公开(公告)号：CN106463549B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580030808.7

申请日：2015-04-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 远洞阳子 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022458 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种太阳能电池，其在基板的与受光面相反的面上，形成有第1导电型的扩散层与第2导电型的扩散层，所述太阳能电池具备：第1电极部、第2电极部、第1电极线部、第2电极线部、第1电极母线部及第2电极母线部；在第2电极部与第1电极母线部交叉的区域，以覆盖第2电极部的侧面部与上部的方式形成第1绝缘膜，在第1电极部与第2电极母线部交叉的区域，以覆盖第1电极部的侧面部与上部的方式形成第2绝缘膜，在第1绝缘膜的正下方，线状地连续形成第2电极部，在第2绝缘膜的正下方，线状地连续形成第1电极部。由此，提供一种配线电阻低、转换效率高的背面电极型太阳能电池及能够以低成本制造这种背面电极型太阳能电池的太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN109791880A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780061367.6

申请日：2017-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田和成

IPC: H01L21/28 ,  B23K26/21 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: B23K26/21 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 包括：在SiC基板(1)的表面形成半导体装置的有源区域的工序；在SiC基板(1)的背面，用平均磨粒径为预定的范围的磨石磨削，形成SiC基板/漏电极接合区域(9)的工序；在SiC基板/漏电极接合区域(9)中，对漏电极((1)29)进行成膜的工序；将漏电极((1)29)与SiC基板/漏电极接合区域(9)电连接的工序；以及在漏电极((1)29)上对漏电极((2)30)进行成膜的工序，从而得到在降低通电损失的同时机械强度高的SiC半导体装置。

公开(公告)号：CN109065446A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810840360.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 吴永权 ,  钱凯 ,  陆连

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种栅极的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成栅介质层和多晶硅栅；步骤二、在多晶硅栅表面中注入终点检测杂质；步骤三、进行光刻刻蚀形成栅极；步骤四、在各栅极侧面形成侧墙；步骤五、形成由氮化层组成的接触孔刻蚀停止层；步骤六、形成由氧化层组成的层间膜；步骤七、采用化学机械研磨工艺进行第一次平坦化并停止在氮化层材料上；步骤八、采用第一次等离子体刻蚀工艺进行第二次平坦化，第一次等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点采用检测终点检测杂质实现的终点检测方式确定；步骤九、采用第二次等离子体刻蚀工艺对多晶硅栅进行去除并采用定时方式确定刻蚀终点。本发明能提高多晶硅栅去除的可靠性并进而提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN108962976A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810706771.0

申请日：2018-06-29

Applicant: 捷捷半导体有限公司 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘新宇 ,  王成森 ,  王鑫华 ,  王泽卫 ,  黄森 ,  康玄武 ,  魏珂 ,  黄健

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/872 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/8611

Abstract: 本公开提供了一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件及其制备方法；所述基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构非阳极区域上的SiNx电荷恢复层；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构阳极区域上的纳米沟道阵列结构；以及形成于所述SiNx电荷恢复层通孔中的阴极金属和形成于所述纳米沟道阵列结构上的阳极金属。本公开GaN SBD器件及其制备方法能够获得低开启电压、高正向电流密度和低反向漏电。

公开(公告)号：CN108695159A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710217929.3

申请日：2017-04-05

Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 赵猛

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成拟形成源极和漏极的凹槽；在所述拟形成源极或拟形成漏极的凹槽中形成缓冲扩散层；在所述拟形成源极和漏极的凹槽中形成掺杂的半导体材料层，以形成源极和漏极。根据本发明的半导体器件，在源极或漏极单侧底部形成有缓冲扩散层，对器件源极和漏极不对称改性，有效抑制了后续形成源极或漏极后的半导体衬底内掺杂元素的横向扩散，从而减小了短沟道效应。

公开(公告)号：CN108022972A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201610943892.8

申请日：2016-11-02

Applicant: 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 徐哲 ,  温家良 ,  金锐 ,  王耀华 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  崔磊 ,  潘艳

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L21/28 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。

公开(公告)号：CN107995998A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201680031736.2

申请日：2016-04-01

Applicant: 商先创国际股份有限公司

Inventor： 麦可·科利克 ,  拉尔夫·罗特 ,  韦费德·莱尔希 ,  约翰尼斯·雷利

IPC: H01L21/673 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C14/34 ,  B65G21/20 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/28 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67316

Abstract: 用于盘状晶圆的等离子体处理的晶舟，盘状晶圆尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆；及一种晶圆用等离子体处理装置。晶舟包括：多个第一载体元件，平行于彼此而定位，每一载体元件具有用于固持晶圆或晶圆对的边缘的多个载体缝隙；以及多个第二载体元件，平行于彼此而定位，多个第二载体元件各自导电且具有用于固持至少一个晶圆或一个晶圆对的边缘区的至少一个凹痕。替代性晶舟包括多个导电板状载体元件，多个导电板状载体元件平行于彼此而定位且小于待携载的晶圆的高度的一半，载体元件各自在其对置侧上具有用于固持晶圆的至少三个载体元件。晶舟可固持于等离子体处理装置的处理腔室中，且等离子体处理装置包括控制或调节处理腔室中的处理气体气氛的工具，且等离子体处理装置亦包括至少一个电压源，至少一个电压源可以合适方式而与晶舟的导电载体元件连接以便在固持于晶舟中的直接邻近晶圆之间供应电压。

公开(公告)号：CN104733456B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201510128657.0

申请日：2015-03-23

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 崔承镇

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133504 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/121 ,  H01L21/28 ,  H01L21/77 ,  H01L27/02 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/00 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有薄膜晶体管、彩膜层和第一钝化层，所述第一钝化层上设置有第一电极，所述第一电极包括面状子电极，所述面状子电极与所述薄膜晶体管的区域以及像素单元之间的区域对应设置，所述第一电极为不透明金属电极，所述第一电极的表面设置有凹凸结构，所述凹凸结构用于分散外部入射光。本发明提供的第一电极的表面设置有凹凸结构，所述凹凸结构能够分散外部入射光，使得外部射入的光线发生漫反射，从而避免光线过度集中，提高外部能见度和显示画面的辨识度。

公开(公告)号：CN107689325A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201610639230.1

申请日：2016-08-05

Applicant: 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

Inventor： 贺冠中

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明的多晶硅回刻处理方法，通过在形成了沟槽的半导体衬底上形成栅氧化层和多晶硅层，并在该多晶硅层上形成一层第一氧化层，通过清洗该第一氧化层，再对去除了该第一氧化层后剩余的多晶硅层进行刻蚀。从而实现多晶硅回刻之前，采用氧化工艺和清洗工艺，去除多晶硅表面的氧化介质或其他沾污物质，改善多晶硅回刻的均匀性，解决多晶硅残留的问题，进而提高了半导体产品的生产良率和可靠性，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN103426739B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201310195386.1

申请日：2013-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申忠桓 ,  姜尚范 ,  金大容 ,  金桢益 ,  金哲性 ,  柳制亨 ,  李相遇 ,  崔孝锡

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。