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公开(公告)号：CN119720622A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411498996.3
申请日：2024-10-25
Applicant: 扬州大学 , 上海宇航系统工程研究所
IPC: G06F30/23 , G06F119/14 , G06F113/26
Abstract: 本发明涉及基于特定模型的复合材料预测领域，公开了一种基于蒙卡‑有限元模拟碳纤维复合材料缺陷的力学性能仿真方法，通过在蒙特卡罗软件中构建碳纤维复合材料RVE模型，设置辐照物理反应过程，进行中子辐照仿真模拟，得到材料内部空隙缺陷信息，并在有限元软件中构建含空隙缺陷的有限元RVE模型，获取整体RVE模型的弹性常数矩阵，构建宏观拉伸有限元模型，对宏观模型进行材料参数设置以及仿真边界条件设置，进行宏观拉伸仿真，得到仿真力学数据。通过本发明解决了辐照实验和力学实验成本高、时间长的问题，在为碳纤维复合材料在核辐射场景下的可靠性评估研究提供了技术基础，节省了大量的时间和经济成本。
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公开(公告)号：CN114691717A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210402325.7
申请日：2022-04-18
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F16/242 , G06F16/2458 , G06F16/248 , G06F16/25 , G06F16/28 , G06F16/29 , G06F9/451 , G06Q10/06 , G08B21/18 , G08B7/06
Abstract: 本发明公开了一种基于STK与QT交互的卫星危险性评估可视化方法，通过QT，将STKX组件以ActiveX控件的形式集成显示在GUI上，所述卫星危险性评估所需的数据以及模型预存在MySQL数据库中，所述MySQL数据库与QT预设的数据接口进行数据的输入和输出；所述卫星危险性评估所针对的卫星运行场景预存在所述MySQL数据库中，并经选择读取后载入所述ActiveX控件中，或者根据需要通过GUI建立新的卫星运行场景；所述卫星危险性评估包括在所述卫星运行场景下的单粒子风险评估，并将评估结果显示在GUI上。
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公开(公告)号：CN119830850A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411712245.7
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G16C60/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高低温循环条件下功率半导体器件仿真方法，通过获取功率半导体器件结构参数和材料参数，构建元胞三维模型，在此基础上构建半导体器件整体与元胞复合模型，并进行网格划分，在复合模型中添加温度载荷进行仿真模拟，并对模拟结果进行分析评估。本发明建立了半导体器件整体模型与元胞模型的耦合关系，综合了半导体器件整体与元胞模型之间不同尺寸维度，有效考虑了不同维度模型之间的相互作用，能够全面揭示半导体器件在高低温循环中的真实表现。
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公开(公告)号：CN118915200A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410972228.0
申请日：2024-07-19
Applicant: 扬州大学
IPC: G02B1/113 , B05D7/14 , B05D3/00 , B05D1/00 , B05D5/00 , B05D1/38 , B05D7/00 , G02B1/14 , G02B5/02 , G02B5/00 , C09D1/00
Abstract: 本发明公开了一种防护波长1064NM激光的薄膜结构及其制备方法，用于制备一种防护波长1064NM激光的薄膜结构，包括以下步骤：在预处理后的基材表面涂覆SiO2悬浊液，形成SiO2涂层；对基材进行烘干,在基材上形成SiO2薄膜；对SiO2涂层添加微凸点，在SiO2薄膜上形成防护膜结构。本发明可以有效的提高其在1064nm波长的激光辐照下薄膜的反射率，有助于开展针对性的抗辐射加固设计，满足空间防护膜在航天、核工业领域的需求。
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公开(公告)号：CN114878921B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210484943.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119691415A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411498420.7
申请日：2024-10-25
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F18/21 , G06F18/214 , G06N3/06 , G06N3/048
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的射频微系统三维封装工艺良率预测方法，首先，将射频微系统封装工艺流程划分为四个关键工艺步骤，收集各步骤中涉及的工艺参数与相应的良率信息；然后构建多层次神经网络架构，包括四个子网络和一个主网络，四个子网络分别对应封装过程中的四个关键工艺步骤，根据输入的工艺参数与相应的良率信息，预测出各关键工艺步骤的良率，主网络整合四个子网络的输出和输入参数，对整个射频微系统封装工艺良率进行最终预测；最后将多层次神经网络架构集成到射频微系统的三维封装工艺管理系统中，进行实时良率预测和预警，优化调整工艺流程，提高封装工艺的成功率，减少因缺陷导致的成品失效，最终提高生产效率和经济效益。
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公开(公告)号：CN114676571B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210305326.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法，基于TCAD的仿真平台，针对功率器件建立电学模型和单粒子模型，在不同的重离子辐照条件、不同的入射位置以及不同偏置条件下，对功率器件发生的单粒子硬错误进行鉴别；并对SEB和SEGR两种破坏性的瞬态过程通过程序跟踪某些重要电参量随时间的演变过程，更有针对性对功率器件单粒子硬错误的机理进一步研究。本发明提供了一种功率器件发生SEB及SEGR两种单粒子硬错误的鉴别方法，能够鉴别出在固定条件下功率器件发生哪种单粒子硬错误，是一种快速、耗时少、经济的鉴别方法，能够为功率器件在航天型号工程中的防护设计提供技术支持。
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公开(公告)号：CN114692535A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210401979.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN113569512A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110837558.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种P型栅GaNHEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法，基于建立的单粒子烧毁模型，可以精确计算单粒子烧毁时器件内部电参数空间分布特性、器件的安全工作电压范围，确定器件内部单粒子烧毁敏感区域，可实现P型栅GaNHEMT器件单粒子烧毁的敏感性评价，为其空间应用防护设计提供技术保障。
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公开(公告)号：CN119940071A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411769533.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/10 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了辐射环境下预测微系统互连产品的信号传输能力的方法，涉及电子工程、辐射影响分析和机器学习技术领域。本发明解决微系统器件在辐射环境下信号完整性受到影响的问题，通过对不同器件在辐射作用下的响应进行系统化分析与建模，以有效评估和预测各种微系统器件在辐射条件下的性能变化。这将有助于提升微系统器件在辐射环境中的可靠性，确保其在关键应用中的正常运作。
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