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公开(公告)号：CN109727843B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201811286392.7
申请日：2018-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: [课题]本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。[解决方案]在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN108070847B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201711121710.X
申请日：2017-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及气体喷射器和立式热处理装置。该气体喷射器设置于立式热处理装置，用于向立式的反应容器内供给在基板上成膜用的成膜气体，将基板保持器具向在周围配置有加热部的反应容器内输入来对多个基板进行热处理，该基板保持器具沿上下方向将多个基板排列成搁板状来进行保持，该气体喷射器具备：筒状的喷射器主体，其以沿上下方向延伸的方式配置于反应容器内，沿上下方向在喷射器主体形成有多个气体供给孔；以及筒状的气体导入管，其沿上下方向以与喷射器主体成为一体的方式设置，该气体导入管具备：气体接受口，其接受成膜气体；以及气体导入口，其与喷射器主体的内部空间连通，该气体导入口向该内部空间导入成膜气体。
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公开(公告)号：CN109950177B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811563933.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
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公开(公告)号：CN104073781B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201410123720.7
申请日：2014-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C14/22 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/52
Abstract: 一种供气装置的控制方法以及基板处理系统。该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路。该供气装置的控制方法具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；以及从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气输送上述原料气的工序。
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公开(公告)号：CN108070847A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711121710.X
申请日：2017-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/402 , C23C16/4412 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , C23C16/45525 , C23C16/45548 , H01L21/31 , H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及气体喷射器和立式热处理装置。该气体喷射器设置于立式热处理装置，用于向立式的反应容器内供给在基板上成膜用的成膜气体，将基板保持器具向在周围配置有加热部的反应容器内输入来对多个基板进行热处理，该基板保持器具沿上下方向将多个基板排列成搁板状来进行保持，该气体喷射器具备：筒状的喷射器主体，其以沿上下方向延伸的方式配置于反应容器内，沿上下方向在喷射器主体形成有多个气体供给孔；以及筒状的气体导入管，其沿上下方向以与喷射器主体成为一体的方式设置，该气体导入管具备：气体接受口，其接受成膜气体；以及气体导入口，其与喷射器主体的内部空间连通，该气体导入口向该内部空间导入成膜气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102776490B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210140275.6
申请日：2012-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/448 , C30B25/14 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4482 , C23C16/455 , C23C16/45557 , G05D16/00 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/67115 , Y10T137/0324 , Y10T137/0396 , Y10T137/7722
Abstract: 一种气体供给装置、热处理装置、气体供给方法及热处理方法，该气体供给装置具有使用载气将原料积存槽内的原料气体向处理容器进行供给的原料气体供给系统，该气体供给装置具备：载气通路，其向原料积存槽内导入载气；原料气体通路，其连结原料积存槽与处理容器，并流通载气与原料气体；压力调整气体通路，其与原料气体通路连接，并供给压力调整气体；以及阀控制部，其按开始第1工序，之后进行第2工序的方式控制开闭阀，其中，在该第1工序中开始向处理容器供给压力调整气体，同时开始利用载气将原料气体从原料积存槽向处理容器内供给，在该第2工序中停止供给压力调整气体。
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公开(公告)号：CN109509698B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201811062556.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的氧化硅膜的、形成氧化硅膜的方法和装置。在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，在氧化硅膜和所述氮化硅膜露出的被处理面形成成为牺牲膜的隔离氮化硅膜；以及第三工序，接着向被处理体供给热能和氧自由基以及氢自由基，将隔离氮化硅膜置换为氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN109727843A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811286392.7
申请日：2018-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/32105 , H01L21/67011 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L23/53295 , H01L27/11582 , H01L29/40117
Abstract: 本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN104073781A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410123720.7
申请日：2014-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C14/22 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/52
Abstract: 一种供气装置的控制方法以及基板处理系统。该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路。该供气装置的控制方法具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；以及从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气输送上述原料气的工序。
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公开(公告)号：CN109950177A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811563933.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
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