRu三元合金及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112553652A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011520143.7

    申请日:2020-12-21

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种碱性溶液析氢电催化剂NiVRu三元合金及其制备方法和应用,所述碱性溶液析氢电催化剂NiVRu三元合金主要成分为Ni,其中V元素的质量百分比含量为1‑15%,Ru元素的质量百分比含量为1‑15%,Ni元素的质量百分比含量为70‑90%。本发明所述制备方法得到的碱性溶液析氢电催化剂NiVRu三元合金作为电极材料,不仅具有较好的碱性析氢性能,而且具有较低的贵金属钌含量,钌含量可以低至1%,同时表现出优良的电化学稳定性,展现了良好的碱性电解水析氢催化性能。本发明的制备方法简单、绿色环保、低成本,适合工业大规模生产。

    一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法

    公开(公告)号:CN119849425A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202411712242.3

    申请日:2024-11-27

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法,涉及半导体仿真领域,通过获取半导体器件的工艺结构参数和材料参数,在仿真软件中构建二位元胞结构模型仿真模拟得到热源,然后根据半导体器件结构特点构建半导体器件的三维多栅指结构模型,将仿真对象从二维元胞结构扩展到更加复杂的三维多栅指结构,再将二维元胞结构仿真模拟得到的热源导入三维模型中进行多物理场仿真模拟,并对多物理场仿真结果进行热力学分析。通过本发明能够模拟热场、应力场等多个物理场的相互作用,用于复杂结构和环境下的多场耦合分析,可以更全面地分析半导体器件在多物理场作用下的热力特性,为优化器件设计、提升其在高压、高温和辐射环境下的性能和可靠性提供更为准确的仿真依据。

    一种航天器在轨空间风险管理系统

    公开(公告)号:CN114817206B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202210397578.X

    申请日:2022-04-15

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种航天器在轨空间风险管理系统,包括数据处理模块、载荷状态监视模块和环境态势显示模块,数据处理模块对航天器回传的数据进行预处理,包括三个子模块:数据解包、滤波处理和数据存储,以还原物理量、对缺失的数据进行卡尔曼滤波处理计算获得缺失数据的预估值、管理数据并存储;载荷状态监视模块读取所述数据处理模块处理后的载荷状态数据,按照选择的时间点或时间范围调用数据库相应的载荷数据,基于该载荷数据计算该时间范围内航天器所处空间环境的载荷数据平均值并显示,将该计算结果生成报表保存;环境态势显示模块按照选择的时间点或时间范围读取航天器的环境态势,并计算该时间点前后一段时间内环境态势的平均值并显示。

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