公开(公告)号：CN1270358C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN02809018.7

申请日：2002-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  秋山浩二 ,  古泽纯和 ,  青木公也

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/909

Abstract: 一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN114144895A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080052140.7

申请日：2020-07-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村源志 ,  铃木启介 ,  青木公也

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/11582

Abstract: 半导体装置具备电荷储存膜、电极、第一阻挡膜以及第二阻挡膜。第一阻挡膜设于电荷储存膜与电极之间。第二阻挡膜设于第一阻挡膜与电荷储存膜之间。此外，第一阻挡膜为包含钽的氧化膜，第一阻挡膜的介电常数比第二阻挡膜的介电常数大。

公开(公告)号：CN1518760A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN02809018.7

申请日：2002-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  秋山浩二 ,  古泽纯和 ,  青木公也

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/909

Abstract: 一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN1713367A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510077720.9

申请日：2005-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  青木公也 ,  梅沢好太

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种被处理体的氧化方法，在可抽真空的处理容器(22)内，收存表面形成有槽部(4)的被处理体(W)，向上述处理容器内供给氧化性气体和还原性气体，在具有使上述两气体进行反应而产生的氧活性种和氢氧基活性种的环境气氛中，对上述被处理体的表面进行氧化，其中：将上述氧化时的处理容器内的温度设定为900℃以下。由此，不仅沟槽(槽部)的肩部的棱部，底部的棱部也一同倒为圆形，成为曲面形状，防止小面的发生。