-
公开(公告)号：CN110284120B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201910207469.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种清洗方法和成膜装置。一种在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在该成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括：在成膜处理中进行控制，使得处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，在成膜处理之后实施如下的清洗处理：从原料气体供给部向处理容器内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对原料气体供给部内沉积的第二膜进行蚀刻来将其去除，在清洗处理之后实施如下的表面控制处理：使所述处理容器内沉积的第一膜的表面状态接近清洗处理之前的状态。
-
公开(公告)号：CN114388413A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111176584.4
申请日：2021-10-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 本公开提供一种舟搬入方法和热处理装置，能够在抑制了基底膜的氧化的状态下进行成膜。基于本公开的一个方式的舟搬入方法是用于将保持有基板的舟搬入处理容器内的方法，所述舟搬入方法包括以下工序：向所述处理容器内供给还原性气体；以及在所述处理容器内存在所述还原性气体的状态下将所述舟搬入所处理容器内。
-
公开(公告)号：CN113496914A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110261355.6
申请日：2021-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理装置和清洁方法。提供一种能够选择性地清洁喷射器的内部的技术。本公开的一个方式的基板处理装置具有：处理容器，其容纳基板；喷射器，其包括第1连接口和第2连接口，内部与所述处理容器内连通；排气管，其供所述处理容器内排气；原料气体导入管，其与所述第1连接口连接，向所述喷射器内导入原料气体；清洁气体导入管，其经由所述第1连接口和所述第2连接口中的一者向所述喷射器内导入清洁气体；以及通气管，其连接所述第1连接口和所述第2连接口中的另一者与所述排气管，供所述喷射器内排气。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103187268B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201210581126.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/31 , C23C8/34 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C28/04 , C23C28/42 , H01L21/02126 , H01L21/022
Abstract: 本发明提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。
-
公开(公告)号：CN112126913B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010561531.3
申请日：2020-06-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制膜沉积于气体供给管的内部并且能够均匀地供给气体的气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法。本公开的一形态的气体导入构造是向纵长的处理容器内供给处理气体的气体导入构造，所述气体导入构造具有处理气体供给管，所述处理气体供给管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向延伸，并且具有沿着该长度方向形成的多个气体喷出孔，从所述处理气体供给管的一端朝向另一端向所述处理气体供给管导入处理气体，向所述处理气体供给管的比所述一端靠近所述另一端这一侧供给稀释气体。
-
公开(公告)号：CN110284120A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910207469.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种清洗方法和成膜装置。一种在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在该成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括：在成膜处理中进行控制，使得处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，在成膜处理之后实施如下的清洗处理：从原料气体供给部向处理容器内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对原料气体供给部内沉积的第二膜进行蚀刻来将其去除，在清洗处理之后实施如下的表面控制处理：使所述处理容器内沉积的第一膜的表面状态接近清洗处理之前的状态。
-
公开(公告)号：CN103187268A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210581126.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/31 , C23C8/34 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C28/04 , C23C28/42 , H01L21/02126 , H01L21/022
Abstract: 本发明提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。
-
公开(公告)号：CN112126913A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010561531.3
申请日：2020-06-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制膜沉积于气体供给管的内部并且能够均匀地供给气体的气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法。本公开的一形态的气体导入构造是向纵长的处理容器内供给处理气体的气体导入构造，所述气体导入构造具有处理气体供给管，所述处理气体供给管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向延伸，并且具有沿着该长度方向形成的多个气体喷出孔，从所述处理气体供给管的一端朝向另一端向所述处理气体供给管导入处理气体，向所述处理气体供给管的比所述一端靠近所述另一端这一侧供给稀释气体。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
