公开(公告)号：CN117998844A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311394484.8

申请日：2023-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池尻将拓 ,  寺林真辉 ,  前川浩治 ,  秋山浩二

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明为半导体装置的制造方法和半导体装置。[课题]提供能实现使用了氧化物系高介电常数膜的电容器的低CET化的半导体装置的制造方法和半导体装置。[解决方案]半导体装置的制造方法具备如下工序：在基板上形成由含Ti膜形成的下部电极的工序；在下部电极上形成铌氧化膜的工序；在铌氧化膜上形成氧化物系高介电常数膜的工序；在氧化物系高介电常数膜上形成上部电极的工序；和，进行退火的工序，经过形成氧化物系高介电常数膜的工序、上形成部电极的工序和进行退火的工序，从而将铌氧化膜改性成以氧化数小于Nb2O5的铌氧化物为主体的低氧化数铌氧化膜。

公开(公告)号：CN119895550A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380067090.3

申请日：2023-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池尻将拓 ,  秋山浩二 ,  藤原直宪 ,  山崎和良

IPC: H01L21/316 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有如下步骤：在基板上形成下部电极；在下部电极上形成由包含4价金属阳离子的氧化物构成的高介电常数膜；在高介电常数膜上形成由包含5价金属阳离子的氧化物构成的氧化物膜；通过使高介电常数膜与氧化物膜反应，形成包含4价金属阳离子的氧化物与包含5价金属阳离子的氧化物混合而成的具有导电性的混合层；以及形成上部电极。