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公开(公告)号：CN110176399B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201910126852.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C16/24 , C23C16/14 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种钨膜的成膜方法、成膜系统以及存储介质。提供能够谋求钨膜的低电阻化的技术。钨膜的成膜方法具有如下工序：将在表面形成有保护膜的基板配置于处理容器内、并在减压气氛下在基板对硅膜进行成膜的工序；向形成有硅膜的基板供给氯化钨气体而对初始钨膜进行成膜的工序；以及向形成有初始钨膜的基板供给含钨气体而对主钨膜进行成膜的工序。
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公开(公告)号：CN110923659B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201910875193.8
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14 , C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法及基板处理系统。本发明的课题是提供能够密合性良好地形成低电阻的钨膜的技术。基于本公开的一个方式的成膜方法具备如下工序：在减压状态下在基底上形成含Al膜的工序；和，在前述形成含Al膜的工序之后，在将前述含Al膜不暴露于空气中的情况下，在减压状态下插入吹扫地交替重复进行B2H6气体的供给和WF6气体的供给，在前述含Al膜上形成初始钨膜的工序。
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公开(公告)号：CN102446728A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110303695.7
申请日：2011-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 抑制由从通过等离子体氮化处理所形成的氧化氮化硅膜的N脱落造成的膜中氮浓度的降低，将被处理体间、组间的氮浓度的波动降到最小限度。绝缘膜的改性方法中，进行对在被处理体的表面露出的氧化硅膜进行等离子体氮化处理，形成氧化氮化硅膜的氮化处理工序，和对上述氧化氮化硅膜的表面进行氧化处理的改性工序，从氮化处理工序结束到上述改性工序开始之间，维持真空气氛。另外，在将氮化处理工序刚结束后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度设为NC0、将改性工序后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度的目标值设为NCT时，进行等离子体氮化处理使得NC0＞NCT。
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公开(公告)号：CN101133479A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680006982.9
申请日：2006-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32633 , H01L21/318
Abstract: 本发明涉及一种在处理容器内生成处理气体的等离子体，对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，该等离子体处理装置具有设置于处理容器内的等离子体生成部和基座(2)之间的气体通过板(60)。该气体通过板(60)的贯通孔形成区域(61)包含与基座(2)上的基板(W)相对应的区域以及其外部区域，贯通孔形成区域(61)具有：与基板(W)的中央部分相对应的第一区域(61a)；配置在第一区域(61a)外周的第二区域(61b)；和配置在第二区域(61b)外周的包含基板(W)的外部区域的第三区域(61c)，并且第一区域(61a)的贯通孔(62a)的直径最小，第三区域(61c)的贯通孔(62c)的直径最大。
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公开(公告)号：CN110176399A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910126852.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C16/24 , C23C16/14 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种钨膜的成膜方法、成膜系统以及存储介质。提供能够谋求钨膜的低电阻化的技术。钨膜的成膜方法具有如下工序：将在表面形成有保护膜的基板配置于处理容器内、并在减压气氛下在基板对硅膜进行成膜的工序；向形成有硅膜的基板供给氯化钨气体而对初始钨膜进行成膜的工序；以及向形成有初始钨膜的基板供给含钨气体而对主钨膜进行成膜的工序。
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公开(公告)号：CN110055511A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910043244.0
申请日：2019-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/12 , C23C16/14 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供一种钨膜的成膜方法和成膜系统。在薄膜化了的情况下也谋求钨膜的低电阻化。一种钨膜的成膜方法，将在表面形成有TiN膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下对基板进行加热，同时在基板的表面对钨膜进行成膜，其中，该钨膜的成膜方法具有在基板对含铝材料的第1膜进行成膜的工序和在第1膜之上对钨膜进行成膜的工序。
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公开(公告)号：CN108796470A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810384157.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/02 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。在一个方式中，提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序：在基板上形成包含金属的不连续膜；以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。在形成不连续膜的工序中，例如将第一原料气体和氮化气体交替地同载气一起供给。在形成钨膜的工序中，例如将第二原料气体和还原气体交替地同载气一起供给。
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公开(公告)号：CN106191815A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610364429.8
申请日：2016-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45527 , H01L21/28562 , H01L21/76877 , H01L27/11582 , C23C16/45523
Abstract: 本发明提供一种金属膜的成膜方法。在使用氯化物原料在具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板上形成金属膜的情况下，能够在任何部分都形成膜。在该金属膜的成膜方法中，隔着被保持在减压气氛下的腔室内的吹扫，在按顺序向腔室内供给作为原料气体的金属氯化物气体以及对金属氯化物进行还原的还原气体而在配置于所述腔室内的具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板形成金属膜时，交替地实施相对地减少金属氯化物原料的供给量而形成第一金属膜的工序和相对地增多金属氯化物原料的供给量而形成第二金属膜的工序。
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公开(公告)号：CN102090153A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980103949.1
申请日：2009-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H05H1/46 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，其中，对用于形成等离子体的微波进行放射的平面天线(31)，在其表面以同心状被分为中央区域(31a)、外周区域(31c)、中央区域和外周区域的中间区域(31b)的情况下，朝向各异的微波放射孔(32)的对以同心圆状在中央区域(31a)以及所述外周区域(31c)配列多个，在中间区域(31b)上不形成微波放射孔，微波透过板(28)在其微波放射面上形成有凹部(28a)。
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公开(公告)号：CN108807166B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201810384783.6
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/14 , C23C16/455
Abstract: 提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。形成钨膜的方法包括以下工序：在基板上形成第一钨膜的工序；以及在第一钨膜上形成第二钨膜的工序。在形成第一钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和乙硼烷气体交替地同第一载气一起供给到基板。在形成第二钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和氢气交替地同第二载气一起供给到具有第一钨膜的基板。第一载气为氮气。第二载气由至少一种非活性气体构成，以第二载气的全部流量的70％以上的流量的比例含有稀有气体。
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