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公开(公告)号：CN119849425A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411712242.3
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G16C60/00 , G01R31/26 , G01D21/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法，涉及半导体仿真领域，通过获取半导体器件的工艺结构参数和材料参数，在仿真软件中构建二位元胞结构模型仿真模拟得到热源，然后根据半导体器件结构特点构建半导体器件的三维多栅指结构模型，将仿真对象从二维元胞结构扩展到更加复杂的三维多栅指结构，再将二维元胞结构仿真模拟得到的热源导入三维模型中进行多物理场仿真模拟，并对多物理场仿真结果进行热力学分析。通过本发明能够模拟热场、应力场等多个物理场的相互作用，用于复杂结构和环境下的多场耦合分析，可以更全面地分析半导体器件在多物理场作用下的热力特性，为优化器件设计、提升其在高压、高温和辐射环境下的性能和可靠性提供更为准确的仿真依据。
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公开(公告)号：CN119830850A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411712245.7
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G16C60/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高低温循环条件下功率半导体器件仿真方法，通过获取功率半导体器件结构参数和材料参数，构建元胞三维模型，在此基础上构建半导体器件整体与元胞复合模型，并进行网格划分，在复合模型中添加温度载荷进行仿真模拟，并对模拟结果进行分析评估。本发明建立了半导体器件整体模型与元胞模型的耦合关系，综合了半导体器件整体与元胞模型之间不同尺寸维度，有效考虑了不同维度模型之间的相互作用，能够全面揭示半导体器件在高低温循环中的真实表现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118981841A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410912121.7
申请日：2024-07-09
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/17 , H01L29/78 , H01L29/24 , G06F30/25 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/06 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F113/08
Abstract: 一种氧化镓MOSFET器件抗单粒子烧毁加固结构及其仿真优化方法，为了解决现有技术中存在的氧化镓MOSFET器件在空间应用时容易受到重离子辐照而发生灾难性SEB的问题，本发明在现有的平面型氧化镓MOSFET器件结构中增加了栅场板、源场板和钝化层结构；由于地面单粒子试验加速器资源有限、辐照粒子能量不易调节、经济成本高，本发明利用半导体器件仿真软件TCAD，对栅、源场板的长度以及栅源场板下方的钝化层厚度等参数进行了仿真优化，得到抗SEB性能较好的器件结构，是一种有效的技术途径，能够弥补加速器的不足，促进Ga2O3 MOSFET器件的空间应用。
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公开(公告)号：CN119940253A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411760200.7
申请日：2024-12-03
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种p型栅GaN HEMT器件高温栅偏性能变化分析方法，包括步骤：首先，针对p型栅GaN HEMT器件进行参数获取及二维建模，并完成精细的网格划分；接着，构建电学模型并进行优化；在验证模型与器件手册数据的一致性后，设置器件的工作条件，包括温度和偏置电压，同时引入晶格加热、陷阱和界面态、迁移率等模型，以准确模拟器件在实际工况下的表现；随后，通过引入时间模型分析不同HTGB应力时间对器件内部缺陷密度、电荷浓度及载流子浓度的影响；最终，仿真分析不同HTGB应力时间后的器件电学特性，评估器件的可靠性。本发明直观地展示了HTGB对器件性能退化的影响机制，并能评估器件性能随时间的变化趋势。
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公开(公告)号：CN119720904A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411712246.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/25 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种热‑电‑辐射多场作用下半导体器件性能仿真方法，通过获取实际半导体器件的结构和材料信息，构建器件的二维结构模型，并融合物理模型、温度模型、总剂量模型和单电子效应模型，构建热‑电‑辐射多场作用下半导体器件性能仿真模型。通过本发明能够准确仿真不同温度、不同剂量和不同电压共同作用下功率半导体器件的单粒子特征参数变化规律，不仅节约了实验成本，同时也帮助我们分析在多场作用下，通过器件内部载流子迁移率、载流子浓度、电场强度等微观参数的时空分布特性，阐明器件发生单粒子效应时的损伤机理，促进了功率半导体器件在辐射环境下的应用。
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公开(公告)号：CN119720476A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411507912.8
申请日：2024-10-28
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/20 , G01R31/26 , G01R31/52 , G06F30/25 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体器件单粒子漏电的仿真分析方法，首先，构建待仿真功率器件的几何模型，计算功率器件的空位缺陷密度，进行二维建模及网格划分，建立功率器件的电学模型，拟合功率器件的电学曲线；然后，引入高能粒子入射后的碰撞电离模型，优化迁移率及漏电退化参数，建立功率器件相应的漏电退化模型；最后进行损伤机理分析，通过改变辐射过程中的影响参数，提取功率器件的微观物理参数随时间的变化，进行功率器件的加固和优化。本发明方法可以准确仿真出不同粒子辐射器件的物理过程，提取宽禁带半导体器件漏电过程中不同的微观物理参数，通过建立不同漏电模型，对宽禁带半导体器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供技术基础。
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公开(公告)号：CN119514297A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411232481.9
申请日：2024-09-04
Applicant: 扬州大学 , 上海宇航系统工程研究所
Abstract: 本发明公开了基于中子辐照的CMOS图像传感器性能退化模拟与预测方法，该方法包括：根据CMOS图像传感器的器件参数构建三维仿真模型；利用蒙特卡罗方法对三维仿真模型进行中子辐照仿真模拟；建立CMOS图像传感器的像素单元阵列，在像素单元阵列中引入缺陷来模拟中子辐照产生的长期性损伤；对像素单元阵列进行采样得到噪声分布，根据噪声阈值进行滤波，得到中子辐照后的CMOS图像传感器的噪点暗场成像图，并计算CMOS图像传感器的电性能参数。本发明具有操作便捷、计算效率高、计算结果准确、经济成本低的特点，为CIS器件在核辐射场景下的可靠性评估研究提供了技术基础，节省了大量的时间和经济成本。
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