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公开(公告)号：CN119619795A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411650971.0
申请日：2024-11-19
Applicant: 扬州大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种SiP微系统芯片内部单粒子故障传输测试方法，属于集成电路单粒子效应测试技术领域。本发明方法通过对SiP核心处理芯片FPGA的各关键节点和SiP单粒子软错误传输路径分析，通过仿真进行FPGA敏感模块的单粒子检测，得到FPGA在不同工作模式下产生的单粒子故障对SiP器件工作状态的影响，以及FPGA芯片各敏感模块的单粒子翻转和单粒子功能中断的试验数据，计算得到FPGA各敏感模块的单粒子截面，解决了SiP单粒子效应地面测试不准确、故障传输路径和数据难以获得的问题，为SiP单粒子地面模拟试验提供了依据。
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公开(公告)号：CN119720903A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411607282.1
申请日：2024-11-12
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种基于TCAD提取半导体器件SPICE模型的仿真方法，属于集半导体器件技术领域。将TCAD仿真与SPICE模型提取相结合，首先通过TCAD仿真模拟软件建立半导体器件模型，提取关键参数曲线；然后采用最小二乘法拟合关键参数曲线，优化曲线后生成SPICE模型卡；最后在电路级别仿真工具使用该SPICE模型卡作为库文件进行电路仿真，验证其在复杂电路中的应用。本发明方法通过提取器件的高精度物理模型参数来反映复杂的物理效应，实现了器件仿真和电路仿真的融合，具有高精度、灵活性和成本低等特性，可用于不同工艺节点的评估和对新型器件的探索，降低研发成本、缩短开发周期，为创新设计提供有效支持。
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公开(公告)号：CN116306428A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310283439.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 扬州大学 , 扬州扬福科技有限公司
IPC: G06F30/34 , G06T17/20 , G06F30/331
Abstract: 本发明公开了一种SRAM型FPGA的辐射效应仿真方法，采用器件级建模仿真和电路级建模仿真相结合的方式，可以实现FPGA总剂量效应和单粒子效应协合作用的模拟仿真，分析多种辐射效应对FPGA工作状态的影响，解决了加速器资源有限、辐照粒子能量不易调节、经济成本高的问题，有助于掌握器件内部微观参数变化和揭示损伤机理，可以实现对器件辐射损伤敏感性评价，为开展FPGA抗辐射评价和加固设计提供技术支撑，具有经济、便捷等特点，可以用于器件抗辐照能力的评价中，有助于提高器件在航天工程应用中可靠性。
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公开(公告)号：CN118297018A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410375553.9
申请日：2024-03-29
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于器件级与电路级相结合的微系统单粒子效应仿真方法，构建器件内核心单元的MOSFET电学模型，基于电学模型进行单粒子效应的器件级仿真，模拟粒子入射器件敏感区域时的单粒子瞬态脉冲电流；根据微系统的电路结构，并基于所述电学模型构建电路级仿真模型；将单粒子瞬态脉冲电流拟合为双指数电流源，作为故障注入到电路级仿真模型的敏感节点中，获得单粒子效应的电路级仿真结果。本方法结合了器件级仿真和电路级仿真的优点，提高单粒子效应的仿真速度与精度。
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公开(公告)号：CN119740535A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411574942.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F30/25
Abstract: 本发明公开了一种逐次逼近型模数转换器的单粒子效应模拟方法，利用TCAD及SPICE相结合的方法，通过TCAD模拟仿真获得器件的电学曲线数据提取为库文件，SPICE调用该库文件并进行电路建模，可以实现ADC器件单粒子效应的模拟，可以得到不同LET、不同角度下，单粒子效应对ADC器件输出的影响情况，深入揭示单粒子效应的故障传播规律。解决了ADC器件辐射实验加速器资源有限、经济成本高、测试方法设计复杂等问题，为开展模数转换器抗辐射评价和加固设计提供技术支撑。
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