公开(公告)号：CN103700700A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310435417.6

申请日：2013-09-23

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通半导体股份有限公司

Inventor： 多木俊裕 ,  佐藤勇一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：化合物半导体堆叠结构；在化合物半导体堆叠结构上方彼此分离地形成的源电极和漏电极；在化合物半导体堆叠结构上方形成在源电极和漏电极之间的栅电极；以及钝化膜，该钝化膜形成在化合物半导体堆叠结构上方，并且由包含Al的绝缘材料制成，其中钝化膜与源电极和漏电极下方的化合物半导体堆叠结构处于非接触状态。

公开(公告)号：CN103035703B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN102651386B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210007524.4

申请日：2012-01-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种化合物半导体器件，包括：包括载流子传输层2和载流子供给层3的氮化物半导体堆叠结构4；设置在所述氮化物半导体堆叠结构上方的源电极5和漏电极6；设置在所述氮化物半导体堆叠结构上方、在所述源电极和所述漏电极之间的栅电极7；至少部分地设置在所述栅电极和所述漏电极之间的场板8；和在所述氮化物半导体堆叠结构上方形成的多个绝缘膜9和10，其中所述多个绝缘膜的界面数目在所述场板和所述漏电极之间小于在所述栅电极附近。

公开(公告)号：CN102487079B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110342603.6

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中村哲一 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法，该方法在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，去除由于为了形成电极沟槽所进行的干蚀刻而产生的蚀刻残留物和变质物，并且用氟来终止化合物半导体。经由栅绝缘膜将栅极金属埋置在电极沟槽中，或者将栅极金属直接地埋置在电极沟槽中，从而形成栅极。本发明的化合物半导体器件能够提供高的晶体管特性：其化合物半导体层的表面上的悬空键被大大减少，由此阈值电压经历较小的变化并较稳定。

公开(公告)号：CN102651386A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210007524.4

申请日：2012-01-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种化合物半导体器件，包括：包括载流子传输层2和载流子供给层3的氮化物半导体堆叠结构4；设置在所述氮化物半导体堆叠结构上方的源电极5和漏电极6；设置在所述氮化物半导体堆叠结构上方、在所述源电极和所述漏电极之间的栅电极7；至少部分地设置在所述栅电极和所述漏电极之间的场板8；和在所述氮化物半导体堆叠结构上方形成的多个绝缘膜9和10，其中所述多个绝缘膜的界面数目在所述场板和所述漏电极之间小于在所述栅电极附近。

公开(公告)号：CN103035702B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210269621.0

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。

公开(公告)号：CN103855207A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310570939.7

申请日：2013-11-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  今田忠纮 ,  多木俊裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层，并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙；形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层；形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极；形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层，并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙；以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层，并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。

公开(公告)号：CN103681833A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310316261.X

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  今田忠纮 ,  多木俊裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/12 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括如下化合物半导体层：第一层；形成在第一层上方的第二层，其带隙大于第一层的带隙；形成在第二层上方的第三层，其具有p型导电类型；经由第三层形成在第二层上方的栅电极；形成在第二层上方的与第三层接触的第四层，其带隙大于第二层的带隙；以及形成在第四层上方的与第三层接触的第五层，其带隙小于第四层的带隙。

公开(公告)号：CN103035703A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN102487081A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110402775.8

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛豊生 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种化合物半导体器件及制造方法，该半导体器件包括：电子传输层，形成在衬底上方；电子供应层，形成在电子传输层上方；及覆盖层，形成在电子供应层上方。该覆盖层包括：包含GaN的第一化合物半导体层；包含AlN的第二化合物半导体层，其形成在第一化合物半导体层上方；包含GaN的第三化合物半导体层，其形成在第二化合物半导体层上方；及第一包含AlGaN层和第二包含AlGaN层中的至少一个，第一包含AlGaN层形成在第一化合物半导体层和第二化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大，第二包含AlGaN层形成在第二化合物半导体层和第三化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大。本发明可抑制栅极漏电流和耐压降低、及/或可抑制电流崩塌。