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公开(公告)号：CN117998844A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311394484.8
申请日：2023-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明为半导体装置的制造方法和半导体装置。[课题]提供能实现使用了氧化物系高介电常数膜的电容器的低CET化的半导体装置的制造方法和半导体装置。[解决方案]半导体装置的制造方法具备如下工序：在基板上形成由含Ti膜形成的下部电极的工序；在下部电极上形成铌氧化膜的工序；在铌氧化膜上形成氧化物系高介电常数膜的工序；在氧化物系高介电常数膜上形成上部电极的工序；和，进行退火的工序，经过形成氧化物系高介电常数膜的工序、上形成部电极的工序和进行退火的工序，从而将铌氧化膜改性成以氧化数小于Nb2O5的铌氧化物为主体的低氧化数铌氧化膜。
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