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公开(公告)号：CN112582300B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010977279.4
申请日：2020-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 村上博纪
IPC: H01L21/67 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。[课题]提供一种技术：其可以防止RuO2的生成所导致的蚀刻的停止，且可以改善蚀刻所导致的钌膜的表面粗糙。[解决方案]一种基板处理方法，其重复多次包括如下工序的循环：对包含钌膜的基板供给含氢气体，将前述钌膜的氧化物进行还原的工序；和，对前述基板供给含氧气体，将前述钌膜进行氧化并蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN103928316A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410021187.3
申请日：2014-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02164 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/32105 , H01L21/67757
Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法。该方法具备：(1)在被处理体的作为被处理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)将前述硅膜氧化而在前述基底上形成硅氧化物膜的工序；在前述(1)工序和前述(2)工序之间，具备：(3)在将前述硅膜氧化之前，将形成有前述硅膜的前述被处理体暴露于至少包含氧化成分的气氛中的工序。
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公开(公告)号：CN116065139B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202211326911.4
申请日：2022-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高形成金属膜的区域的选择性。成膜方法包括下述(A)～(C)。(A)准备在表面具有含硼的第一膜、以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板。(B)对所述基板的所述表面供给含卤素和卤素以外的元素X的原料气体。(C)对所述基板的所述表面供给等离子体化后的包含氧的反应气体。在所述成膜方法中，通过交替地进行所述原料气体的供给和所述等离子体化后的所述反应气体的供给，来相对于所述第一膜选择性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三模是所述元素X的氧化膜。
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公开(公告)号：CN111424258B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201911393207.9
申请日：2019-12-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 村上博纪
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及氮化膜的成膜方法及氮化膜的成膜装置。本发明的课题是提供在低温下能够形成氮化膜且能够减少形成有氮化膜的基底的损伤的技术。氮化膜的成膜方法多次重复包括如下工序的循环：将包含待氮化的元素的原料气体供给至基板，并在前述基板上形成包含前述元素的层的工序；对包含氢气的改性气体进行等离子体化，并利用经等离子体化的前述改性气体对包含前述元素的层进行改性的工序；和，利用热对包含氮的氮化气体进行活化，并通过利用热进行了活化的前述氮化气体对包含前述元素的层进行热氮化的工序。
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公开(公告)号：CN114512398A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111326876.1
申请日：2021-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统。基板处理方法包括将具有形成有凹部的第一膜和掩模的基板搬入第一腔室内的工序、将设基板的温度为200℃以上的工序、向第一腔室内供给含硅反应种并使含硅反应种吸附于凹部的侧壁的工序、向第一腔室内供给含氮反应种来在凹部的侧壁形成第二膜的工序、将基板搬入第二腔室内的工序、将基板的温度设为100℃以下的工序以及对凹部的底部进行蚀刻的工序。另外，第二膜的膜厚为20nm以下，凹部的底部的膜厚与凹部的上部侧壁的膜厚之比为0.7以上。另外，按照所记载的顺序重复执行上述各工序，直至从掩模的开口部起至凹部的底部为止的深度尺寸与掩模的开口尺寸之比成为50以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928316B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201410021187.3
申请日：2014-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02164 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/32105 , H01L21/67757
Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法。该方法具备：(1)在被处理体的作为被处理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)将前述硅膜氧化而在前述基底上形成硅氧化物膜的工序；在前述(1)工序和前述(2)工序之间，具备：(3)在将前述硅膜氧化之前，将形成有前述硅膜的前述被处理体暴露于至少包含氧化成分的气氛中的工序。
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公开(公告)号：CN103094077A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210421314.X
申请日：2012-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/32105 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。
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公开(公告)号：CN101789361B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010106483.5
申请日：2010-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及其使用方法。成膜装置的使用方法在反应室内以主清洁处理和后清洁处理这样的顺序进行主清洁处理和后清洁处理。主清洁处理一边对反应室内进行排气、一边将含氟的清洁气体供给到反应室内从而对含硅的成膜副生成物进行蚀刻。后清洁处理为了去除由主清洁处理产生且残留在反应室内的含硅氟化物，交替地反复多次进行以下2个工序：①将氧化气体供给到反应室内而来氧化含硅氟化物从而将其转换成中间生成物的工序，以及②一边对反应室内进行排气、一边将氟化氢气体供给到反应室内来使该氟化氢气体与中间生成物发生反应而去除该中间生成物的工序。
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公开(公告)号：CN102560417A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110433909.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45525
Abstract: 本发明提供一种即使是极薄膜状态也能够使物理特性和电特性优异的氮化硅膜成膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为氮化硅膜的晶种的晶种层(步骤2～4)。
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公开(公告)号：CN102234786A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110107275.1
申请日：2011-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
Abstract: 本发明提供一种非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括如下工序：对基底进行加热，使氨基硅烷系气体流经加热后的基底，在基底的表面形成晶种层；对基底进行加热，向加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体，使不含氨基的硅烷系气体热分解，从而在晶种层上形成非晶体硅膜。
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