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公开(公告)号：CN119830850A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411712245.7
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G16C60/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高低温循环条件下功率半导体器件仿真方法，通过获取功率半导体器件结构参数和材料参数，构建元胞三维模型，在此基础上构建半导体器件整体与元胞复合模型，并进行网格划分，在复合模型中添加温度载荷进行仿真模拟，并对模拟结果进行分析评估。本发明建立了半导体器件整体模型与元胞模型的耦合关系，综合了半导体器件整体与元胞模型之间不同尺寸维度，有效考虑了不同维度模型之间的相互作用，能够全面揭示半导体器件在高低温循环中的真实表现。
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公开(公告)号：CN119849425A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411712242.3
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G16C60/00 , G01R31/26 , G01D21/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法，涉及半导体仿真领域，通过获取半导体器件的工艺结构参数和材料参数，在仿真软件中构建二位元胞结构模型仿真模拟得到热源，然后根据半导体器件结构特点构建半导体器件的三维多栅指结构模型，将仿真对象从二维元胞结构扩展到更加复杂的三维多栅指结构，再将二维元胞结构仿真模拟得到的热源导入三维模型中进行多物理场仿真模拟，并对多物理场仿真结果进行热力学分析。通过本发明能够模拟热场、应力场等多个物理场的相互作用，用于复杂结构和环境下的多场耦合分析，可以更全面地分析半导体器件在多物理场作用下的热力特性，为优化器件设计、提升其在高压、高温和辐射环境下的性能和可靠性提供更为准确的仿真依据。
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公开(公告)号：CN119940253A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411760200.7
申请日：2024-12-03
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种p型栅GaN HEMT器件高温栅偏性能变化分析方法，包括步骤：首先，针对p型栅GaN HEMT器件进行参数获取及二维建模，并完成精细的网格划分；接着，构建电学模型并进行优化；在验证模型与器件手册数据的一致性后，设置器件的工作条件，包括温度和偏置电压，同时引入晶格加热、陷阱和界面态、迁移率等模型，以准确模拟器件在实际工况下的表现；随后，通过引入时间模型分析不同HTGB应力时间对器件内部缺陷密度、电荷浓度及载流子浓度的影响；最终，仿真分析不同HTGB应力时间后的器件电学特性，评估器件的可靠性。本发明直观地展示了HTGB对器件性能退化的影响机制，并能评估器件性能随时间的变化趋势。
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公开(公告)号：CN119720904A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411712246.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/25 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种热‑电‑辐射多场作用下半导体器件性能仿真方法，通过获取实际半导体器件的结构和材料信息，构建器件的二维结构模型，并融合物理模型、温度模型、总剂量模型和单电子效应模型，构建热‑电‑辐射多场作用下半导体器件性能仿真模型。通过本发明能够准确仿真不同温度、不同剂量和不同电压共同作用下功率半导体器件的单粒子特征参数变化规律，不仅节约了实验成本，同时也帮助我们分析在多场作用下，通过器件内部载流子迁移率、载流子浓度、电场强度等微观参数的时空分布特性，阐明器件发生单粒子效应时的损伤机理，促进了功率半导体器件在辐射环境下的应用。
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