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公开(公告)号：CN100536076C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200580045356.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
Abstract: 为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。
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公开(公告)号：CN101082817B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200710108521.9
申请日：2007-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明提供一种信息处理装置(100)，处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置(200)的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部(101)、接受取得值的状态值接受部(102)、与作为表示设定值和取得值关系的函数的校正函数相应地算出取得值的校正量的校正量算出部(103)、利用校正量算出部(103)算出的校正量校正状态值接受部(102)接受的取得值的校正部(104)、和输出校正部(104)已校正的结果的输出部(105)。能够解决现有的信息处理装置中关于用不同的设定值进行的处理，难以容易地监视从各个半导体制造装置取得的值的问题。
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公开(公告)号：CN101291551A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810091489.2
申请日：2008-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B17/0025
Abstract: 本发明提供一种加热器线材的寿命预测方法，在应用于热处理装置的加热器线材断线之前对其寿命事先进行预测时，通过利用加热器线材的断线的征兆容易显现的期间(例如升温期间)的数据，能够比现有技术更准确地预测加热器线材的寿命。在对晶片进行热处理之前，在向加热器线材供给电力直至使其升温至热处理温度的升温期间，对供向加热器线材的电力的大小的最大值进行检测，并且求取表示电力的振幅的大小的指标，当这些电力的大小和表示电力的振幅的大小的指标超过各自的阈值时通知加热器线材的寿命将结束。
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公开(公告)号：CN104928647B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510117064.4
申请日：2015-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/4408 , C23C16/45529 , C23C16/45531
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。在成膜方法中,在真空气氛中形成含有掺杂元素的薄膜,其包括以下工序:吸附工序,自原料气体供给部向成为真空气氛的处理容器内供给原料气体并使该原料气体的原料吸附在基板上;掺杂工序,多次重复自掺杂气体供给部向处理容器内供给含有掺杂元素的掺杂气体并将掺杂气体封闭在处理容器内的步骤和对处理容器内进行真空排气的步骤;供给工序,自反应气体供给部向处理容器内供给用于与原料发生反应而生成反应生成物的反应气体;以及置换工序,该置换工序是在各工序之间进行的,置换处理容器内的气氛,边使防逆流用气体自原料气体供给部、掺杂气体供给部及反应气体供给部向处理容器内流动,边进行掺杂工序。
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公开(公告)号：CN101501658B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200780028213.3
申请日：2007-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05B23/0213 , H01L21/67276
Abstract: 以往的服务器装置存在无法有选择地输出与子配方对应的选择信息的问题。本发明提供一种服务器装置，具备：测定信息保存部(1201)，其可保存多个测定信息，该测定信息是具有由制造装置(11)执行规定配方时的测定值和表示时刻的时刻信息的信息；指示接收部(1205)，其接收测定信息的输出指示；测定信息取得部，其从测定信息保存部中取得由输出指示指定的测定信息；输出信息构成部(1206)，其构成使用了所取得的测定信息的输出信息；以及输出部，其输出输出信息构成部(1206)所构成的输出信息；输出指示具有指定在配方中被执行多次的子配方当中、在1个以上的期望次中被执行的子配方的指示，测定信息取得部(1203)取得与由输出指示指定的子配方对应的测定信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101291551B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810091489.2
申请日：2008-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B17/0025
Abstract: 本发明提供一种加热器线材的寿命预测方法，在应用于热处理装置的加热器线材断线之前对其寿命事先进行预测时，通过利用加热器线材的断线的征兆容易显现的期间(例如升温期间)的数据，能够比现有技术更准确地预测加热器线材的寿命。在对晶片进行热处理之前，在向加热器线材供给电力直至使其升温至热处理温度的升温期间，对供向加热器线材的电力的大小的最大值进行检测，并且求取表示电力的振幅的大小的指标，当这些电力的大小和表示电力的振幅的大小的指标超过各自的阈值时通知加热器线材的寿命将结束。
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公开(公告)号：CN102096412A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010601253.6
申请日：2007-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05B23/0221 , G05B2219/32184 , G05B2219/32192 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种信息处理装置(100)，处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置(200)的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部(101)、接受取得值的状态值接受部(102)、与作为表示设定值和取得值关系的函数的校正函数相应地算出取得值的校正量的校正量算出部(103)、利用校正量算出部(103)算出的校正量校正状态值接受部(102)接受的取得值的校正部(104)、和输出校正部(104)已校正的结果的输出部(105)。能够解决现有的信息处理装置中关于用不同的设定值进行的处理，难以容易地监视从各个半导体制造装置取得的值的问题。
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公开(公告)号：CN101423935A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810179998.0
申请日：2008-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的控制方法。根据设定温度分布对基板实施成膜处理，上述设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序。基于温度－膜厚－第一关系、实际的处理例中的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。计算根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布进行处理的基板的多个部位的预计膜厚。在相对于规定的目标膜厚预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，变更第一时间、第二时间和第三时间中的至少任一个。
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公开(公告)号：CN101095214A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045356.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
Abstract: 为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。
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公开(公告)号：CN101082817A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710108521.9
申请日：2007-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种信息处理装置(100)，处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置(200)的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部(101)、接受取得值的状态值接受部(102)、与作为表示设定值和取得值关系的函数的校正函数相应地算出取得值的校正量的校正量算出部(103)、利用校正量算出部(103)算出的校正量校正状态值接受部(102)接受的取得值的校正部(104)、和输出校正部(104)已校正的结果的输出部(105)。能够解决现有的信息处理装置中关于用不同的设定值进行的处理，难以容易地监视从各个半导体制造装置取得的值的问题。
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